公开(公告)号：EP4176462A1

公开(公告)日：2023-05-10

申请号：EP21737714.2

申请日：2021-06-08

申请人： SOITEC ,  Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： ALLIBERT, Frédéric ,  LANDRU, Didier ,  KONONCHUK, Oleg ,  GUIOT, Eric ,  GAUDIN, Gweltaz ,  WIDIEZ, Julie ,  FOURNEL, Franck

IPC分类号： H01L21/18

公开(公告)号：EP4264659A1

公开(公告)日：2023-10-25

申请号：EP21835348.0

申请日：2021-11-29

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives ,  SOITEC

发明人： GAUDIN, Gweltaz ,  RADU, Ionut ,  FOURNEL, Franck ,  WIDIEZ, Julie ,  LANDRU, Didier

IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L21/02 ,  H01L21/322

公开(公告)号：EP2153462B1

公开(公告)日：2018-08-01

申请号：EP08760680.2

申请日：2008-06-06

申请人： Soitec ,  Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： SIGNAMARCHEIX, Thomas ,  FOURNEL, Franck ,  MORICEAU, Hubert

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L21/8258 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84

摘要： A method for producing a hybrid substrate, including a support substrate, a continuous buried insulator layer and, on this continuous layer, a hybrid layer including alternating zones of a first material and at least one second material, wherein these two materials are different by their nature and/or their crystallographic characteristics. The method forms a hybrid layer, including alternating zones of first and second materials, on a homogeneous substrate, assembles this hybrid layer, the continuous insulator layer and the support substrate, and eliminates a part at least of the homogeneous substrate, before or after the assembling.

公开(公告)号：EP1678754B1

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：EP04805334.2

申请日：2004-10-28

申请人： Soitec ,  Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： NGUYEN, Nguyet-Phuong ,  CAYREFOURCQ, Ian ,  LAGAHE-BLANCHARD, Christelle ,  BOURDELLE, Konstantin ,  TAUZIN, Aurélie ,  FOURNEL, Franck

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254

公开(公告)号：EP4300553A1

公开(公告)日：2024-01-03

申请号：EP23180309.9

申请日：2023-06-20

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： MONTMEAT, Pierre ,  FOURNEL, Franck ,  ENOT, Thierry

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

摘要： La présente description concerne un procédé de fabrication d'une structure destinée à être assemblée avec une autre structure par collage auto-aligné par contraste d'hydrophilie, comportant les étapes successives suivantes :
a) définition de plots (15) du côté d'une première face d'un premier substrat (11) ;
b) report d'un deuxième substrat (27) du côté de la première face du premier substrat (11) ;
c) formation, sur les flancs et/ou sur une partie périphérique de la face supérieure des plots (15), d'un matériau (25) plus hydrophobe qu'un matériau de la face supérieure des plots ; et
d) retrait du deuxième substrat (27).

公开(公告)号：EP2771911B1

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：EP12775522.1

申请日：2012-10-24

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： MORICEAU, Hubert ,  FOURNEL, Franck ,  MORALES, Christophe ,  RAUER, Caroline

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76251 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/223 ,  H01L21/228 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3105

公开(公告)号：EP2342744B1

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：EP09760241.1

申请日：2009-10-29

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： FOURNEL, Franck ,  SIGNAMARCHEIX, Thomas ,  CLAVELIER, Laurent ,  DEGUET, Chrystel

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/02524 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02667

公开(公告)号：EP2342745B1

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：EP09760239.5

申请日：2009-10-29

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： SIGNAMARCHEIX, Thomas ,  FOURNEL, Franck ,  CLAVELIER, Laurent ,  DEGUET, Chrystel

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L21/76254

公开(公告)号：EP4163958A1

公开(公告)日：2023-04-12

申请号：EP22200197.6

申请日：2022-10-07

申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

发明人： MONTMEAT, Pierre ,  FOURNEL, Franck

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L27/06 ,  H01L21/683

摘要： Procédé comprenant les étapes suivantes :
i) fabriquer des composants sur une face (120) d'un substrat (100) fixé à un premier substrat temporaire (200),
ii) fixer un deuxième substrat temporaire (300) sur le substrat (100),
iii) retirer le premier substrat temporaire (200),
iv) fabriquer des composants sur une autre face (110) du substrat (100),
les premier et deuxième substrats temporaires ayant des surfaces supérieures à la surface du substrat d'intérêt (100),
lors de l'étape ii), un film adhésif (150) est disposé entre le substrat (100) et le premier substrat temporaire (200) ou entre le substrat (100) et le deuxième substrat temporaire (300),
le film adhésif (150) formant une bande latérale autour du substrat (100) et adhérant aux substrats temporaires,
l'énergie d'adhérence E 1 entre le substrat d'intérêt (100) et le premier substrat temporaire (200) étant supérieure à l'énergie d'adhérence E 2 entre le substrat d'intérêt (100) et le deuxième substrat temporaire (300),
l'énergie d'adhérence E 31 entre le premier substrat temporaire (200) et le film adhésif (150) étant inférieure à l'énergie d'adhérence E 32 entre le deuxième substrat temporaire (300) et le film adhésif (150).

公开(公告)号：EP2771911A1

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：EP12775522.1

申请日：2012-10-24

申请人： Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

发明人： MORICEAU, Hubert ,  FOURNEL, Franck ,  MORALES, Christophe ,  RAUER, Caroline

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76251 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/223 ,  H01L21/228 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3105

摘要： A method for treating at least one first layer of material comprising siloxane bonds, at least one surface of which is intended to be secured to a surface of a second layer of material by means of direct bonding, comprising at least one step of forced diffusion, at a temperature at least equal to approximately 30°C and at least in the first layer of material, of chemical species including at least one free electron pair and at least one labile proton, transforming at least one part of the siloxane bonds into silanol bonds in at least one part of the first layer of material extending from said surface to a depth greater than or equal to approximately 10 nm.