制造光调制器的方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106990562A

    公开(公告)日:2017-07-28

    申请号:CN201610811383.X

    申请日:2016-09-08

    申请人: 孙震国

    发明人: 孙震国 陈定波

    IPC分类号: G02F1/00 G02F1/015

    摘要: 制造光调制器的方法。制造根据本发明的光电耦合开关的方法需要半导体材料层的一系列重新构形。首先,建立基础构件,其中半导体层被安置在绝缘体材料层上,所述绝缘体材料层被安置在半导体层和半导体衬底之间。按次序,利用第一蚀刻,所述半导体层被蚀刻以在狭槽的两侧建立波导。在第二蚀刻中,所述狭槽被加深以在狭槽中暴露绝缘体材料层。利用第三接触垫掺杂处理,垫可以被安置在绝缘体材料层上使得与所述相应波导电接触,金属接触器可以随后被置于接触垫上,所述狭槽可由光电聚合物填充,并且在需要时所述聚合物可以被极化。

    电化学装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109477994A

    公开(公告)日:2019-03-15

    申请号:CN201780046057.7

    申请日:2017-07-25

    发明人: 平野智也

    IPC分类号: G02F1/1506 G02F1/155

    摘要: 本发明的电化学装置包含:设置为相互面对并在相对的表面上具有电极的第一基板和第二基板,以及电沉积材料,所述电沉积材料夹在第一基板和第二基板之间,含有Ag、中介体、支持电解质和溶剂。而且,本发明的电化学装置的在波长400nm~800nm的可见光范围内的光密度不大于0.1,并且盒厚度为1μm~1000μm。

    一种太赫兹调制器
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109143618A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201811206553.7

    申请日:2018-10-17

    IPC分类号: G02F1/00 G02F1/01

    CPC分类号: G02F1/0018 G02F1/0102

    摘要: 本发明公开一种太赫兹调制器,包括衬底、缓冲层、绝缘介质层、覆盖层和石墨烯薄膜层,所述衬底的顶部设有开口谐振环阵列,且开口谐振环阵列边缘处的衬底顶部附有缓冲层,所述开口谐振环阵列的上方位置处设有绝缘介质层,所述绝缘介质层的底部镀有覆盖层,所述绝缘介质层的上方设有石墨烯薄膜层;本发明以石墨烯薄膜层为调制材料,相比于传统的超材料,石墨烯的费米能级可以通过电压进行调控,从而对不同频率的太赫兹波产生吸收,实现其对不同频率太赫兹波的调控作用,调制速率高,再结合开口谐振环阵列,改变开口处的载流子浓度,实现对共振强度的协调以控制太赫兹波的传输,增强太赫兹波与石墨烯的相互作用,调制深度更大。