公开(公告)号：CN118553583A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202411027827.1

申请日：2024-07-30

申请人： 无锡邑文微电子科技股份有限公司 ,  江苏邑文微电子科技有限公司

发明人： 孙文彬 ,  戴建波

IPC分类号： H01J37/18 ,  H01L21/04 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

摘要： 本发明公开了一种碳化硅晶圆等离子蚀刻设备及方法，其涉及半导体蚀刻技术领域，包括壳体，其底部安装有多个万向轮；保温组件，固定在所述壳体内；蚀刻组件，固定在所述保温组件内，且其内部通过外部上料设备放置有晶圆；主进气管，一端贯穿所述壳体和保温组件与蚀刻组件相连通，另一端与外部供气设备相连通；密封盖，铰接在所述壳体上，用于对蚀刻组件密封；本发明通过保温组件能够降低蚀刻组件的温度流失速度，从而确保蚀刻组件内的温度的稳定性，并且通过蚀刻组件能够对晶圆进行多种形式的蚀刻，提高蚀刻的效率和精确度。

公开(公告)号：CN118431053A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410391163.0

申请日：2024-04-02

申请人： 无锡纳斯凯半导体科技有限公司

发明人： 余学鹏 ,  张金霞 ,  崔树静 ,  王宁 ,  李冰 ,  盛昊阳 ,  连婷

IPC分类号： H01J37/26 ,  H01J37/18

摘要： 一种不使用扫描电镜的双束离子束显微镜设备及其实现方法，包括电子显微镜主体、气体载入系统GIS和FIB镜筒，FIB镜筒垂直在电子显微镜主体的水平面上，并通过接口装置与电子显微镜主体连接固定；气体载入系统GIS设置在FIB镜筒前端并通过角度接口装置与电子显微镜主体连接固定，气体载入系统GIS通过角度接口装置调整气体载入系统GIS与FIB镜筒的相对位置与角度；在电子显微镜主体的前端位置还设置有通用接口装置；将SEM镜筒去除使样品台附近具有更多额外空间，实现对带引脚的封装芯片进行良好的原位开盖加工；FIB镜筒通过接口装置安装，中间信号盒将SEM镜筒的开路信号导通，实现仪器的正常运行，通过通用接口装置实现更精确观测的红外显微镜或激光显微镜的检测。

公开(公告)号：CN118366838A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202310217993.7

申请日：2023-03-08

申请人： 深圳子柒科技有限公司

发明人： 何兰玉 ,  罗富峰 ,  赖福业 ,  汪太年

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01J37/18

摘要： 本发明属于等离子表面处理技术，尤其涉及一种真空等离子体处理装置及其控制方法，所述真空等离子体处理装置包括机架，设置于机架上的真空室以及控制组件；所述真空室设置有密封门，密封门朝向真空室的一侧设置有密封条，真空室内设置有放置架以及等离子体发生组件，所述等离子体发生组件用于使通入的选定气体形成等离子体，所述等离子体发生组件包括电离组件以及供气组件；所述真空室的背面设置有真空组件，所述真空组件用于使真空室内形成真空环境；所述控制组件用于所述等离子体发生组件以及所述真空组件的工作控制。本发明设置密封门及真空组件可以得到稳定的真空环境，由电离组件及供气组件产生的配合产生等离子体对产品进行表面处理。

公开(公告)号：CN117912919A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311749374.9

申请日：2023-12-19

申请人： 杭州大和热磁电子有限公司

发明人： 姚南 ,  谢如应 ,  陈军 ,  任雪堂

IPC分类号： H01J37/075 ,  C23C14/30 ,  H01J37/063 ,  H01J37/065 ,  H01J37/18

摘要： 本发明提出一种超高真空电子束发射装置，包括基体组件和磁场组件，所述基体组件中部设有灯丝块组件，所述灯丝组件包括灯丝，所述灯丝通过灯丝夹固定安装在阴极块上端，所述阴极块正面底端连接导电片，所述阴极块正面顶部设有发射口，所述阴极块背面连接有绝缘块，所述绝缘块通过固定块固定在阳极块上，阳极块顶部有阳极板，本发明将灯丝块隐藏安装，并优化阴阳极块及磁场设置，以获得更高能量的蒸发粒子。同时使用特殊的密封形式与材料让装置能在超高真空下使用。

公开(公告)号：CN117672788A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311364455.7

申请日：2023-10-20

申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人： 徐耿钊 ,  刘争晖 ,  张春玉 ,  张珽

IPC分类号： H01J37/18 ,  H01J37/20 ,  H01J37/28

摘要： 本发明公开了一种超高真空互联样品仓，该样品仓包括：超高真空腔体，用于提供超高真空空间；样品承载管体，活动设置于所述超高真空腔体中且样品承载管体的内部与超高真空空间连通，样品承载管体设置有密封的探测窗口且样品承载管体的内部用于承载待测样品；驱动机构，当进行测试时驱动机构用于驱动样品承载管体，以使探测窗口和待测样品伸入至扫描电子显微镜的样品室，探测窗口用于通过扫描电子显微镜产生的探测电子束和待测样品激发的电子束。整个测试过程中待测样品始终与样品室等环境隔离，在实现利用常规扫描电子显微镜进行探测的前提下，保证了待测样品表面的清洁度，也无需采用价格昂贵的超高真空扫描电子显微镜。

公开(公告)号：CN116721904A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310977619.7

