公开(公告)号：EP0281917A3

公开(公告)日：1990-08-01

申请号：EP88103157.9

申请日：1988-03-02

申请人： BASF Aktiengesellschaft

发明人： Sterzel, Hans-Josef, Dr.

IPC分类号： C04B35/56

CPC分类号： C04B35/575 ,  C04B35/565 ,  C04B35/573 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/668 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/96

摘要： Kompakte, porenfreie Formkörper aus Siliciumcarbid werden dadurch hergestellt, daß man amorphes Siliciumcarbidpulver ohne Zusatz von Sinterhilfsmitteln bei Temperaturen von 1 400 bis 1 800°C und Drucken von 100 bis 2 000 kp/cm² zu einem kompakten glasigen Formkörper verpresst. In einer anschließenden Stufe wird der so erhaltene glasige Formkörper bei Temperaturen von 1 950 bis 2 200°C in kristallines α-Siliciumcarbid umgewandelt.

摘要翻译： 紧凑型无孔碳化硅模制品是通过在无烧结助剂的情况下压制无定形碳化硅粉末而制备的，该材料在1400至1800℃和100至2000kp / cm 2之间，以产生致密的玻璃状模制品。 在随后的阶段中，所得的玻璃状模制品在1950℃至2200℃下转化为结晶α-碳化硅。

公开(公告)号：EP0281917A2

公开(公告)日：1988-09-14

申请号：EP88103157.9

申请日：1988-03-02

申请人： BASF Aktiengesellschaft

发明人： Sterzel, Hans-Josef, Dr.

IPC分类号： C04B35/56

CPC分类号： C04B35/575 ,  C04B35/565 ,  C04B35/573 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/668 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/96

摘要： Kompakte, porenfreie Formkörper aus Siliciumcarbid werden dadurch hergestellt, daß man amorphes Siliciumcarbidpulver ohne Zusatz von Sinterhilfsmitteln bei Temperaturen von 1 400 bis 1 800°C und Drucken von 100 bis 2 000 kp/cm² zu einem kompakten glasigen Formkörper verpresst. In einer anschließenden Stufe wird der so erhaltene glasige Formkörper bei Temperaturen von 1 950 bis 2 200°C in kristallines α-Siliciumcarbid umgewandelt.

摘要翻译： 紧凑无孔碳化硅模制品是通过在不存在在从1400℃到1800℃，并在100至2000千克力/厘米2，得到致密的，玻璃状的模制品的烧结助剂的压缩非晶碳化硅粉末制造。 在随后的阶段将所得玻璃状模制品被转换成结晶α-硅氧烷，碳化物在从1950°到2200℃

公开(公告)号：EP0012966B1

公开(公告)日：1984-07-04

申请号：EP79105211.1

申请日：1979-12-17

申请人： GENERAL ELECTRIC COMPANY

发明人： Morelock, Charles Robert

IPC分类号： C04B35/56 ,  B24D3/06 ,  B32B5/16 ,  C01B31/36 ,  C04B39/12

CPC分类号： C04B35/52 ,  B24D3/08 ,  B32B18/00 ,  C04B35/532 ,  C04B35/573 ,  C04B35/575 ,  C04B35/5831 ,  C04B35/6269 ,  C04B35/62839 ,  C04B35/62884 ,  C04B35/6316 ,  C04B37/003 ,  C04B37/005 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/3834 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/421 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/427 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/616 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/728 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2237/083 ,  C04B2237/16 ,  C04B2237/361 ,  C04B2237/363 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/61 ,  C04B2237/62

公开(公告)号：EP3301080A1

公开(公告)日：2018-04-04

申请号：EP16191970.9

申请日：2016-09-30

申请人： Saint-Gobain Ceramics and Plastics, Inc.

发明人： Bottiglieri, Stephen ,  Johannessen, Vidar ,  Nahas, Nabil ,  Hartline, Stephen D.

