公开(公告)号：CN102956448B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201210281066.3

申请日：2012-08-08

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： 彼得·伊尔西格勒 ,  托马斯·奈德哈特 ,  京特·沙格尔 ,  汉斯-约阿希姆·舒尔茨

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/304 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L21/02664 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3063 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66712

摘要： 本发明涉及一种用于制造半导体装置的方法。在此，通过半导体本体（100）的第一侧面（101）向半导体本体（100）内注入掺杂物。然后在该半导体本体（100）的第一侧面（101）上形成漂移区层（110）。然后从与半导体本体（100）的第一侧面（101）相对置的第二侧面（102）对该半导体本体（100）进行材料去除，直至由掺杂物定义的pn过渡区，或者说由pn过渡区延展得出的空间电荷区，或者由掺杂物定义的掺杂物集中区。

公开(公告)号：CN103515202A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310219811.6

申请日：2013-06-04

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： 彼得·伊尔西格勒 ,  汉斯-约阿希姆·舒尔茨

IPC分类号： H01L21/223 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/66712 ,  H01L21/2236 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/157 ,  H01L29/158 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811

摘要： 本发明涉及半导体器件及半导体器件的制造方法。该半导体器件的制造方法包括在半导体本体中形成沟槽。所述方法进一步包括通过等离子体掺杂来经由沟槽的侧壁掺杂半导体本体的一部分。

公开(公告)号：CN107800414B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201710795576.5

申请日：2017-09-06

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： 安东·毛德 ,  奥利弗·黑尔蒙德 ,  彼得·伊尔西格勒 ,  塞巴斯蒂安·施密特 ,  汉斯-约阿希姆·舒尔策 ,  马丁纳·赛德尔-施密特

IPC分类号： H03K17/081 ,  H03K17/567

摘要： 提供了开关器件和用于控制开关的方法，其中，根据操作状况的指定范围内的操作状况来设定晶体管器件的控制端子电阻。

公开(公告)号：CN107800414A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710795576.5

申请日：2017-09-06

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： 安东·毛德 ,  奥利弗·黑尔蒙德 ,  彼得·伊尔西格勒 ,  塞巴斯蒂安·施密特 ,  汉斯-约阿希姆·舒尔策 ,  马丁纳·赛德尔-施密特

IPC分类号： H03K17/081 ,  H03K17/567

CPC分类号： H03K17/567 ,  H03K17/0822 ,  H03K17/14 ,  H03K17/168 ,  H03K2217/0063 ,  H03K2217/0072 ,  H03K17/081 ,  H03K2017/0806

摘要： 提供了开关器件和用于控制开关的方法，其中，根据操作状况的指定范围内的操作状况来设定晶体管器件的控制端子电阻。

公开(公告)号：CN103515202B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310219811.6

申请日：2013-06-04

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： 彼得·伊尔西格勒 ,  汉斯-约阿希姆·舒尔茨

IPC分类号： H01L21/223 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/66712 ,  H01L21/2236 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/157 ,  H01L29/158 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811

摘要： 本发明涉及半导体器件及半导体器件的制造方法。该半导体器件的制造方法包括在半导体本体中形成沟槽。所述方法进一步包括通过等离子体掺杂来经由沟槽的侧壁掺杂半导体本体的一部分。

公开(公告)号：CN102956448A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210281066.3

申请日：2012-08-08

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： 彼得·伊尔西格勒 ,  托马斯·奈德哈特 ,  京特·沙格尔 ,  汉斯-约阿希姆·舒尔茨

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/304 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L21/02664 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3063 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66712

摘要： 本发明涉及一种用于制造半导体装置的方法。在此，通过半导体本体（100 ）的第一侧面（101）向半导体本体（100）内注入掺杂物。然后在该半导体本体（100 ）的第一侧面（101 ）上形成漂移区层（110）。然后从与半导体本体（100 ）的第一侧面（101）相对置的第二侧面（102 ）对该半导体本体（100 ）进行材料去除，直至由掺杂物定义的pn过渡区，或者说由pn过渡区延展得出的空间电荷区，或者由掺杂物定义的掺杂物集中区。