公开(公告)号：EP0873546A4

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：EP96944483

申请日：1996-12-24

申请人： MAXIM INTEGRATED PRODUCTS

发明人： ENTRIKIN DAVID W ,  JENSEN BRENT R ,  MCCARROLL BENJAMIN J

IPC分类号： G05F1/56 ,  G05F3/22 ,  G05F3/26 ,  G05F3/04 ,  G05F3/08 ,  G05F3/16 ,  G05F3/20

CPC分类号： G05F3/265 ,  G05F3/225

摘要： A current source (10) includes a control stage (12) responsive to a stable, d.c. input voltage that is operative to produce a control voltage proportional to absolute temperature, PTAT, and an output stage (14) responsive to the PTAT control voltage that is operative to produce an output current that is an essentially constant fraction of an output constant current source. The control stage includes a temperature-dependent control resistor (R) of a given resistor type, and at least one control constant current source providing the control resistor with a temperature dependent control current. The temperature dependent current source includes a temperature dependent current source resistor based on the given resistor type such that the temperature dependencies of the control current and the control resistor tend to cancel in such a manner that a true PTAT control voltage is developed. The output stage includes an output transistor (Q7 and Q8) coupled to an output constant current such that an output current of the output stage has no current contribution other than from the output current source. A method for providing a current that is a constant fraction of an output constant current source includes the steps of: (a) developing a control current that is based on the same resistor type as a control resistor; (b) applying the control current to the control resistor to develop a control voltage that is proportional to absolute temperature; and (c) applying the control voltage to a current divider coupled to an output constant source to provide an output current.

公开(公告)号：EP0936525A1

公开(公告)日：1999-08-18

申请号：EP99101523.1

申请日：1999-01-27

申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

发明人： Xu, Chihao

IPC分类号： G05F3/16

CPC分类号： G05F3/16 ,  H02M3/1588 ,  H02M2001/0009 ,  H03K17/063 ,  H03K17/302 ,  Y02B70/1466

摘要： Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer zumindest annähernd idealen Diodenkennlinie auf Grundlage einer Diode (7). Erfindungsgemäß ist vorgesehen, daß zu der Diode (7) ein Leistungs-MOSFET (1) mit seiner Steuerstrecke parallel geschaltet ist und die Laststrecke des Leistungs-MOSFET (1) die Anschlußklemmen der idealen Diode bilden, wobei der Gateanschluß des Leistungs-MOSFET (1) mit einem vorgegebenen Spannungspotential beaufschlagt ist, wodurch der Leistungs-MOSFET (1) in Flußrichtung der Diode (7) aufgesteuert und in Sperrichtung abgeschaltet wird.

摘要翻译： 该电路包括使用功率MOSFET的控制路径并联连接的二极管（7）和功率MOSFET（1）。 负载路径形成理想二极管的连接。 功率MOSFET的栅极连接具有预定的电压电位，并且使MOSFET能够在二极管的流动方向上被控制，并且在高电阻方向上被隔离。 优选地，齐纳二极管（6）连接在功率MOSFET的栅极（5）和二极管之间。 电源连接在电源（4）和功率MOSFET的栅极之间。

公开(公告)号：EP0758499A4

公开(公告)日：1997-06-04

申请号：EP95915380

申请日：1995-03-16

申请人： INTEL CORP

发明人： PANTELAKIS DIMITRIS ,  TEDROW KERRY ,  JAVANIFARD JOHNNY ,  CANEPA GEORGE

IPC分类号： G05F3/24 ,  G11C5/14 ,  G11C11/407 ,  G11C16/30 ,  H02M3/07 ,  H02M3/18 ,  G05F3/16 ,  G11C8/00

CPC分类号： H02M3/07 ,  G05F3/242 ,  G11C5/147 ,  G11C16/30

摘要： A circuit for providing a regulated output voltage from a charge pump circuit (51) while utilizing very low amounts of power, the circuit including a clock circuit (55) for providing clock pulses to operate the charge pump circuit to produce an output voltage, a bias circuit (54, 56-60) for monitoring the output voltage of the charge pump and furnishing signals for enabling the clock circuit in response to an insufficient output voltage, and circuitry (63-67, 69) for enabling the bias circuit during a fraction of the tool operating time available to the charge pump.

公开(公告)号：EP0593105A1

公开(公告)日：1994-04-20

申请号：EP93202506.7

申请日：1993-08-26

申请人： UNITED MEMORIES, INC. ,  Nippon Steel Semiconductor Corporation

发明人： Cordoba, Michael V. ,  Hardee, Kim C.

