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公开(公告)号:CN105408814B
公开(公告)日:2019-08-09
申请号:CN201480041440.X
申请日:2014-07-24
申请人: SAGE电致变色显示有限公司
IPC分类号: G02F1/155
CPC分类号: G02F1/155 , G02F1/0018 , G02F1/0107 , G02F1/133305 , G02F1/1339 , G02F1/15 , G02F1/1508 , G02F1/1523 , G02F1/153 , G02F1/1533 , G02F1/157 , G02F1/161 , G02F1/163 , G02F1/1676 , G02F2001/15145 , G02F2001/1555 , G02F2001/164 , G02F2203/01 , G02F2203/02
摘要: 本发明的一个目的是提供一种具有改进的绝缘薄膜结构以减少漏电的电变色器件(40、50、60)。改进的结构包括下部导电层(45a‑b、55a‑c、65a‑b)、上部透明导电层、电变色电极层、反电极层(44、54、63)以及夹在电变色电极层与反电极层之间的至少一个离子导体层。对下部传输导电层进行划线,通过划线(P1)形成的间隙填充有形成在下部导电层之上的层,比如直接形成在下部导电层上面的电极层。划线的有效线宽大于嵌入电极层内的锂离子的迁移长度,使得占据间隙的电极材料不将电极层转换成导电区域。
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公开(公告)号:CN106990562A
公开(公告)日:2017-07-28
申请号:CN201610811383.X
申请日:2016-09-08
申请人: 孙震国
CPC分类号: G02F1/0018 , G02F1/015 , G02F2001/0151 , G02F2001/0154
摘要: 制造光调制器的方法。制造根据本发明的光电耦合开关的方法需要半导体材料层的一系列重新构形。首先,建立基础构件,其中半导体层被安置在绝缘体材料层上,所述绝缘体材料层被安置在半导体层和半导体衬底之间。按次序,利用第一蚀刻,所述半导体层被蚀刻以在狭槽的两侧建立波导。在第二蚀刻中,所述狭槽被加深以在狭槽中暴露绝缘体材料层。利用第三接触垫掺杂处理,垫可以被安置在绝缘体材料层上使得与所述相应波导电接触,金属接触器可以随后被置于接触垫上,所述狭槽可由光电聚合物填充,并且在需要时所述聚合物可以被极化。
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公开(公告)号:CN106794767A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201580054512.9
申请日:2015-10-05
申请人: 大陆汽车有限责任公司
CPC分类号: G02F1/0018 , B60K35/00 , B60K37/02 , B60K2350/1064 , B60K2350/2017 , B60K2350/2039 , B60K2350/2043 , B60K2350/2086 , B60K2350/2095 , B60K2350/96 , G02F1/1335 , G02F1/133711 , G02F1/13471 , G02F2001/0151 , G09F9/00
摘要: 本发明涉及一种具有显示面的显示设备,在该显示面中布置有一个或多个平面的显示区域10、11,这些显示区域10、11被透明的覆件遮盖。单一的透明的覆件3遮盖显示设备的所有平面的显示区域10、11,所述覆件在观察者侧三维构造并具有厚度不同的区域,覆件的背离观察者侧的一侧通过光学粘合剂与平面的显示区域10、1连接。覆件3的材料的折射率与光学粘合剂材料8的折射率相同。
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公开(公告)号:CN106199837A
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201610597341.0
申请日:2016-07-27
申请人: 电子科技大学
CPC分类号: G02B6/29338 , G02F1/0018 , G02F1/011
摘要: 本发明属于集成光学或光通信技术领域,公开了一种基于氟化物波导或硫系玻璃波导的石墨烯中红外光路由器。包括至少一个微环光路由器,所述微环光路由器包括两条相互平行的总线光波导I和总线光波导II,所述的总线光波导I和总线光波导II之间设置有微环,所述微环连接有电极,所述微环的整体或部分区域设置有石墨烯层,设置有石墨烯层的微环从下至上依次包括氟化物波导或硫系玻璃波导层、下隔离层、石墨烯层、上隔离层、氟化物波导或硫系玻璃波导层和包层,所述石墨烯层的一侧延伸到电极的下方。用作实现光路由功能。
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公开(公告)号:CN105874896A
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201480060388.2
申请日:2014-11-03
申请人: 材料视觉有限公司
发明人: 赵胜来
CPC分类号: G02F1/23 , B05D7/04 , B05D7/222 , B05D7/50 , B05D7/544 , B05D7/546 , B29C65/48 , B29C65/62 , B32B33/00 , B32B37/14 , C03C17/001 , E04B1/76 , E04B1/7604 , F16L59/029 , F16L59/14 , F28F13/003 , F28F2265/10 , F28F2270/00 , G02B5/0242 , G02B5/0247 , G02B5/206 , G02B5/208 , G02B5/26 , G02F1/0018 , G02F1/0063 , G02F1/0102 , G02F2201/083 , G02F2201/30 , Y10T428/24967 , Y10T428/249921 , Y10T428/249971 , Y10T428/249975 , Y10T428/25
摘要: 公开了一种能够反射红外线的多层涂覆系统。该多层涂覆系统包括:第1层,其位于衬底上方,并包括:多个球形颗粒物,这些球形颗粒物不规律分布、分离良好、半径为a1,多个分离良好的球形空隙,其半径满足b1>a1,以及填充材料,其折射率为n1,其插入在球形颗粒物和球形空隙之间;以及可以用下述字方程来代表的后续层,“第i层位于第i?1层上方,并包括:多个球形颗粒物,这些球形颗粒物不规律分布、分离良好,半径为ai,多个分离良好的球形空隙,其半径满足bi>ai(其中,bi>bi?1),以及填充材料,其折射率为ni,其插入在球形颗粒物和球形空隙之间”(其中i是大于1的整数)。