IPC分类号： C04B35/575 ,  C04B35/626 ,  C04B35/628 ,  C04B35/645 ,  C04B35/565

CPC分类号： C04B35/575 ,  C04B35/565 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62807 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/5463 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96

摘要： A body including a first phase comprising silicon carbide, a second phase comprising a metal oxide, the second phase being a discrete intergranular phase located at the grain boundaries of the first phase, and the body has an average strength of at least 700 MPa.

摘要翻译： 本体包括含有碳化硅的第一相，含有金属氧化物的第二相，第二相为位于第一相的晶界处的离散晶间相，并且该本体具有至少700MPa的平均强度。

公开(公告)号：EP1538133B1

公开(公告)日：2018-01-10

申请号：EP04746694.1

申请日：2004-06-23

申请人： IBIDEN CO., LTD.

发明人： KOMORI, Teruo ,  OHNO, Kazushige ,  HONG, sungtae ,  SATO, Hiroki

IPC分类号： C04B35/565 ,  C04B38/00 ,  B01J35/04 ,  F01N3/28

CPC分类号： B01J35/04 ,  C04B35/565 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/63 ,  C04B35/632 ,  C04B35/6365 ,  C04B35/64 ,  C04B35/806 ,  C04B38/0006 ,  C04B2111/00793 ,  C04B2111/0081 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/3834 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5224 ,  C04B2235/5228 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9607 ,  F01N3/0222 ,  F01N3/2828 ,  F01N2330/06 ,  F01N2330/34 ,  F01N2330/48 ,  F01N2450/28 ,  Y02T10/20 ,  Y10T428/24149 ,  Y10T428/24157 ,  Y10T428/24174 ,  Y10T428/24744 ,  C04B38/0074 ,  C04B38/0051

摘要： It is to provide a honeycomb structural body having an excellent durability, which is large in the catching amount of particulates per unit volume and does not cause uneven accumulation of ash and occurrence of cracks or the like even in use for a long period of time, and there is proposed a honeycomb structural body obtained by assembling one or plural porous ceramic members in which two kinds of through-holes consisting of a group of large volume through-holes and a group of small volume through-holes are arranged side by side in the longitudinal direction through partitions and either one ends of these through-holes are plugged, wherein the ceramic member is made of silicon-ceramic composite material consisting of ceramic and silicon.

公开(公告)号：EP2897921B1

公开(公告)日：2017-12-20

申请号：EP13839518.1

申请日：2013-09-19

申请人： The Penn State Research Foundation ,  Consejo Superior De Investigaciones Científicas (CSIC)

发明人： MIRANZO, Pilar ,  OCAL, Carmen ,  OSENDI, Maria, Isabel ,  BELMONTE, Manuel ,  RAMIREZ, Cristina ,  ROMAN-MANSO, Benito ,  GUITIERREZ, Humberto, R. ,  TERRONES, Mauricio

IPC分类号： B82Y30/00 ,  C04B35/64 ,  C04B35/573 ,  C04B35/575 ,  C04B35/577 ,  C04B35/626 ,  C04B35/645 ,  H01B1/18

CPC分类号： C04B35/573 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/575 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/3834 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/78 ,  H01B1/04 ,  H01B1/18

摘要： We provide a method for the in situ development of graphene containing silicon carbide (SiC) matrix ceramic composites, and more particularly to the in situ graphene growth within the bulk ceramic through a single-step approach during SiC ceramics densification using an electric current activated/assisted sintering (ECAS) technique. This approach allows processing dense, robust, highly electrical conducting and well dispersed nanocomposites having a percolated graphene network, eliminating the handling of potentially hazardous nanostructures. Graphene/SiC components could be used in technological applications under strong demanding conditions where good electrical, thermal, mechanical and/or tribological properties are required, such as micro and nanoelectromechanical systems (MEMS and NEMS), sensors, actuators, heat exchangers, breaks, components for engines, armours, cutting tools, microturbines or microrotors.

