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    消费者的菊链式电压稳定性相依交错加电
    1.
    发明授权
    消费者的菊链式电压稳定性相依交错加电 有权

    公开(公告)号：CN107430412B

    公开(公告)日：2019-04-26

    申请号：CN201680018076.4

    申请日：2016-03-10

    申请人： 高通股份有限公司

    发明人： S·B·帕蒂尔 ,  D·斯塔夏克 ,  M·P·圣劳伦特 ,  李瑞 ,  梁宾 ,  杨赛森 ,  郑哲民

    IPC分类号： G05F1/10 ,  G06F1/32

    摘要： 本发明公开电压下降控制。一种装置包含：耦合到外部电源(106)的第一组件(102)和耦合到所述外部电源的第二组件(104)。所述第一组件包含：第一输入(132)，其经配置以接收第一电压(120)；第一内部电源(108)，其经配置以响应于所述第一电压对应于第一逻辑值而由所述外部电源充电；以及电压下降控制器(164)，其经配置以经由第一输出(134)输出第二电压(122)。响应于所述第一内部电源的第一电压电平达到第二电压电平，所述第二电压对应于所述第一逻辑值。所述第二组件(104)包含经配置以从所述第一输出(134)接收所述第二电压(122)的第二输入(136)。

    基于电阻的存储器电路的信号裕量平衡
    2.
    发明授权
    基于电阻的存储器电路的信号裕量平衡 有权

    公开(公告)号：CN102257570B

    公开(公告)日：2016-01-20

    申请号：CN200980151300.7

    申请日：2009-12-18

    申请人： 高通股份有限公司

    发明人： 金圣克 ,  金吉苏 ,  宋哲焕 ,  升·H·康 ,  杨赛森 ,  迈赫迪·哈米迪·萨尼

    IPC分类号： G11C11/16 ,  G11C7/06

    CPC分类号： G11C7/14 ,  G11C7/12 ,  G11C11/1673

    摘要： 本发明揭示一种基于电阻的存储器电路。所述电路包括：数据单元的第一晶体管负载；及位线，其适于检测第一逻辑状态。所述位线耦合到所述第一晶体管负载并耦合到具有磁性隧道结(MTJ)结构的数据单元。所述位线适于在所述位线具有第一电压值时检测具有逻辑一值的数据，且在所述位线具有第二电压值时检测具有逻辑零值的数据。所述电路进一步包括参考单元的第二晶体管负载。所述第二晶体管负载耦合到所述第一晶体管负载，且所述第二晶体管负载具有相关联的参考电压值。所述第一晶体管负载的例如晶体管宽度等特性可经调整以修改所述第一电压值及所述第二电压值，而大体上不改变所述参考电压值。

    磁性随机存取存储器(MRAM)的原位电阻测量
    4.
    发明授权
    磁性随机存取存储器(MRAM)的原位电阻测量 失效

    公开(公告)号：CN102282622B

    公开(公告)日：2015-01-28

    申请号：CN201080004957.3

    申请日：2010-01-29

    申请人： 高通股份有限公司

    发明人： 哈利·拉奥 ,  杨赛森 ,  朱晓春 ,  穆罕默德·哈桑·阿布-拉赫马

    IPC分类号： G11C11/16

    CPC分类号： G11C11/1653 ,  G11C7/14 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1673

    摘要： 一种测量MRAM存储器单元的磁性隧道结(MTJ)的电阻的方法包括将具有选定电平的电压施加到包含MTJ的存储器单元，所述MTJ与处于导通状态的存储器单元晶体管串联。确定通过所述存储器单元的电流。将可变电压施加到复制单元，所述复制单元不具有MTJ且包含处于导通状态的复制单元晶体管。确定所述可变电压的值，其中通过所述复制单元的所得电流大体上与通过所述存储器单元的所述电流相同。通过获取所述存储器单元电压与所述经确定的可变复制单元电压的差值且将所述结果除以所述经确定的存储器单元电流来计算所述MTJ电阻。

    用于读出放大器的可数字控制延迟
    5.
    发明授权
    用于读出放大器的可数字控制延迟 有权

    公开(公告)号：CN102227776B

    公开(公告)日：2014-10-22

    申请号：CN200980147666.7

    申请日：2009-12-07

    申请人： 高通股份有限公司

    发明人： 朴东奎 ,  阿诺什·B·达维埃尔瓦拉 ,  钟成 ,  穆罕默德·哈桑·索利曼·阿布-拉赫马 ,  杨赛森

    IPC分类号： G11C7/06 ,  G11C7/22 ,  G11C11/16

    CPC分类号： G11C7/22 ,  G11C7/06 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1693 ,  G11C2207/065 ,  G11C2207/2281

