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公开(公告)号：CN117716464A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202280052360.9
申请日：2022-06-01
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： E·斯洛特
IPC: H01J37/147
Abstract: 本文公开了一种在带电粒子评估系统中对准样品的方法。该系统包括用于支撑样品的支座，并且被配置为沿着多射束路径将多射束中的带电粒子朝向样品投射，该多射束包括子束的布置，并且检测响应于多射束的对应子束而从样品发射的信号粒子。该方法包括：将多射束带电粒子沿着多射束路径朝向样品的对准特征引导，使得多射束带电粒子的视场包括对准特征；检测从样品发射的信号粒子；基于信号粒子的检测生成表示对准特征的数据集；以及使用数据集确定样品相对于多射束路径的全局对准。
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公开(公告)号：CN119404278A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202380048966.X
申请日：2023-06-26
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/21
Abstract: 本公开涉及用于使用多个带电粒子束评估样品的装置和方法。在一种布置中，相对于彼此扫描多个带电粒子束的束栅格的至少子集和样品表面的相应的目标部分，以处理目标部分。检测来自样品的信号带电粒子以生成检测信号。通过分析检测信号，生成表示样品表面的形貌的样品表面形貌图。
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公开(公告)号：CN117813669A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202280056336.2
申请日：2022-06-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： E·斯洛特 , M·J·B·奥斯特伯格
IPC: H01J37/22 , H01J37/28 , H01J37/317
Abstract: 一种带电粒子装置，被配置为将带电粒子多射束朝向样品投射，包括：带电粒子源，其被配置为发射带电粒子射束；光源，被配置为发射光；以及带电粒子光学设备，其被配置为向样品投射从带电粒子射束导出的带电粒子多射束的子射束；其中，光源被布置为使得光沿着子射束的路径投射穿过带电粒子光学设备，以便照射样品的至少一部分。
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公开(公告)号：CN116762152A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202180090368.X
申请日：2021-11-09
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： E·斯洛特 , A·V·G·曼格努斯 , E·P·斯马克曼 , 任岩 , M·斯科特兹
IPC: H01J37/304
Abstract: 一种带电粒子工具被配置为从带电粒子束生成多个子束，并且将子束向束下游引导向样品(600)位置，该工具、即带电粒子工具包括至少三个带电粒子光学组件(201、111、235、234)；检测器模块(240)；以及控制器。检测器模块被配置为响应于从样品位置的方向向束上游传播的带电粒子而生成检测信号。控制器被配置为在校准模式下操作该工具。带电粒子光学组件包括被配置为发射带电粒子束的带电粒子源201、以及被配置为生成子束的束生成器(111)。检测信号包含关于带电粒子光学组件中的至少两个带电粒子光学组件的对准的信息。带电粒子光学组件包括两个或更多个带电粒子光学元件，该两个或更多个带电粒子光学元件包括可以监测带电粒子的孔径阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119404284A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202380048523.0
申请日：2023-07-13
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/28 , H01J37/26 , H01J37/21 , G03F9/00
Abstract: 公开了用于获得关于样品表面的形貌信息的设备和方法。在一种布置中，感测系统包括用于测量样品表面的相应部分的位置的一组近端传感器、以及比近端传感器更远离多束的子束路径定位的远端传感器。远端传感器测量样品表面的一部分相对于远端传感器的位置。控制系统控制带电粒子设备以使用多束在可多束处理的区域中处理样品表面。一个阶段使得可多束处理的区域沿着样品的参考系中的处理路径移动。在可多束处理的区域到达处理路径的选定部分之前，感测系统至少使用远端传感器来在处理路径的选定部分中的获得关于样品表面的形貌信息。
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公开(公告)号：CN118575249A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202280089633.7
申请日：2022-11-23
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/147
Abstract: 本发明涉及一种确定带电粒子装置中电子光学组件的对准的方法。该带电粒子装置包括：孔径阵列和检测器，该检测器被配置为检测与穿过孔径阵列中的对应的孔径的束波相对应的带电粒子。该方法包括：在孔径阵列的一部分之上扫描孔径阵列的平面中的每个束波，在孔径阵列的一部分中限定了孔径阵列的对应的孔径，使得每个束波的带电粒子可以穿过对应的孔径；在扫描期间检测与穿过对应的孔径的每个束波相对应的任何带电粒子；基于在扫描间隔对与每个束波的带电粒子相对应的检测，生成针对每个束波的检测像素；以及收集包括在检测像素中的信息，诸如带电粒子的强度。
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公开(公告)号：CN118266055A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202280074777.5
申请日：2022-10-11
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于向样品投射带电粒子束的带电粒子评估系统。该系统包括：被配置为保持样品的样品保持器；带电粒子光学系统，其被配置为将来自带电粒子源的带电粒子束向下游朝样品投射并且包括清洁目标；以及清洁装置。清洁装置被配置为向清洁目标供应入射在清洁目标上的清洁流中的清洁介质，使得清洁流从清洁目标的下游接近清洁目标，并且在清洁目标处或附近激发清洁介质，使得清洁介质清洁清洁目标的表面的至少一部分。
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公开(公告)号：CN117836892A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202280054925.7
申请日：2022-06-17
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： E·斯洛特
IPC: H01J37/02
Abstract: 一种用于向样品投射带电粒子多射束的方法，包括：使用控制透镜阵列来操纵带电粒子多射束的相应子射束，该控制透镜阵列包括用于相应子射束的多个控制透镜；控制控制透镜阵列以操纵子射束，使得子射束由射束成形孔径阵列的相应孔径成形，使得小于阈值电流的每个子射束的带电粒子通过射束成形孔径阵列的相应孔径，控制透镜阵列的下游包括用于相应子射束的多个孔径；以及控制控制透镜阵列以操纵子射束，使得至少为阈值电流的子射束的至少一部分通过射束成形孔径阵列的相应孔径。
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公开(公告)号：CN117597761A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202280047469.3
申请日：2022-06-28
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·V·G·曼格努斯 , E·斯洛特
IPC: H01J37/244
Abstract: 一种用于带电粒子装置的检测器，该带电粒子装置用于评估工具，该检测器用于检测来自样品的信号粒子，检测器包括基板，基板包括：半导体元件，其被配置为检测高于第一能量阈值的信号粒子；以及基于电荷的元件，其被配置为检测低于第二能量阈值的信号粒子。
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