电容器装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108922780A

    公开(公告)日:2018-11-30

    申请号:CN201810729413.1

    申请日:2014-02-10

    IPC分类号: H01G4/30 H01G4/12 H01G4/232

    摘要: 本发明涉及一种电容器装置,其具有至少一个陶瓷多层电容器(1),其包括基体(2),所述基体(2)具有陶瓷层(3)和在所述陶瓷层之间布置的第一和第二电极层(41,42)以及在位于相对的侧面(61,62)上的第一外接触件(51)和第二外接触件(52),其中所述第一外接触件(51)与所述第一电极层(41)并且所述第二外接触件(52)与所述第二电极层(42)电传导地连接,以及-接触布置(7),其具有两个金属接触板(70),在所述两个金属接触板之间布置至少一个陶瓷多层电容器(1),其中所述第一和第二外接触件(51,52)分别与所述金属接触板(70)之一电传导地连接。

    层叠陶瓷电容器
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106298239B

    公开(公告)日:2018-06-19

    申请号:CN201610392765.3

    申请日:2016-06-06

    发明人: 大谷真史

    IPC分类号: H01G4/232 H01G4/30 H01G4/12

    摘要: 本发明提供一种通过外部电极来实现机械性强度的提高、并且通过外部电极中包含的层彼此稳固地密接从而具有良好的耐湿可靠性以及电特性的层叠陶瓷电容器。层叠陶瓷电容器(10)具备:通过多个陶瓷层(30)以及多个内部电极(40a、40b)层叠而形成的层叠体(20)、和形成在层叠体(20)的两端面(26a、26b)以使得与内部电极(40a、40b)电连接的一对外部电极(140a、140b),一对外部电极(140a、140b)分别包含:形成在层叠体(20)的表面,并包含Ni的基底电极层(142);形成在基底电极层(142)的表面,并包含Cu、Ni、Sn合金的中间金属层(144)、和形成在中间金属层(144)的表面的导电性树脂层(146)。

    多层陶瓷电子零件及其制备方法

    公开(公告)号:CN104465084B

    公开(公告)日:2018-02-06

    申请号:CN201410103032.4

    申请日:2014-03-19

    IPC分类号: H01G4/30 H01G4/12 H01G4/005

    摘要: 本发明提供一种多层陶瓷电子零件及其制备方法,该多层陶瓷电子零件包括:包括多个介电层的陶瓷体,设置在陶瓷体内以交替地暴露于陶瓷体的第一和第二端表面的多个第一和第二内电极,所述介电层位于第一内电极和第二内电极之间,分别与第一内电极和第二内电极电连接的第一和第二电极层,在第一和第二电极层上以及在与第一和第二电极层邻近的陶瓷体的区域内形成的导电树脂层,以及在陶瓷体的外表面的部分与导电树脂层之间形成的涂层,其中,导电树脂层形成在陶瓷体的外表面的部分上。本发明可以提供能够减少导电树脂层的不相同现象和导电树脂层的分离现象的多层陶瓷电容器。

    一种功率改善型吸收电容

    公开(公告)号:CN107240498A

    公开(公告)日:2017-10-10

    申请号:CN201710611257.4

    申请日:2017-07-25

    摘要: 本发明涉及一种功率改善型吸收电容,包括壳体、绝缘内胆、绝缘填充料和电容元件,绝缘内胆配装在壳体内侧,电容元件处在绝缘内胆内部,绝缘填充料处在壳体内并且填充在绝缘内胆和电容元件之间,电容元件包括限流电阻、卷芯、电极和两根引出导线,电极的端面分别连接各自的引出导线,电极两端通过电容芯连接,限流电阻与电容芯并联,限流电阻处在电容芯外侧,限流电阻两端通过导线连接电极端面,卷芯卷绕在电容芯外侧,本发明的优点在于具有更好的dv/dt,整体结构为无感结构,低等效串联电感,低ESR,低ERL,低损耗因数,自愈性好,按照电压等级设计电弧距离,能有效吸收尖峰电压,保护线路安全。

    层叠陶瓷电子部件及其制造方法

    公开(公告)号:CN104737252B

    公开(公告)日:2017-08-08

    申请号:CN201380052110.6

    申请日:2013-09-06

    IPC分类号: H01G4/12 H01G4/232 H01G4/30

    摘要: 本发明提供一种不会引起外部电极的周缘端部附近的层叠陶瓷元件的强度降低或因其所致的可靠性降低等且可靠性较高的层叠陶瓷电子部件及其制造方法。本发明的外部电极(35a、35b)包含至少含有Si的无机物质,在外部电极的周缘端部(44a、44b)的与构成层叠陶瓷元件(33)的陶瓷层(32)的界面,形成有至少包含Si、Ti、及Ba的晶相C,且表示从外部电极的周缘端部起5μm以内的区域中的形成于与陶瓷层的界面的晶相C的面积和玻璃相G的面积的关系的晶相面积比率的值成为75~98%的范围。晶相面积比率(%)={晶相面积/(晶相面积+玻璃相面积)}×100。