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公开(公告)号：CN116121846B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202211659874.9
申请日：2022-12-22
申请人： 西北工业大学
摘要： 本发明公开了一种液固双相多模式超声场全域调控材料定向凝固装置及方法，其装置包括真空室、超声系统、加热系统、冷却系统和运动系统；超声系统包括上变幅杆、下变幅杆、上换能器、下换能器和超声电源系统；其方法包括步骤：一、根据对材料定向凝固的超声场调控需求选取传声方式，并根据传声方式装载合金胚料和坩埚、设置超声系统的振动参数；二、真空室气氛控制；三、合金胚料温度与位置初始化；四、超声场下的定向凝固；五、定向凝固结束，卸载样品。本发明将定向凝固的界面逐层推进控制的优势与超声结合，突破了传统定向凝固仅有的生长速度参数和温度梯度参数，实现了对界面生长形态以及最终凝固组织与性能的丰富、有效调制。
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公开(公告)号：CN112359416A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011048896.2
申请日：2020-09-29
申请人： 常州机电职业技术学院 , 苏州策马机电科技有限公司
摘要： 本发明涉及芯片加工技术领域，具体公开了一种芯片制备用的层叠式硅晶棒制造设备,包括铸造炉筒座、压铸机构、封盖与震动加热套，所述铸造炉筒座的中间设有中间筒，且在中间筒的上端固定连通有锥面结构的导液斗，所述导液斗的上端固定连通有腔体结构的缓冲室，所述缓冲室的顶部设有电缸安装座，所述压铸机构固定安装在电缸安装座的上端；本发明中，通过压铸机构对中间筒内硅熔液进行压铸，增强了硅晶棒内的整体强度，可以满足高强度设备中对半导体材料的强度需求；本发明中，采用震动加热套与压铸机构配合制备，生产出的硅晶棒内各层次之间的结合度较致密，改善横截面的抗剪切能力，同时还提高了整个硅晶棒的制备效率。
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公开(公告)号：CN112251813A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011187018.9
申请日：2020-10-30
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开了一种运用多物理场耦合辅助石膏制备硫酸钙晶须的方法，其特征在于：常温下，石膏原材料采用电磁强化除杂纯化，在超声作用下用质量浓度1%~5%的稀硫酸调节pH至1~2后，添加转晶剂，在超声作用下混合均匀，然后施加多物理场，在多物理场的耦合作用下让不同的石膏晶体类型转化为α‑石膏晶体并刺激硫酸钙晶须的生长，最后静置8~12h待晶须析出后，取出干燥，即得硫酸钙晶须；本发明制得的硫酸钙晶须长径比高达100~150，晶须生长速度快，且晶须生长整齐、粒径均匀，长度、长径比可控，而且生产成本低、污染小、能耗低、产率高，本发明合制备工艺简单、不需要高温制备，制备成本大幅度降低。
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公开(公告)号：CN111809227A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010526340.3
申请日：2020-06-09
申请人： 四川大学 , 广东正信硬质材料技术研发有限公司
摘要： 本发明提供的制备多孔单晶金刚石的方法，将金刚石晶种作为生长基体，金刚石粉晶和金属触媒粉的混合物包裹金刚石晶种后密封成型，在处于金刚石稳定区的高温高压条件下，金刚石粉晶在熔态触媒环境中通过调整晶向，以金刚石晶种作为基体进行定向附着生长，金属触媒降低晶体生长所需的温度与压力条件，为金刚石粉晶的定向附着提供合适的环境，增加金刚石的生长速率。随着金刚石晶种的生长，由于生长速率快、金刚石粉晶相互之间及与晶种基体附着贴合处存在空隙和其他缺陷，晶种长大后，通过酸洗和振动撞击除去未参与生长的金刚石粉晶与金属触媒即得到多孔单晶金刚石。
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公开(公告)号：CN103540995B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310483209.3
申请日：2013-10-15