IPC分类号： H02M3/07 ,  H02M3/10 ,  H03L1/00 ,  H03L5/00 ,  H03K5/135 ,  H03K5/02 ,  G05F3/16

CPC分类号： H02M3/073 ,  G05F3/205

摘要： A negative charge pump circuit for low voltage and wide voltage range applications. The charge pump includes two single-stage p-type pumps. One of the pumps (11) is used to charge a circuit node (32) down to a threshold voltage |Vt p | less than a desired voltage. When used in such a way, the other pump will charge a substrate to a full -VCC.

摘要翻译： 用于低电压和宽电压范围应用的负电荷泵电路。 电荷泵包括两个单级p型泵。 泵（11）中的一个用于将电路节点（32）充电至低于期望电压的阈值电压| Vtp。 当以这种方式使用时，另一个泵将对基板充电至完全-VCC。

公开(公告)号：EP0569883A2

公开(公告)日：1993-11-18

申请号：EP93107472.8

申请日：1993-05-07

申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

发明人： Lang, Bernhard, Dipl.-Ing.

IPC分类号： H02H9/02 ,  H02M3/335 ,  G05F3/16

CPC分类号： H02H9/001 ,  H03K17/163

摘要： Es wird eine Schaltungsanordnung zur Begrenzung des Einschaltstroms in einer elektronischen Baugruppe vorgeschlagen, die an eine Versorgungsspannungsquelle anschließbar ist. Ein Verbraucher ist über einen Widerstand anschließbar, der erfindungsgemäß steuerbar ausgebildet ist und nach Anschluß der Baugruppe an die Versorgungsspannungsquelle von einer Ansteuereinheit von einem hochohmigen in einen niederohmigen Zustand gesteuert wird.
Die Erfindung wird angewandt in elektronischen Baugruppen, insbesondere Stromversorgungsbaugruppen.

摘要翻译： 提出了一种用于限制可连接到电源电压源的电子组件中的接通电流的电路装置。 负载可以通过根据本发明的电阻器以可控的方式连接，并且在组件已经连接到电源电压源之后，由驱动单元从高电阻状态控制到 低电阻状态。 本发明用于电子组件，特别是电源组件中。

公开(公告)号：EP0361379A3

公开(公告)日：1991-01-23

申请号：EP89117720.6

申请日：1989-09-26

申请人： HONEYWELL INC.

发明人： Berndt, Dale F. ,  Peczalski, Andrezej

IPC分类号： H01L29/88 ,  H01L29/20 ,  G05F3/16

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G05F3/16 ,  H01L29/882 ,  Y10S257/906

摘要： A precision voltage reference includes at least one superlattice resonant tunneling diode (10) and support electronics (44). The precision voltage reference is stable as to temperature and radiation.

公开(公告)号：EP0143788A4

公开(公告)日：1985-07-30

申请号：EP84900658

申请日：1984-01-04

申请人： MOTOROLA INC

发明人： RAY KENNETH IRVING

IPC分类号： G05F1/565 ,  G05F3/16 ,  G05F3/22 ,  G05F3/20

CPC分类号： G05F3/22

公开(公告)号：EP4214520A1

公开(公告)日：2023-07-26

申请号：EP21778433.9

申请日：2021-09-17

申请人： Paris Sciences et Lettres ,  Centre national de la recherche scientifique ,  College de France

发明人： GIRIT, Caglar ,  SMIRR, Jean-Loup

IPC分类号： G01R1/28 ,  G01R35/00 ,  G05F3/02 ,  G05F3/16

公开(公告)号：EP3888212A1

公开(公告)日：2021-10-06

申请号：EP20726088.6

申请日：2020-05-14

申请人： ebm-papst Mulfingen GmbH & Co. KG

发明人： BÜRKERT, Martin ,  KILIAN, Thomas ,  SCHROTH, Sebastian ,  SCHNEIDER, Fabian ,  WIEDMANN, Georg

IPC分类号： H02H9/02 ,  H02H3/087 ,  G05F3/16 ,  G05F1/46 ,  H01C17/23 ,  G11C5/14 ,  G11C17/16 ,  G11C17/18

公开(公告)号：EP3075010B1

公开(公告)日：2018-01-10

申请号：EP14815124

申请日：2014-11-13

申请人： QUALCOMM INC

发明人： LI XIA ,  KIM DAEIK DANIEL ,  YANG BIN ,  KIM JONGHAE ,  PERRY DANIEL WAYNE

IPC分类号： H01L27/07 ,  G05F3/16 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/7393 ,  G05F3/16 ,  H01L27/0705

摘要： A method includes biasing a first gate voltage to enable unipolar current to flow from a first region of a transistor to a second region of the transistor according to a field-effect transistor (FET)-type operation. The method also includes biasing a body terminal to enable bipolar current to flow from the first region to the second region according to a bipolar junction transistor (BJT)-type operation. The unipolar current flows concurrently with the bipolar current to provide dual mode digital and analog device in complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology.