半导体芯片的制造方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108538824B

    公开(公告)日:2021-08-17

    申请号:CN201810171607.4

    申请日:2018-03-01

    申请人: TDK株式会社

    IPC分类号: H01L25/065 H01L21/60

    摘要: 本发明提供一种半导体芯片的制造方法,将具有基板、形成于基板上的导电部和形成于导电部的微凸起的半导体芯片层叠多片而得到半导体芯片。其中,具备在惰性气氛内使还原性气体流入配置有半导体芯片的空间内,并以微凸起的熔点以上的温度进行加热的加热工序,在加热工序中,在微凸起上载置有压力赋予部件。

    配线部件
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108235570B

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN201711352356.1

    申请日:2017-12-15

    申请人: TDK株式会社

    IPC分类号: H05K1/16 H05K3/18

    摘要: 用于平面线圈的制造的配线部件(5B)具备:基材(10)、和形成于基材(10)上的平面线圈图案(11)。平面线圈图案(11)包含:具有一端(11a1)及另一端(11a2)的线圈配线部(11a),将外部电源和线圈配线部(11a)的第一连接位置(P1)连接的供电配线部(11d),将与第一连接位置(P1)相比更靠另一端(11a2)侧的线圈配线部(11a)的第二连接位置(P2)和与第二连接位置(P2)相比更靠一端(11a1)侧的线圈配线部(11a)的第三连接位置(P3)进行短路的连接配线部(11e)。平面线圈图案(11)的剖面结构具有形成于基材(10)上的基底树脂层(L0)和形成于基底树脂层(L0)上的导体层(LL)。

    磁头装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105989863B

    公开(公告)日:2019-01-11

    申请号:CN201610153971.9

    申请日:2016-03-17

    申请人: TDK株式会社

    IPC分类号: G11B5/84

    摘要: 本发明提供臂及悬架的接合强度优异的磁头装置。磁头装置具备臂、与臂的前端部重叠的悬架、位于悬架的前端部的滑块、以及位于臂的前端部和悬架之间且将臂和悬架接合的接合部,接合部含有Sn。

    电子部件的制造方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101373663A

    公开(公告)日:2009-02-25

    申请号:CN200810214008.2

    申请日:2008-08-22

    申请人: TDK株式会社

    CPC分类号: H01G4/232

    摘要: 本发明涉及一种电子部件的制造方法,其包括:形成大致长方体形状的具有端面(11、12)和侧面(13~16)的芯片素体(1)的工序(芯片素体的形成工序S1);形成导电生片(31)的工序(导电生片的形成工序S2);在芯片素体(1)的端面(11、12)上赋予导电膏(33)的工序(导电膏的涂布工序S3);经由在芯片素体(1)的端面(11)上赋予的导电膏(33)将导电生片贴附到端面(11)上的工序(导电薄片的贴附工序S4)。在贴附工序S4中,导电生片(31)的侧面(13~16)侧的端面位于侧面(13~16)的外侧,在端面(11)上赋予的导电膏(33)被挤出到导电生片(31)和棱部(R13~R16)之间。

    多层基板及其制造方法
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1767719B

    公开(公告)日:2010-12-08

    申请号:CN200510103151.0

    申请日:2005-09-16

    申请人: TDK株式会社

    IPC分类号: H05K1/00 H05K3/00 H05K3/46

    摘要: 多层基板及其制造方法。本发明提供了一种设计自由度高、适合高密度安装的高性能的多层基板及其制造方法。本发明的多层基板包括层叠的多个绝缘层和在各绝缘层之间形成的配线图形,上述配线图形包括具有预定厚度的第1配线图形(40)和厚度大于上述第1配线图形的第2配线图形(41),它们共存于同一层内。通过消去法,对厚度一定的导电层(32)进行构图而形成第1配线图形(40)。在形成通孔的同一工序中,通过开孔加工,形成图形形成用槽,然后用导电性材料同时填充通孔和图形形成用槽的内部,由此形成第2配线图形(41)。第1配线图形可优选用作为图形的宽度和厚度偏差小、要求相对于绝缘层的图形厚度精度的高频电路用LC图形和要求阻抗匹配的通常的配线图形。第2配线图形可优选用作为扼流圈用L图形。