公开(公告)号：EP2321863B1

公开(公告)日：2018-10-10

申请号：EP09776086.2

申请日：2009-08-10

申请人： OSRAM OLED GmbH

发明人： GÄRDITZ, Christoph ,  PÄTZOLD, Ralph

IPC分类号： H01L51/52 ,  H01L51/44 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L51/445 ,  H01L21/31683 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5212 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：EP1684365A3

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：EP06000519.6

申请日：2006-01-11

申请人： FUJI ELECTRIC HOLDINGS CO., LTD.

发明人： Kawakami, Haruo ,  Kato, Hisato ,  Maeda, Takahiko ,  Sekine, Nobuyuki

IPC分类号： H01L51/10 ,  H01L51/30

CPC分类号： H01L51/0545 ,  H01L21/31683 ,  H01L51/001 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0562 ,  H01L51/0583

摘要： The thin film field effect transistor according to the invention includes a gate electrode (11); a gate insulator film (12) on gate electrode (11); a first organic electronic material film (13) containing a first organic electronic material on gate insulator film (12); a source electrode (15) and a drain electrode (14) spaced apart from each other on first organic electronic material film (13); first organic electronic material film (13) including a portion (16) between source electrode (15) and drain electrode (14), portion (16) being in contact with gate insulator film (12); portion (16) providing a current with a path, the current being controlled by the potential of gate electrode (11); a second organic electronic material film (30) in contact with the surface of first organic electronic material film (13) opposite to portion (16); and second organic electronic material film (30) containing a second organic electronic material and an electron acceptor or an electron donor. The thin film field effect transistor according to the invention facilitates accumulating electric charges in the channel on the gate insulator film and realizing a high response frequency.

公开(公告)号：EP1299903A4

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：EP01910460

申请日：2001-02-08

申请人： TEL EPION INC

发明人： FENNER DAVID B

IPC分类号： H01L21/314 ,  C23C14/00 ,  C23C14/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L21/28194 ,  C23C14/0031 ,  C23C14/022 ,  H01J2237/0812 ,  H01L21/02054 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/3185 ,  H01L28/40 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： Methods are disclosed for gas-cluster ion-beam deposition of thin films on silicon wafers rendered free of native oxides by termination of the surface bonds and subsequent reactive deposition. Hydrogen termination of the surface of silicon renders it inert to reoxidation from oxygen-containing enviornmental gasses, even those found as residue in vacuum systems, such as those used to deposit films. Nitrogen termination improves the interface with overlying metal-oxide thin films. The film is formed in intimate contact with the silicon crystal surface forming a nearly ideal interface.

公开(公告)号：EP0645802B1

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：EP94306862.7

申请日：1994-09-20

申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： Konuma, Toshimitsu ,  Sugawara, Akira ,  Uehara, Yukiko ,  Zhang, Hongyong ,  Suzuki, Atsunori ,  Ohnuma, Hideto ,  Yamaguchi, Naoaki ,  Suzawa, Hideomi ,  Uochi, Hideki ,  Takemura, Yasuhiko

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/45

CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31687 ,  H01L21/321 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66598 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

公开(公告)号：EP1534875A1

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：EP03791828.1

申请日：2003-08-27

申请人： MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： VAARTSTRA, Brian, A.

IPC分类号： C23C16/40 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02271 ,  C23C16/40 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  F17C11/00 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31683

摘要： A method of forming (and an apparatus for forming) a metal oxide layer on a substrate, particularly a semiconductor substrate or substrate assembly, using a vapor deposition process, one or more alcohols, and one or more metal-containing precursor compounds.

公开(公告)号：EP1443571A2

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：EP04001831.9

申请日：2004-01-28

申请人： Pioneer Corporation

发明人： Uchida, Yoshihiko, Pioneer Corporation ,  Nakamura, Kenji, Pioneer Corporation

IPC分类号： H01L51/20

CPC分类号： H01L51/0533 ,  H01L21/31683 ,  H01L51/001 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0545

摘要： The present invention provides an organic semiconductor element in which the insulation strength of the insulation layer and the carrier mobility of the organic semiconductor are both high. The semiconductor layer is an organic semiconductor element consisting of an organic compound. A gate oxide film consisting of an oxide of the gate electrode material is provided between the gate electrode and the gate insulation layer. The gate insulation layer consists of an organic compound.

摘要翻译： 本发明提供了绝缘层的绝缘强度和有机半导体的载流子迁移率都高的有机半导体元件。 半导体层是由有机化合物构成的有机半导体元件。 由栅极电极材料的氧化物构成的栅极氧化膜设置在栅极电极和栅极绝缘层之间。 栅极绝缘层由有机化合物组成。

公开(公告)号：EP1324379A1

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：EP02102894.9

申请日：2002-12-26

申请人： Memscap

发明人： Girardie, Lionel

IPC分类号： H01L21/316

CPC分类号： H01L21/28194 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31683 ,  H01L28/40 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： Structure multi-couches, utilisée notamment en tant que matériau de forte permitivité relative, caractérisée en ce qu'elle comporte une pluralité de couches élémentaires superposées, d'une épaisseur inférieure chacune à 500 Å, parmi lesquelles figurent deux couches à base d'un alliage de dioxyde de titane (TiO 2 ) et pentoxyde de tantale (Ta 2 O 5 ) séparées par une couche intercalaire d'un alliage à base au moins de dioxyde d'hafnium (HfO 2 ) et d'alumine (Al 2 O 3 ).