公开(公告)号：EP3055270A1

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：EP14852865.6

申请日：2014-09-24

申请人： United Technologies Corporation

发明人： LIMARGA, Andi M. ,  SHEEDY, Paul ,  SCHMIDT, Wayde R. ,  BERCZIK, Douglas M. ,  KASHYAP, Tania Bhatia ,  HERMANN, Mark A.

IPC分类号： C04B35/63 ,  C04B35/14 ,  C04B35/64 ,  C04B35/622

CPC分类号： C04B35/571 ,  C04B35/58 ,  C04B35/806 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/427 ,  C04B2235/5244 ,  C04B2235/5288 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/616

摘要： Disclosed is a method for providing a crystalline ceramic material. In an example, the method includes providing a silicon-containing preceramic polymer material that can be thermally converted to one or more crystalline polymorphs. The silicon-containing preceramic polymer material includes dispersed therein an effective amount of dopant particles. The silicon-containing preceramic polymer material is then thermally converted to the silicon-containing ceramic material. The effective amount of dopant particles enhance the formation of at least one of the one or more crystalline polymorphs, relative to the silicon-containing preceramic polymer without the dopant particles, with respect to at least one of formation of a selected polymorph of the one or more crystalline polymorphs formed, an amount formed of a selected polymorph of the one or more crystalline polymorphs formed, and a temperature of formation of the one or more crystalline polymorphs.

摘要翻译： 公开了提供结晶陶瓷材料的方法。 在一个实例中，该方法包括提供可以热转化成一种或多种结晶多晶型物的含硅预陶瓷聚合物材料。 含硅预陶瓷聚合物材料包括分散有效量的掺杂剂颗粒。 然后将含硅预陶瓷聚合物材料热转化成含硅陶瓷材料。 相对于没有掺杂剂颗粒的含硅预陶瓷聚合物，相对于形成所选择的多晶型物的一个或多个结晶多晶型物中的至少一种，掺杂剂颗粒的有效量增强了至少一种， 形成更多的结晶多晶型物，由形成的一种或多种结晶多晶型物的所选多晶型物形成的量以及所述一种或多种结晶多晶型物的形成温度。

公开(公告)号：EP3052455A1

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：EP14798952.9

申请日：2014-09-30

申请人： Saint-Gobain Centre De Recherches Et D'etudes Europeen

发明人： BOUMAHDI, Najih ,  ROULET, Frédéric

IPC分类号： C04B35/597 ,  C04B35/581 ,  C04B35/584 ,  C04B35/101 ,  C04B35/103 ,  C04B35/66

CPC分类号： C04B35/101 ,  C04B35/1015 ,  C04B35/103 ,  C04B35/66 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3869 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/728 ,  C04B2235/764 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9669

摘要： A sintered refractory product consisting of: - a granulate consisting of all the particles having a size larger than 100 μm, or "grains", the granulate representing between 55% and 85% by mass of the product, the maximum size of the grains being smaller than 3.5 mm, and - a matrix binding said grains and consisting of the particles having a size smaller than or equal to 100 μm, or "fine particles", said matrix comprising at least one crystallised SiAlON phase of formula Si
x Al
y O
u N
v , in which - x is greater than or equal to 0, greater than 0.05, greater than 0.1 or greater than 0.2, and less than or equal to 1, less than or equal to 0.8 or less than or equal to 0.4; - y is greater than 0, or greater than 0.1, greater than 0.3 or greater than 0.5, and less than or equal to 1; - u is greater than or equal to 0, greater than 0.1 or greater than 0.2, and less than or equal to 1 or less than or equal to 0.7; - v is greater than 0, greater than 0.1, greater than 0.2 or greater than 0.5, or greater than 0.7, and less than or equal to 1; at least one of stoichiometric indices x, y, u and v being equal to 1, the volume of the fraction of the pores having a size of between 10 and 100 microns being greater than 4% of the total volume of pores.