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公开(公告)号:CN105624790A
公开(公告)日:2016-06-01
申请号:CN201610114580.6
申请日:2016-03-01
申请人: 南开大学 , 泰山体育产业集团有限公司
CPC分类号: C30B29/30 , C01G33/00 , C01G33/006 , C01P2002/52 , C01P2006/80 , C04B35/495 , C04B35/6261 , C04B35/62675 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3255 , C04B2235/3298 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/9646 , C30B15/10 , C30B15/14 , C30B15/30 , G02F1/0018 , G02F1/3551 , G02F2202/20 , C30B15/00 , G02F1/03 , G02F2/02
摘要: 本发明属于非线性光学晶体技术领域,涉及一种铋镁双掺铌酸锂晶体,其特征在于铌酸锂晶体中同时掺入Bi2O3和MgO,其中[Li]和[Nb]的摩尔比为0.90~1.00。Bi2O3掺入量为0.25~1.00mol%,MgO的掺杂量为3.00~9.00mol%。本发明提供的铋镁双掺铌酸锂晶体的光折变效应增强、灵敏度提高;同时抗光损伤能力也显著提高,并且易于生长;所述晶体可应用于激光频率转换、参量振荡、调Q开关、电光调制、全息存储及全息显示等领域。
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公开(公告)号:CN102687103B
公开(公告)日:2016-04-20
申请号:CN201080059632.5
申请日:2010-10-28
申请人: 伊英克公司
CPC分类号: G02F1/13338 , G02B23/2407 , G02F1/0018 , G02F1/167 , G02F2001/1672 , G02F2001/1676 , G06F3/0412 , G06F3/0416 , G06F3/042 , G06F3/0421 , G06F3/044 , G06F3/045 , G09G3/344 , G09G2300/04 , G09G2354/00
摘要: 一种电光显示器,顺序地包括:透光导电层;固态电光材料层;和具有多个像素电极的背板(162),该背板的周边部分向外延伸出所述固态电光材料层并具有多个辐射生成部件(166)和多个辐射检测部件(168),所述多个辐射生成装置和所述多个辐射检测装置被一起布置作为触摸屏。
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公开(公告)号:CN100418919C
公开(公告)日:2008-09-17
申请号:CN01808268.8
申请日:2001-12-18
申请人: 株式会社村田制作所
IPC分类号: C04B35/00
CPC分类号: C04B35/457 , B32B18/00 , B32B38/0004 , B32B38/145 , B32B2311/06 , C04B35/46 , C04B35/468 , C04B35/48 , C04B35/495 , C04B35/6262 , C04B35/62695 , C04B35/6365 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/6025 , C04B2235/604 , C04B2235/6583 , C04B2235/6585 , C04B2235/6587 , C04B2235/72 , C04B2235/768 , C04B2235/77 , C04B2235/9646 , C04B2235/9653 , C04B2237/408 , C04B2237/50 , C04B2237/704 , G02B1/02 , G02B3/0087 , G02B6/12002 , G02B6/132 , G02B2006/121 , G02F1/0018 , G02F1/055 , H01Q15/02 , Y10S264/91
摘要: 使透光性陶瓷用陶瓷原料粉末和粘结剂一起成形,将所得成形体埋入与上述陶瓷原料粉末组成相同的陶瓷粉末中,以此状态除去粘结剂后,在氧浓度高于除粘结剂时的氧浓度的氛围气中进行烧结处理,获得通式I:Ba[(SnuZr1-u)xMgyTaz]vOw、通式II:Ba(ZrxMgyTaz)vOw、通式III:Ba[(SnuZr1-u)x(ZntMg1-t)yNbz]vOw表示的折射率在1.9以上、且显现常介电性的透光性陶瓷。
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公开(公告)号:CN109477994A
公开(公告)日:2019-03-15
申请号:CN201780046057.7
申请日:2017-07-25
申请人: 斯坦雷电气株式会社
发明人: 平野智也
IPC分类号: G02F1/1506 , G02F1/155
CPC分类号: G02F1/0018 , G02B27/0101 , G02F1/15 , G02F1/17 , G02F2201/12
摘要: 本发明的电化学装置包含:设置为相互面对并在相对的表面上具有电极的第一基板和第二基板,以及电沉积材料,所述电沉积材料夹在第一基板和第二基板之间,含有Ag、中介体、支持电解质和溶剂。而且,本发明的电化学装置的在波长400nm~800nm的可见光范围内的光密度不大于0.1,并且盒厚度为1μm~1000μm。
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公开(公告)号:CN109143618A
公开(公告)日:2019-01-04
申请号:CN201811206553.7
申请日:2018-10-17
申请人: 长江师范学院
CPC分类号: G02F1/0018 , G02F1/0102
摘要: 本发明公开一种太赫兹调制器,包括衬底、缓冲层、绝缘介质层、覆盖层和石墨烯薄膜层,所述衬底的顶部设有开口谐振环阵列,且开口谐振环阵列边缘处的衬底顶部附有缓冲层,所述开口谐振环阵列的上方位置处设有绝缘介质层,所述绝缘介质层的底部镀有覆盖层,所述绝缘介质层的上方设有石墨烯薄膜层;本发明以石墨烯薄膜层为调制材料,相比于传统的超材料,石墨烯的费米能级可以通过电压进行调控,从而对不同频率的太赫兹波产生吸收,实现其对不同频率太赫兹波的调控作用,调制速率高,再结合开口谐振环阵列,改变开口处的载流子浓度,实现对共振强度的协调以控制太赫兹波的传输,增强太赫兹波与石墨烯的相互作用,调制深度更大。
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