公开(公告)号：CN103456722B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310208424.2

申请日：2013-05-30

申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

发明人： 赖大伟

IPC分类号： H01L23/60 ,  H01L29/74

CPC分类号： H01L29/744 ,  H01L27/0262 ,  H01L27/0641 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L29/1012 ,  H01L29/7436

摘要： 本揭露是一种闩锁周全以硅控整流器为基础的设备。实施例包含：提供在硅控整流器的基底中的第一N+区域和第一P+区域；提供在该基底中接近该第一N+和P+区域的第一和第二n井区域；提供在该第一n井区域中的第二N+区域，以及在该第二n井区域中的第二P+区域；以及耦合该第一N+和P+区域至接地轨、该第二N+区域至电源轨、以及该第二P+区域至输入/输出垫。

公开(公告)号：CN102656694A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201080059079.5

申请日：2010-12-14

申请人： ABB技术有限公司

发明人： M.拉希莫

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/74 ,  H01L29/744

CPC分类号： H01L29/74 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/102 ,  H01L29/744

摘要： 具有四层npnp结构以及阴极侧(11)和相对阴极侧(11)设置的阳极侧(12)的功率半导体器件(1)可经由栅极电极(4)关断。这些层按如下顺序设置在阴极侧(11)上的阴极电极(2)与阳极侧(12)上的阳极电极(3)之间：-具有中心区域的第一导电类型的阴极层(5)，中心区域由横向边缘包围，该阴极层(5)与阴极电极(2)直接电接触；-第二导电类型的基极层(6)；-第一导电类型的漂移层(7)，其中漂移层(7)具有比阴极层(5)更低的掺杂浓度；以及-第二导电类型的阳极层(8)，其与阳极电极(3)电接触。栅极电极(4)设置在阴极侧(11)上且横向于阴极电极(2)，并且栅极电极(4)与基极层(6)电接触。基极层(6)包括至少一个第一层(61)作为连续层，其接触阴极层(5)的中心区域。降低阴极层(5)的横向边缘与基极层(6)之间的结处电阻的电阻降低层(10,10',10")设置在第一层(61)与阴极层(5)之间并覆盖阴极层(5)的横向边缘，该电阻降低层(10,10',10")属于第二导电类型(10')并且具有比第一层(61)更高的掺杂浓度，或者该电阻降低层属于第一导电类型(10")并且具有比阴极层(5)更低但比漂移层(7)更高的掺杂浓度。

公开(公告)号：CN1076876C

公开(公告)日：2001-12-26

申请号：CN95101648.2

申请日：1995-01-28

申请人： 亚瑞亚·勃朗勃威力有限公司

发明人： A·杰克林 ,  E·拉梅扎尼 ,  P·洛格韦勒 ,  A·吕格 ,  T·施托克迈耶 ,  P·施特赖特 ,  J·沃尔德迈耶

IPC分类号： H01L29/744 ,  H01L23/367 ,  H01L21/332

CPC分类号： H01L21/263 ,  H01L29/744 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种用片状半导体制成的可关断半导体器件，该半导体器件a)至少具有一个GTO-晶闸管-单元或者GTO-晶闸管(GTO)，它至少具有一个阳极单元或者一个阳极(A)，至少一个阴极单元或者一个阴极(K)和至少一个控制电极单元或者一个控制电极(G)，其特征在于，b)在半导体边缘区至少设有一个有散热单元金属化层(13)的散热单元(15)，和c)在此散热单元金属化层(13)下面设有一个电绝缘层(14)。

公开(公告)号：CN109643909A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780053526.8

申请日：2017-08-25

申请人： 赖茵豪森机械制造公司

发明人： A·加夫里洛夫 ,  M·克鲁斯卡 ,  A·赖希

IPC分类号： H02J9/06

CPC分类号： H02J9/062 ,  H01L29/744 ,  H02J2009/068 ,  H03K17/79

摘要： 本发明涉及一种用于借助于用于无中断供电的设备(10)来控制无中断的供电的方法，其中所述设备(10)包括：第一接线端(101)，所述第一接线端能够与交流电源连接；第二接线端(102)，所述第二接线端能够与交流用电器连接；开关(11)，包括：第一开关接线柱(111)，所述第一开关接线柱与第一接线端连接；第二开关接线柱(112)，所述第二开关接线柱与第二接线端连接；第一晶闸管(113)，所述第一晶闸管连接在所述开关接线柱之间；第二晶闸管(114)，所述第二晶闸管与第一晶闸管反并联地连接在所述开关接线柱之间；所述设备还包括：蓄能器(12)；逆变器(13)，所述逆变器与第二接线端和蓄能器连接；其中，检测流动通过所述开关的开关电流；-检测施加在第一接线端上的第一电势；在第一故障情况下，第一电势的数值降低，第一电势的瞬时值违反预先规定的第一许可规则，并且开关电流的数值升高，使得开关电流的瞬时值违反预先规定第二许可规则，在所述第一值故障情况下；借助于逆变器调整施加在第二开关接线柱上的第二电势，使得将开关电流推动到零；在调整第二电势之后，检查开关电流，其方式是：直到在调整第二电势之后的预先规定的第一检查时刻之前，检测开关电流的数值并将其与预先规定的阈值进行比较，在超过该阈值时，将第一检查结果评价为肯定的，否则评价为否定的；在存在肯定的第一检查结果时，使第二电势反转；在存在否定的第一检查结果时，在与第一检查时刻同时或在第一检查时刻之后的第二检查时刻检测开关电流并将其与零比较，并且在存在与零的偏差时将第二检查结果评价为肯定的，否则评价为否定的；在存在肯定的第二检查结果时，使第二电势反转。