公开(公告)号：EP2897921A1

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：EP13839518.1

申请日：2013-09-19

申请人： The Penn State Research Foundation ,  Consejo Superior De Investigaciones Científicas

发明人： MIRANZO, Pilar ,  OCAL, Carmen ,  OSENDI, Maria, Isabel ,  BELMONTE, Manuel ,  RAMIREZ, Cristina ,  ROMAN-MANSO, Benito ,  GUITIERREZ, Humberto, R. ,  TERRONES, Mauricio

IPC分类号： C04B35/577 ,  C04B35/64 ,  B82Y30/00

CPC分类号： C04B35/573 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/575 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/3834 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/78 ,  H01B1/04 ,  H01B1/18

摘要： We provide a method for the in situ development of graphene containing silicon carbide (SiC) matrix ceramic composites, and more particularly to the in situ graphene growth within the bulk ceramic through a single-step approach during SiC ceramics densification using an electric current activated/assisted sintering (ECAS) technique. This approach allows processing dense, robust, highly electrical conducting and well dispersed nanocomposites having a percolated graphene network, eliminating the handling of potentially hazardous nanostructures. Graphene/SiC components could be used in technological applications under strong demanding conditions where good electrical, thermal, mechanical and/or tribological properties are required, such as micro and nanoelectromechanical systems (MEMS and NEMS), sensors, actuators, heat exchangers, breaks, components for engines, armours, cutting tools, microturbines or microrotors.

公开(公告)号：EP2789596A1

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：EP14001173.5

申请日：2014-03-28

申请人： FCT Hartbearbeitungs GmbH

发明人： Martin, Walter ,  Wötting, Gerhard, Dr.

IPC分类号： C04B35/575 ,  C04B35/571

CPC分类号： C04B35/571 ,  C04B35/575 ,  C04B35/5755 ,  C04B2235/383 ,  C04B2235/3834 ,  C04B2235/483 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96

摘要： Verfahren zur Herstellung eines keramischen Sinterkörpers auf Basis von Siliziumcarbid durch Herstellung eines Gemischs aus Siliziumcarbid-Pulver und mindestens 45 Gew.-% pulverförmigem pyrolysiertem siliziumorganischem Polymer ("Black Glass") und druckunterstütztem Verdichten des Gemischs bei Temperaturen von 1200°C bis 2500°C in inerter Atmosphäre oder im Vakuum, sowie so erhältliche keramische Sinterkörper, die sich insbesondere dadurch auszeichnen, dass sie mindestens eine kristalline Siliziumcarbid-Phase und eine amorphe Phase, die aus den Elementen Silizium, Kohlenstoff, Sauerstoff und gegebenenfalls Stickstoff aufgebaut ist, sowie eine Dichte von mindestens 93% der theoretischen Dichte, bestimmt mittels Wasserverdrängungsverfahren nach Archimedes, aufweisen, wobei der Anteil an kristalliner Siliziumcarbid-Phase mindestens 25 Gew.-% und der Gehalt an anderen Elementen als Silizium, Kohlenstoff, Sauerstoff und Stickstoff vorzugsweise ≤ 150 ppm beträgt.

摘要翻译： 一种用于通过准备和至少45重量碳化硅粉末的混合物.-粉状热解siliziumorganischem聚合物（“黑色玻璃”），并且在1200℃的温度下该混合物的压力支持的致密化的％至2500℃生产基于碳化硅的陶瓷烧结体过程 在惰性气氛中或在真空中，并且由此获得烧结陶瓷体，特别的特征在于，它们含有至少一种结晶碳化硅相和非结晶相，它是由元素硅，碳，氧，以及任选的氮气，和密度 的至少93％理论密度的，如通过水中置换法根据阿基米德具有，其中结晶硅碳化物相的比例包含至少25重量％，除硅，碳，氧和氮，优选‰¤其他元素的含量为150ppm确定 ，