申请人： 东华大学
摘要： 本发明涉及一种液相合成锗纳米线的方法，包括：GeI4作为锗源溶解于油胺中，加入金纳米粒子作为催化剂，在无水无氧、320-350℃的条件下反应，用乙醇或正己烷离心、洗涤三次后，在真空干燥箱中室温下干燥，得到锗纳米线。本发明不同于传统的固相法——化学气相沉积，其合成温度低，工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN102899724B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201210339878.9
申请日：2012-09-13
申请人： 江苏有能光电科技有限公司
发明人： 吕铁铮
摘要： 本发明公开了一种消除蓝宝石晶体生长过程中气泡的方法，它是在蓝宝石晶体生长过程中，加载超声波，超声波的频率不低于230kHz。本发明提供的方法可以有效去除蓝宝石晶体生长过程中的气泡，且操作简单，成本低廉，有较强的工业应用价值。
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公开(公告)号：CN105506731A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510899270.5
申请日：2015-12-09
申请人： 上海超硅半导体有限公司
摘要： 本发明技术是一种单晶硅生长氧含量控制技术。在石英坩埚底部采用一个与坩埚外径以及外形匹配相同的环形振荡源，振荡源环产生一个纵向正弦振荡波，从坩埚的底部传入到熔体中，传播方向为垂直向上的直线传播。振荡波传输到熔体中，对坩埚周围的高温硅熔体产生空化作用、搅拌作用和纵向流动作用，在坩埚壁附近区域形成向上的流动，加速高浓度区的氧向熔体自由表面流动，同时降低熔体中的Si-O气体的溶解度，促进Si-O在熔体表面的挥发。从而达到控制硅单晶中氧浓度的作用。
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公开(公告)号：CN103540995A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310483209.3
申请日：2013-10-15
申请人： 东华大学
摘要： 本发明涉及一种液相合成锗纳米线的方法，包括：GeI4作为锗源溶解于油胺中，加入金纳米粒子作为催化剂，在无水无氧、320-350℃的条件下反应，用乙醇或正己烷离心、洗涤三次后，在真空干燥箱中室温下干燥，得到锗纳米线。本发明不同于传统的固相法——化学气相沉积，其合成温度低，工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN118668287A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410946200.X
申请日：2024-07-15
申请人： 青岛海泰光电技术有限公司
摘要： 本发明提供一种超声波辅助提拉法生长翠绿宝石晶体的方法和系统。将原料加热熔化；待原料开始进入熔融状态后，对原料腔引入超声波，此时超声波频率为第一振动频率；待原料完全熔化后，将籽晶移动到原料的上方靠近原料液面的位置，旋转籽晶，预热籽晶；将超声波频率降低为第二振动频率，将籽晶下降至原料内，开始提拉晶体生长；晶体生长结束后，关闭超声波。本发明采用超声波辅助生长晶体，可以改善晶体原料熔体的混合和传热性能，加速固液界面的对流，有助于生长界面的排杂，抑制固液界面处包裹体、气泡的形成，提高晶体的光学质量和利用率，具有生长速度可控、生长尺寸大、重复性好的优点，适合工业化生产翠绿宝石晶体。
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公开(公告)号：CN116516486B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310797410.2
申请日：2023-07-03
摘要： 本发明涉及一种碳化硅晶体生长中抑制表面台阶粗化的方法，所述方法包括如下步骤：（1）加热硅原料与助溶剂，得到硅合金溶液；（2）将籽晶的底面接触步骤（1）所得硅合金溶液，使碳化硅晶体在所述籽晶的底面生长；在所述碳化硅晶体的生长过程中，对靠近碳化硅晶体生长面的硅合金溶液进行高频振动处理。本发明通过在碳化硅晶体的生长过程中对硅合金溶液施加高频振动，进而提高了传输到碳化硅晶体生长面的台阶前沿的C溶质量，使得台阶沿宽度方向持续生长，从而抑制了碳化硅晶体生长过程中的台阶粗化。
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