    摘要： 本发明揭示在读取磁性随机存取存储器(MRAM)装置时插入可选择延迟的电路、设备及方法。一种电路包括：读出放大器(160)，其具有第一输入(162)、第二输入(164)及启用输入(166)；第一放大器(132)，其耦合到基于磁阻的存储器单元(112)的输出；第二放大器(134)，其耦合到所述单元的参考输出；及可数字控制放大器(136)，其耦合到类似于所述MRAM的所述单元的追踪电路单元(116)。所述读出放大器的所述第一输入耦合到所述第一放大器，所述读出放大器的所述第二输入耦合到所述第二放大器，且所述启用输入经由逻辑电路(150)耦合到所述第三可数字控制放大器。一旦所述读出放大器经由所述逻辑电路从所述可数字控制放大器接收到启用信号(152)，所述读出放大器随即可基于从所述基于磁阻的存储器单元的所述输出及参考单元接收的经放大值而产生输出值。

    电阻式存储器电路参数调整的系统及方法
    6.
    发明授权
    电阻式存储器电路参数调整的系统及方法 有权

    公开(公告)号：CN102132276B

    公开(公告)日：2014-07-09

    申请号：CN200980114391.7

    申请日：2009-03-31

    申请人： 高通股份有限公司

    发明人： 金圣克 ,  金吉恕 ,  宋哲焕 ,  升·H·康 ,  杨赛森

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： G06F17/5063 ,  G06F17/5036 ,  G06F17/5059 ,  G11C11/1673

    摘要： 本发明揭示电阻式存储器电路参数调整的系统及方法。在一特定实施例中，一种确定电阻式存储器电路的一组参数的方法包括：基于所述电阻式存储器电路的第一预定设计约束选择第一参数；以及基于所述电阻式存储器电路的第二预定设计约束选择第二参数。所述方法进一步包括执行迭代方法以通过选择性地指派且调整所述电阻式存储器电路的读出放大器部分的至少一个电路参数的物理特性以实现所要的读出放大器裕度值来调整所述至少一个电路参数，而不改变所述第一参数或所述第二参数。

    具有混合串行及并行搜索的内容可寻址存储器及其搜索方法
    7.
    发明授权
    具有混合串行及并行搜索的内容可寻址存储器及其搜索方法 失效

    公开(公告)号：CN101317234B

    公开(公告)日：2012-02-29

    申请号：CN200680044051.8

    申请日：2006-10-02

    申请人： 高通股份有限公司

    发明人： 杨赛森 ,  金圣克

    IPC分类号： G11C15/00

    CPC分类号： G11C15/04 ,  G11C15/00

    摘要： 为高效且低功耗地搜索混合串/并行CAM单元，本发明提供了一种混合串并行内容可寻址存储器(CAM)包含布置为多个(N)列及多个(M)行的串行CAM单元及并行CAM单元。每一行包含至少一个串行CAM单元及至少两个并行CAM单元。并行地来搜索所述M个行。对于每一行，顺序地搜索所述串行CAM单元，且选择性地并行搜索所述并行CAM单元。所述CAM进一步包含产生用于N个CAM单元列的搜索线的驱动器，每列一个搜索线。所述驱动器将所述搜索线设定为用以在所述CAM中搜索的N位值。在每一搜索操作之前，所述驱动器为至少一个串行CAM单元列预设定至少一个搜索线以对每一行的匹配线预充电。

    脉冲产生系统及方法
    8.
    发明公开
    脉冲产生系统及方法 无效

    公开(公告)号：CN102301423A

    公开(公告)日：2011-12-28

    申请号：CN201080005629.5

    申请日：2010-02-02

    申请人： 高通股份有限公司

    发明人： 哈利·拉奥 ,  阿诺什·B·达维埃尔瓦拉 ,  朴东奎 ,  杨赛森

    IPC分类号： G11C7/22 ,  G11C16/12 ,  H03K7/08 ,  H04L7/033

    CPC分类号： G11C7/22 ,  G11C7/04 ,  G11C16/12 ,  H03K2005/00293

    摘要： 在特定实施例中，一种装置(102)包括参考电压电路(110)，所述参考电压电路用以产生受控电压。所述装置包括：频率电路(106)，其经配置以产生具有预设频率的频率输出信号(328)；及计数器(304)，其用以基于所述预设频率产生计数信号(310)。所述装置还包括：延迟电路(306)，其经耦合以接收所述计数信号且产生经延迟的数字输出信号(312)；及锁存器(320)，其用以产生脉冲(130)。所述脉冲具有响应于写入命令的第一边缘(132)及响应于所述经延迟的数字输出信号而形成的后边缘(134)。在特定实施例中，所述脉冲的脉冲宽度对应于施加的电流电平，所述施加的电流电平超过使得数据能够写入到存储器的元件的临界电流，但不超过预定阈值。