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公开(公告)号：CN1610016A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410087439.9
申请日：2004-09-22
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： H01C7/00
CPC分类号： H01C7/003 , H01C17/06533 , H01C17/06553
摘要： 一种电阻，其在基板上含有电阻层，是通过在基板上形成含有基本上不含铅的含CaO和B2O3的玻璃材料、基本上不含铅的导电性材料和有机载体的电阻浆料后，在830～870℃的温度下烧结5～15分钟而得到的，其中通过用透射式电子显微镜(TEM)对沿着前述电阻层厚度方向的截面进行观察时，前述观察截面的电阻层中析出的结晶物质CaB2O4的占有面积不到前述观察截面的电阻层面积的30.0％。根据本发明，可以提供一种具有高电阻值、同时短时过载(STOL)小的无铅电阻。
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公开(公告)号：CN1198243A
公开(公告)日：1998-11-04
申请号：CN97190981.4
申请日：1997-06-23
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： H01B1/16
CPC分类号： H01B1/16 , H01L23/13 , H01L23/49805 , H01L23/49883 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/3011 , H05K1/092 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926 , H01L2924/00
摘要： 目标是提供优质导体糊,它使用银基内部导体,即使在用导体熔体法与陶瓷材料一同烧制时也抑制空隙产生及伴随的断裂发生,而且它改善了生产率,降低了成本,及改进了电特性。导体糊是通过将银基导电材料及金属氧化物分散在载体中制备的。氧化镓,氧化镧,氧化镨,氧化钐,氧化铕,氧化钆,氧化镝,氧化铒,氧化铥,及氧化镱中的至少一个被用作这个金属氧化物,在导电材料的熔点与低于沸点之间的一个温度上烧制导体糊。
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公开(公告)号：CN105989863A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610153971.9
申请日：2016-03-17
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： G11B5/84
CPC分类号： G11B5/4833 , G11B5/4826 , G11B5/84 , G11B5/8412 , G11B5/85 , G11B5/851 , G11B5/858
摘要： 本发明提供臂及悬架的接合强度优异的磁头装置。磁头装置具备臂、与臂的前端部重叠的悬架、位于悬架的前端部的滑块、以及位于臂的前端部和悬架之间且将臂和悬架接合的接合部，接合部含有Sn。
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公开(公告)号：CN101246871B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200710078806.2
申请日：2007-02-15
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48 , H05K1/03 , H05K3/46
摘要： 本发明的目的是，在具有内部导体的多层陶瓷衬底中确实消除内部导体周围产生的缺陷。本发明提供了由多个玻璃陶瓷层叠层并具有内部导体的多层陶瓷衬底。内部导体周围的玻璃陶瓷层含有选自Ti、Zr、Mn中的至少1种作为扩散元素。内部导体以Ag作为导电材料。这样的多层陶瓷衬底的制造方法是，向导电糊中添加选自Ti、Zr、Mn中的至少1种作为扩散元素，烧成时使这些扩散元素扩散到周围的玻璃陶瓷生坯片中。
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公开(公告)号：CN1241284A
公开(公告)日：2000-01-12
申请号：CN98801480.7
申请日：1998-10-06
申请人： TDK株式会社
CPC分类号： H01C1/142 , H01C7/18 , H01C17/006 , H01G4/2325 , H01G4/40
摘要： 本发明提供一种电子器件,它包括:含有在氧化性气氛中烧制时会转化成氧化物的第一金属的第一金属层,以及通过烧制含有在氧化性气氛中烧制时不会转化成氧化物的金属的第二金属粒子形成的第二金属层,以及夹在这两个金属层之间的中间氧化物层。该中间氧化物层含有第一金属层中所含第一金属的氧化物。优选地,第二金属层中所含的第二金属粒子分散在该中间氧化物层。可用简单步骤得到均匀的氧化物层,且由该氧化物层形成的电阻值易于高精度地控制。从而可以得到一种电子器件,其中氧化物层与其它的含有金属的层的结合强度得到提高,且与导线的结合强度也得到提高。
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公开(公告)号：CN100565717C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN03826861.2
申请日：2003-06-18
申请人： TDK株式会社
CPC分类号： C03C8/20 , H01C17/06533
摘要： 含有基本上不含铅的玻璃材料、基本上不含铅的导电性材料、有机载体、和作为添加物的NiO和/或具有钙钛矿型晶体结构的氧化物的电阻糊料。具有钙钛矿型晶体结构的氧化物可以举出CaTiO3、SrTiO3、BaTiO3、NiTiO3、MnTiO3、CoTiO3、FeTiO3、CuTiO3、MgTiO3等。玻璃材料的含量为60体积%以上～小于91体积%，或者为63～88体积%以下；所述导电性材料的含量为8体积%以上～32体积%以下；所述NiO的含量大于0体积%～12体积%以下。
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公开(公告)号：CN100511496C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200510106746.1
申请日：2005-09-01
申请人： TDK株式会社
摘要： 一种在有机载体中分散电阻组合物而构成的厚膜电阻用浆料。电阻组合物含有RuO2、Ru复合氧化物的1种或2种以上作为导电性材料，同时含有玻璃组合物、碱土类金属的钛氧化物和金属材料。另外，也可以含有CuO、Cu2O作为添加物。碱土类金属的钛氧化物是BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3的任一种，根据所需要的电阻值使电阻组合物的组成最佳化。通过不含铅能获得TCR和STOL优良的厚膜电阻。
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公开(公告)号：CN100472671C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200410087439.9
申请日：2004-09-22
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： H01C7/00
CPC分类号： H01C7/003 , H01C17/06533 , H01C17/06553
摘要： 一种电阻，其在基板上含有电阻层，是通过在基板上形成含有基本上不含铅的含CaO和B2O3的玻璃材料、基本上不含铅的导电性材料和有机载体的电阻浆料后，在830～870℃的温度下烧结5～15分钟而得到的，其中通过用透射式电子显微镜(TEM)对沿着前述电阻层厚度方向的截面进行观察时，前述观察截面的电阻层中析出的结晶物质CaB2O4的占有面积不到前述观察截面的电阻层面积的30.0%。根据本发明，可以提供一种具有高电阻值、同时短时过载(STOL)小的无铅电阻。
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公开(公告)号：CN101246871A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200710078806.2
申请日：2007-02-15
申请人： TDK株式会社
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48 , H05K1/03 , H05K3/46
摘要： 本发明的目的是，在具有内部导体的多层陶瓷衬底中确实消除内部导体周围产生的缺陷。本发明提供了由多个玻璃陶瓷层叠层并具有内部导体的多层陶瓷衬底。内部导体周围的玻璃陶瓷层含有选自Ti、Zr、Mn中的至少1种作为扩散元素。内部导体以Ag作为导电材料。这样的多层陶瓷衬底的制造方法是，向导电糊中添加选自Ti、Zr、Mn中的至少1种作为扩散元素，烧成时使这些扩散元素扩散到周围的玻璃陶瓷生坯片中。
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