公开(公告)号：CN107104099A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710093623.1

申请日：2017-02-21

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 池田益英

IPC分类号： H01L27/02

CPC分类号： H02H9/046 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0259 ,  H01L27/0262 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/0635 ,  H01L27/0647 ,  H01L29/45 ,  H01L29/744 ,  H01L29/866 ,  H01L27/0296

摘要： 本申请涉及一种静电保护电路、半导体集成电路装置以及电子设备。该静电保护电路能够将保持电压设定为较高，并在不于被串联连接的多个电路模块上并联连接电阻元件的条件下，高精度地防止电源刚接通之后的被保护电路的损坏，并且防止长时间的通常动作下的保护器件的损坏或劣化。该静电保护电路具备被串联连接于第一节点与第二节点之间的多个电路模块，多个电路模块内的至少一个电路模块包括具有与该电路模块的一端连接的阳极以及与该电路模块的另一端连接的阴极的晶闸管。当在通常动作时第一节点的电位高于第二节点的电位时，多个电路模块内的其他的电路模块的两端间的电压小于晶闸管的阳极与阴极之间的电压。

公开(公告)号：CN105723499A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201480062114.7

申请日：2014-09-02

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 滨田宪治 ,  今泉昌之

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L29/6606 ,  H01L21/046 ,  H01L21/322 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/744 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/868

摘要： 本发明提供能够降低导通电阻的半导体装置的制造方法。本发明在基板(11)上形成漂移层(12)。另外，在漂移层表面形成离子注入层(13)。另外，在漂移层内形成剩余碳区域(31)。另外，对漂移层进行加热。在形成剩余碳区域的情况下，在比离子注入层和漂移层的界面深的区域中形成剩余碳区域。在对漂移层进行加热的情况下，激活离子注入层的杂质离子而形成激活层(113)，使晶格间碳原子扩散到激活层侧。

公开(公告)号：CN100369196C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN02818719.9

申请日：2002-09-24

申请人： 克里公司

发明人： 约瑟夫·J·舒马克拉斯 ,  兰博·辛格 ,  迈克·詹姆斯·佩斯雷 ,  斯蒂芬·乔治·穆勒 ,  哈德森·M·霍布古德 ,  小卡尔文·H·卡特 ,  小阿尔博特·奥古斯塔斯·伯克

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/861 ,  H01L29/73 ,  H01L29/74

CPC分类号： H01L29/1608 ,  C30B19/00 ,  C30B23/002 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/732 ,  H01L29/744 ,  H01L29/861

摘要： 一种双极器件(30)，具有至少一层单晶碳化硅p型层(34)和至少一层单晶碳化硅n型层(33)，其中在正向工作下生长的那些堆垛层错(40)的那些部分至少与有源区和器件剩余部分之间的界面之一分隔开。

公开(公告)号：CN1040266C

公开(公告)日：1998-10-14

申请号：CN95116824.X

申请日：1995-09-01

申请人： 亚瑞亚.勃朗勃威力有限公司

发明人： F·鲍尔 ,  S·艾兴尔

IPC分类号： H01L29/745

CPC分类号： H01L29/744 ,  H01L29/0834

摘要： 本发明提出一种GTO，此种GTO从阳极一侧主平面(2)起包括一个阳极发射区(6)、一个抑止层(11)、一个n-基区(7)、一个P-基区(8)和一个阴极发射区(9)。阳极发射区(6)制成透明发射区并且具有阳极短路区(10)。借助抑止层、透明阳极发射区和阳极短路区的组合得到一种GTO，它可以在较高的开关频率下工作，其基片厚度可以减小而其开关损耗并不增加。

公开(公告)号：CN1111034A

公开(公告)日：1995-11-01

申请号：CN95101648.2

申请日：1995-01-28

申请人： ABB管理有限公司

发明人： A·杰克林 ,  E·拉梅扎尼 ,  P·洛格韦勒 ,  A·吕格 ,  T·施托克迈耶 ,  P·施特赖特 ,  J·沃尔德迈耶

IPC分类号： H01L21/332 ,  H01L29/74

CPC分类号： H01L21/263 ,  H01L29/744 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种用片状半导体制成的可关断半导体器件，该半导体器件a)至少具有一个GTO-晶闸管-单元或者GTO-晶闸管(GTO)，它至少具有一个阳极单元或者一个阳极(A)，至少一个阴极单元或者一个阴极(K)和至少一个控制电极单元或者一个控制电极(G)，其特征在于，b)在半导体边缘区至少设有一个有散热单元金属化层(13)的散热单元(15)，和c)在此散热单元金属化层(13)下面设有一个电绝缘层(14)。

公开(公告)号：CN88100671A

公开(公告)日：1988-09-28

申请号：CN88100671

申请日：1988-02-24

申请人： BBC勃朗·勃威力有限公司

发明人： 安德烈·杰克林 ,  彼得·洛韦勒 ,  鲁道夫·法伊特茨 ,  托马斯·弗拉萨克

IPC分类号： H01L29/60 ,  H01L29/10 ,  H01L29/74 ,  H01L29/36

CPC分类号： H01L29/42308 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/36 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/744 ,  H01L2924/10157

摘要： 在由若干个单一元件并列和并联、其控制接点与一共同的控制引线相连，这样组成的大功率可控半导体元件中，对控制引线和控制触点之间不同的线路电阻进行补偿，而使各单一元件的负载相同。可供选择的解决方法是，在GTO可控硅元件上，通过在栅极接点(5)和n发射极(2)之间对P基极(3)的栅沟电阻(RG)进行调整而达到补偿。