申请日：2023-08-04

申请人： 盛吉盛半导体科技(北京)有限公司

发明人： 李景舒 ,  祁广杰 ,  初春 ,  王美玲

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01J37/18 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供一种用于集成电路设备的快速获得高真空度的腔体及方法，其属于集成电路设备技术领域，其中腔体结构包括有冷阱腔体，冷阱腔体内设置有冷阱，冷阱腔体与集成电路设备的工艺腔体相连接；工艺腔体上开设有用于抽真空的排气口，冷阱腔体与排气口相互独立；工艺腔体上设有用于控制与冷阱腔体连通或密封分隔的闸阀。本发明解决了集成电路设备腔体暴露在大气后抽真空时间长的问题，通过冷阱的低温冷凝效应捕集工艺腔体内残余气体，并能够将冷阱与工艺腔体隔绝，从而实现显著缩短抽真空时间，并有助于获得更洁净的真空环境，提升半导体产品的良率。

公开(公告)号：CN116034448A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202180054193.7

申请日：2021-07-27

申请人： 株式会社V技术

发明人： 水村通伸 ,  新井敏成 ,  松本隆德 ,  竹下琢郎

IPC分类号： H01J37/18

摘要： 提供一种聚焦能量束装置，其具备：支承部，其支承被处理基板；以及聚焦能量束柱状体，其具备差动排气装置且能够以与所述被处理基板的被处理面的任意区域对应的方式进行相对移动，其中，所述支承部在将所述被处理基板水平地配置的状态下仅支承所述被处理基板的周缘部，在由所述支承部支承的所述被处理基板的下方配置有正压腔室，所述正压腔室遍及所述被处理基板的被处理区域整体地施加正压，阻止所述被处理基板因自重产生的挠曲，在所述正压腔室内具备局部负压机构，所述局部负压机构维持与所述被处理基板的下表面不接触的状态来施加负压，来抵消所述差动排气装置的吸引力，所述局部负压机构维持隔着该被处理基板而与所述差动排气装置对置的状态，并且能够追随着所述差动排气装置而相对于被处理基板进行相对移动。

公开(公告)号：CN115602512A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202110784277.8

申请日：2021-07-12

申请人： 江苏鲁汶仪器有限公司(CN)

发明人： 李娜 ,  韩大健 ,  王海东 ,  郭颂 ,  刘海洋 ,  张怀东 ,  胡冬冬 ,  许开东

IPC分类号： H01J37/21 ,  H01J37/18 ,  H01J37/305 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  B08B7/00

摘要： 本发明涉及一种等离子体刻蚀装置及其运行工艺，在工艺腔室的内部设计两个遮挡盖，两个遮挡盖合并后形成一个中部完全封闭、上部和底部敞口的漏斗形；遮挡盖连接至气缸，随着气缸同步运动，实现两个遮挡盖之间的开启与关闭。在刻蚀阶段，气缸收缩，带着遮挡盖呈分离状态，不会遮挡晶圆，不会影响晶圆的刻蚀工艺；在清洗阶段：气缸伸长，两个遮挡盖合成一个完整漏斗形，遮挡住晶圆免受刻蚀，不会影响晶圆表面的材料和图形，提高刻蚀均匀性。而且本发明减少了顶针和机械手的来回运动，提高了整体工艺效率，降低了机台故障率，提高设备稳定性，同时根据不同的工艺调节遮挡部的位置，可以灵活的应用于多种工艺场合。

公开(公告)号：CN115083871B

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202210880934.3

申请日：2022-07-26

申请人： 江苏邑文微电子科技有限公司 ,  无锡邑文电子科技有限公司

发明人： 戴建波 ,  孙文彬

IPC分类号： H01J37/18 ,  H01J37/305 ,  H01L21/67 ,  F04D19/04 ,  F04D25/16

摘要： 本发明的实施例提供了一种蚀刻设备和蚀刻方法，涉及半导体技术领域。蚀刻设备包括主反应箱、加热副箱、第一真空系统和第二真空系统；加热副箱和主反应箱连通；第一真空系统包括第一管路和动力泵，第一管路与加热副箱连通，动力泵设于第一管路上，用于将加热副箱和主反应箱抽至第一真空状态；第二真空系统包括第二管路和分子泵，第二管路与加热副箱连通，分子泵设于第二管路上，用于将加热副箱和主反应箱抽至第二真空状态。第一真空系统和第二真空系统分开设计，有利于提高抽真空的效率，同时保护分子泵，提高分子泵的工作稳定性，延长分子泵的使用寿命。

公开(公告)号：CN115136276A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202180015158.4

申请日：2021-02-15

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： M·A·范德凯克霍夫 ,  张景 ,  M·P·C·范赫尤门 ,  P·A·A·M·布鲁斯 ,  王二恒 ,  V·沙玛 ,  M·塞法 ,  傅邵维 ,  S·M·斯科拉里 ,  J·A·H·M·雅各布斯

IPC分类号： H01J37/18 ,  H01J37/20

摘要： 公开了用于将流体传送至带电粒子束系统中的台的装置、系统和方法。在一些实施例中，台可以被配置为固定晶片；腔可以被配置为容纳台；并且管可以被设置在腔中，以在台和腔外部之间传送流体。管可以包括第一材料的第一管状层，其中，第一材料是柔性聚合物；以及第二材料的第二管状层，其中，第二材料被配置为减少流体或气体穿过管的渗透。在一些实施例中，一种系统可以包括位于腔的外部的脱气系统，其中，脱气系统可以被配置为在传送流体进入管之前，从传送流体中去除气体。