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公开(公告)号:CN108428686B
公开(公告)日:2021-12-07
申请号:CN201810145752.5
申请日:2018-02-12
申请人: 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号: H01L23/488 , H01L23/58
摘要: 公开了一种包括在封装件内的开关的开关装置和用于设计开关装置的方法。在开关的负载端子和封装件的第一引脚之间设置有第一电连接,并且在开关的负载端子和封装件的第二引脚之间设置有至少部分地不同于第一电连接的第二电连接。第二引脚不同于第一引脚。
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公开(公告)号:CN108428686A
公开(公告)日:2018-08-21
申请号:CN201810145752.5
申请日:2018-02-12
申请人: 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号: H01L23/488 , H01L23/58
CPC分类号: H03K17/687 , G06F17/5036 , H01L24/48 , H01L2924/13091
摘要: 公开了一种包括在封装件内的开关的开关装置和用于设计开关装置的方法。在开关的负载端子和封装件的第一引脚之间设置有第一电连接,并且在开关的负载端子和封装件的第二引脚之间设置有至少部分地不同于第一电连接的第二电连接。第二引脚不同于第一引脚。
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公开(公告)号:CN103700650B
公开(公告)日:2017-06-09
申请号:CN201310317338.5
申请日:2013-07-25
申请人: 英飞凌科技奥地利有限公司
发明人: 约阿希姆·魏尔斯 , 凯夫尼·布埃越克塔斯 , 弗朗茨·赫尔莱尔 , 安东·毛德
CPC分类号: H01L28/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 本发明公开了半导体元件和制造半导体元件的方法,其中一方面涉及一种具有半导体主体的半导体元件,其中半导体主体具有顶面和底面。单片集成于半导体主体的第一线圈布置在远离底面的位置和包含N个第一绕组,其中N≥1。第一线圈具有在不同于底面的表面法线的方向延伸的第一线圈轴。
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公开(公告)号:CN103579325B
公开(公告)日:2016-12-28
申请号:CN201310349620.1
申请日:2013-08-12
申请人: 英飞凌科技奥地利有限公司
发明人: 安东·毛德 , 赖因哈德·普洛斯 , 汉斯-约阿希姆·舒尔茨
IPC分类号: H01L29/772 , H01L21/335
CPC分类号: H01L29/4236 , H01L21/2225 , H01L21/2251 , H01L21/2254 , H01L21/2255 , H01L21/2257 , H01L21/28079 , H01L21/30604 , H01L21/324 , H01L21/3247 , H01L21/743 , H01L23/36 , H01L24/05 , H01L29/0653 , H01L29/0657 , H01L29/0878 , H01L29/1079 , H01L29/167 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/456 , H01L29/4958 , H01L29/66333 , H01L29/66348 , H01L29/66666 , H01L29/66712 , H01L29/66734 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7802 , H01L29/7813 , H01L29/7827 , H01L2224/05009 , H01L2224/05078 , H01L2224/0557 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要: 本发明公开了半导体衬底中包含沟槽的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体衬底。第一沟槽从第一侧延伸入或穿过该半导体衬底。半导体层在该第一侧邻接该半导体衬底。该半导体层在该第一侧覆盖该第一沟槽。该半导体器件进一步包括在该半导体衬底的与该第一侧相反的第二侧处的接触体。
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公开(公告)号:CN103700650A
公开(公告)日:2014-04-02
申请号:CN201310317338.5
申请日:2013-07-25
申请人: 英飞凌科技奥地利有限公司
发明人: 约阿希姆·魏尔斯 , 凯夫尼·布埃越克塔斯 , 弗朗茨·赫尔莱尔 , 安东·毛德
CPC分类号: H01L28/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 本发明公开了半导体元件和制造半导体元件的方法,其中一方面涉及一种具有半导体主体的半导体元件,其中半导体主体具有顶面和底面。单片集成于半导体主体的第一线圈布置在远离底面的位置和包含N个第一绕组,其中N≥1。第一线圈具有在不同于底面的表面法线的方向延伸的第一线圈轴。