摘要翻译： 高介电常数多层结构包括多个重叠层，每个层的厚度均小于500埃。 层结构包括基于由氧化钛（TiO 2）和五氧化二钽（Ta 2 O 5）衍生的混合氧化物的两层，其由基于至少二氧化铪（HfO 2）和氧化铝（Al 2 O 3）的混合氧化物的层分离。 优选的特征：由至少二氧化铪（HfO 2）和氧化铝（Al 2 O 3）衍生的混合氧化物也可以包括其组成中的二氧化锆（ZrO 2）。 位于由氧化钛和五氧化二钽衍生的混合氧化物层之间的至少一层和该结构的外部包含衍生自选自二氧化铪（HfO 2），氧化铝（Al 2 O 3），氧化铝 ），氧化锆（ZrO 2），二氧化钛（TiO 2）和五氧化二钽（Ta 2 O 5）。 每层的厚度为1-200埃，优选为1-100埃，最优选为1-50埃。 至少一个外层是氧化铝（Al2O3）。 每层通过原子层沉积（ALD）沉积。

公开(公告)号：EP1259982A1

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：EP01271897.9

申请日：2001-12-21

申请人： PLANSEE Aktiengesellschaft

发明人： SCHINTLMEISTER, Arno ,  WILHARTITZ, Peter

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/76888 ,  H01L21/31683

摘要： The invention relates to a method of reducing the specific resistance of an electrically conducting layer that consists of molybdenum or a molybdenum alloy. The invention is characterized by forming an MoO2 layer on the surface of the electrically conducting layer. The specific layer resistance can thus be reduced by 10 % to 15 %.

公开(公告)号：EP0477890B1

公开(公告)日：2001-04-25

申请号：EP91116309.5

申请日：1991-09-25

申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA

发明人： Komatsu, Toshiyuki, Canon Kabushiki Kaisha ,  Sato, Yasue, Canon Kabushiki Kaisha ,  Kawate, Shin-Ichi, Canon Kabushiki Kaisha

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/00 ,  H01L21/311 ,  H01L21/321 ,  H01L21/308

CPC分类号： H01L21/02071 ,  C23C16/047 ,  G03F1/68 ,  G03F7/00 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0042 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/201 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/2043 ,  G03F7/2053 ,  G03F7/265 ,  G03F7/36 ,  G03F7/38 ,  G03F7/7005 ,  G03F7/70841 ,  G03F7/70866 ,  G03F7/70875 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/033 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/32 ,  H01L21/321 ,  H01L21/32139

公开(公告)号：EP0909989A1

公开(公告)日：1999-04-21

申请号：EP98124755.4

申请日：1991-09-25

申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA

发明人： Toshiyuki, Komatsu, c/o Canon K.K. ,  Yasue, Sato, c/o Canon K.K. ,  Shin-Ichi, Kawate, c/o Canon K.K.

IPC分类号： G03F7/004 ,  C23C16/04 ,  H01L21/321

CPC分类号： H01L21/02071 ,  C23C16/047 ,  G03F1/68 ,  G03F7/00 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0042 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/201 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/2043 ,  G03F7/2053 ,  G03F7/265 ,  G03F7/36 ,  G03F7/38 ,  G03F7/7005 ,  G03F7/70841 ,  G03F7/70866 ,  G03F7/70875 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/033 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/32 ,  H01L21/321 ,  H01L21/32139

摘要： The present invention provides a processing method which comprises the steps of subjecting a surface to be processed, to selective irradiation with light in the desired gas atmosphere to form a surface-modified layer in the desired region; and applying selective processing to said surface-modified layer or the surface-unmodified layer; wherein said surface to be processed is heated in the step of forming said surface-modified layer. Furthermore, the present invention provides a processing apparatus which comprises a reaction vessel, a gas feeding means (434) for feeding a reactive gas into said reaction vessel, and a light guiding means (437) for guiding processing light into said reaction vessel, a substrate (431) placed in said reaction vessel being irradiated with said processing light so that the surface to be processed is processed; wherein said apparatus is provided with a means (433) for selectively heating said surface to be processed.

摘要翻译： 本发明提供一种处理方法，其包括以下步骤：对要处理的表面进行选择性照射期望气体气氛中的光以在所需区域中形成表面改性层; 并对所述表面改性层或表面未改性层进行选择性加工; 其中所述待处理表面在形成所述表面改性层的步骤中被加热。 此外，本发明提供一种处理装置，其包括反应容器，用于将反应气体供给到所述反应容器中的气体供给装置（434）以及用于将处理光引导到所述反应容器中的光引导装置（437）， 用所述处理光照射放置在所述反应容器中的衬底（431），从而处理待处理表面; 其中所述设备设置有用于选择性地加热所述待处理表面的装置（433）。