带电粒子检查中的射束位置位移校正

    公开(公告)号:CN118414685A

    公开(公告)日:2024-07-30

    申请号:CN202280079667.8

    申请日:2022-11-02

    IPC分类号: H01J37/20

    摘要: 公开了一种用于校正检查图像误差的改进方法和系统。一种改进的方法包括:当支撑测试晶片的晶片台以第一速度移动时,获取测试晶片上的第一射束位置集合;当晶片台以第二速度移动时,获取测试晶片上与第一射束位置集合相对应的第二射束位置集合;当晶片台以在第一速度到第二速度的速度范围的第三速度移动时,计算射束的射束位置位移;以及基于所计算的射束位置位移来调整射束的射束位置。

    用于带电粒子系统中的高吞吐量缺陷检查的系统和方法

    公开(公告)号:CN115280462A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202180020836.6

    申请日:2021-03-09

    IPC分类号: H01J37/26 H01J37/28

    摘要: 公开了一种用于生成射束的设备、系统和方法,该射束用于检查被定位在带电粒子束系统中的工作台上的晶片。一些实施例中,控制器包括被配置为执行以下操作的电路系统:通过区域的类型对沿着晶片的条带的多个区域进行分类,该条带大于射束的视场,其中多个区域的分类包括第一类型的区域和第二类型的区域;以及通过基于区域的类型控制工作台的速度来扫描晶片,其中第一类型的区域以第一速度被扫描,并且第二类型的区域以第二速度被扫描。

    用于多束检测系统的束阵列几何形状优化器

    公开(公告)号:CN115210845A

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202180018703.5

    申请日:2021-02-24

    IPC分类号: H01J37/28 H01J37/29

    摘要: 公开了用于多束检查工具的束阵列几何形状优化的装置、系统和方法。在一些实施例中,一种微机电系统(MEMS)可以包括第一行孔口;位于第一行孔口下方的第二行孔口;位于第二行孔口下方的第三行孔口;以及位于第三行孔口的下方的第四行孔口;其中第一行孔口、第二行孔口、第三行孔口和第四行孔口在第一方向上彼此平行;第一行孔口和第三行孔口在垂直于第一方向的第二方向上从第二行孔口和第四行孔口偏移;第一行孔口和第三行孔口具有第一长度;第二行孔口和第四行孔口具有第二长度;并且在第二方向上,第一长度长于第二长度。