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公开(公告)号:CN102800702A
公开(公告)日:2012-11-28
申请号:CN201210151465.8
申请日:2012-05-15
申请人: 英飞凌科技奥地利有限公司
CPC分类号: H01L27/088 , H01L29/0607 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/1095 , H01L29/41766 , H01L29/7803 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/7831 , H03K2217/0036
摘要: 本发明涉及半导体器件和包括该半导体器件的集成电路。该半导体器件包括源极金属化物和半导体本体。半导体本体包括第一场效应结构,该第一场效应结构包括电耦接至源极金属化物的第一导电类型的源区。半导体本体还包括第二场效应结构,该第二场效应结构包括电耦接至源极金属化物的第一导电类型的源区。包括在半导体本体中的半导体区的电压抽头通过中间反相器结构电耦接至第一场效应结构的第一栅电极。
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公开(公告)号:CN107800414B
公开(公告)日:2021-06-08
申请号:CN201710795576.5
申请日:2017-09-06
申请人: 英飞凌科技奥地利有限公司
发明人: 安东·毛德 , 奥利弗·黑尔蒙德 , 彼得·伊尔西格勒 , 塞巴斯蒂安·施密特 , 汉斯-约阿希姆·舒尔策 , 马丁纳·赛德尔-施密特
IPC分类号: H03K17/081 , H03K17/567
摘要: 提供了开关器件和用于控制开关的方法,其中,根据操作状况的指定范围内的操作状况来设定晶体管器件的控制端子电阻。
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公开(公告)号:CN109473950A
公开(公告)日:2019-03-15
申请号:CN201811038302.2
申请日:2018-09-06
申请人: 英飞凌科技奥地利有限公司
IPC分类号: H02H7/10
摘要: 公开了一种用于在导通期间保护功率开关的方法和电路。该方法包括:感测通过功率开关的电流的变化处于调节中;测量通过功率开关的电流的变化处于调节中的时间;以及将通过功率开关的电流的变化处于调节中的时间与参考时间进行比较。如果通过功率开关的电流的变化处于调节中的时间超过参考时间,则生成可用于禁用功率开关的过电流信号。
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公开(公告)号:CN107800414A
公开(公告)日:2018-03-13
申请号:CN201710795576.5
申请日:2017-09-06
申请人: 英飞凌科技奥地利有限公司
发明人: 安东·毛德 , 奥利弗·黑尔蒙德 , 彼得·伊尔西格勒 , 塞巴斯蒂安·施密特 , 汉斯-约阿希姆·舒尔策 , 马丁纳·赛德尔-施密特
IPC分类号: H03K17/081 , H03K17/567
CPC分类号: H03K17/567 , H03K17/0822 , H03K17/14 , H03K17/168 , H03K2217/0063 , H03K2217/0072 , H03K17/081 , H03K2017/0806
摘要: 提供了开关器件和用于控制开关的方法,其中,根据操作状况的指定范围内的操作状况来设定晶体管器件的控制端子电阻。
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公开(公告)号:CN103515383B
公开(公告)日:2017-08-25
申请号:CN201310237138.9
申请日:2013-06-14
申请人: 英飞凌科技奥地利有限公司
发明人: 弗朗茨·赫尔莱尔 , 安东·毛德 , 安德烈亚斯·迈塞尔 , 汉斯-约阿希姆·舒尔茨
IPC分类号: H01L27/06 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L21/822 , H03K17/567
CPC分类号: H02M7/539 , H01L27/0629 , H01L29/0878 , H01L29/32 , H01L29/404 , H01L29/7397 , H01L29/7804 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/861 , H02M3/155 , Y10T307/25
摘要: 本发明提供了一种有半导体本体的单片集成的功率半导体器件。半导体本体有第一和第二区域,其分别从本体的第一表面延伸直至半第二表面,第一表面的法线方向定义了垂直方向。在第一区域中形成的功率场效应晶体管结构有本体的第一表面上的第一负载接口和第二表面上的第二负载接口。第二区域中形成的功率二级管有在本体的第一表面上的第一负载接口和第二表面上的第二负载接口,功率场效应晶体管结构的第二负载接口和功率二级管的第二负载接口由共同的负载接口构成。至少一个边缘闭合结构与第一表面相邻且在水平方向上在功率场效应晶体管结构的第一负载接口和功率二级管的第一负载接口之间。本发明还涉及集成的功率半导体器件和斩波电路的制造方法。
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