公开(公告)号：JP2011511459A

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：JP2010545050

申请日：2009-01-13

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated

Inventor： スメドヒ アチャリヤ ,  ジェイコブ グレイソン ,  ロナルド スティーブンス ,  アレクサンダー タム ,  サンディープ ニジュハワン ,  ブライアン エイチ バロウズ ,  ジョシュア ジェー ポデスタ ,  ローリ ディー ワシントン

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/452 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 本発明の実施形態は概して、基板上への化学気相蒸着（ＣＶＤ）のための方法及び装置、特には有機金属化学気相蒸着における使用のための処理チャンバ及び部品に関する。 本装置は、処理容積を画成するチャンバ本体を備える。 第１平面のシャワーヘッドが、処理容積の上部を画成する。 第２平面のキャリアプレートが処理容積を横断して延び、シャワーヘッドとサセプタプレートとの間に上方処理容積を形成する。 第３平面の透明材が処理容積の底部を画成し、キャリアプレートとの間で下方処理容積を形成する。 複数のランプが、透明材の下に位置する１つ以上のゾーンを形成する。 本装置は、より大型の基板全体で温度を均一に維持しながらも均等な前駆体流れと前駆体の混合をもたらし、これに対応してスループットが上昇する。

公开(公告)号：JP4505553B2

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：JP2006202634

申请日：2006-07-25

Applicant: 国立大学法人 東京大学 ,  独立行政法人物質・材料研究機構

Inventor： リップマー ミック ,  剛 大西 ,  英司 藤本 ,  正友 角谷 ,  秀臣 鯉沼

IPC: C23C16/46 ,  C23C14/24

CPC classification number: C23C16/481

公开(公告)号：JP2010510687A

公开(公告)日：2010-04-02

申请号：JP2009538462

申请日：2007-11-16

Applicant: エス.オー.アイ.テック シリコン オン インシュレータ テクノロジーズ

Inventor： ベルクホーフェン クリスチャン ,  アリーナ シャンタル

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C30B25/14 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B25/14 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/481 ,  C23C16/54 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1008

Abstract: 本発明は、第III族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウエハを製造するために、特にＧａＮウエハを製造するために最適化された方法及び装置に関する。 具体的には、この方法は、化学気相成長（ＣＶＤ）反応器内の隔離弁取付具上の不要な材料の形成を実質的に防止することに関する。 特に、本発明は、システムで使用される隔離弁上のＧａＣｌ
3 及び反応副生成物の堆積／凝縮を抑制する装置及び方法と、１つの反応物質としてのある量の気体状第III族前駆体と別の反応物質としてのある量の気体状第Ｖ族成分とを反応チャンバ内で反応させることによって、単結晶第III−Ｖ族半導体材料を形成する方法を提供する。

公开(公告)号：JP4219441B2

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：JP13733098

申请日：1998-04-10

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated

Inventor： ケー． カールソン デイヴィッド ,  ダブリュー． ファン ドリア ,  ビー． ライリー ノーマ ,  ビー． コミタ ポール ,  ランガナサン レクハ

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/48 ,  C30B25/14 ,  C30B31/16

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/481 ,  C30B25/14 ,  C30B31/16

公开(公告)号：JP2008025017A

公开(公告)日：2008-02-07

申请号：JP2006202634

申请日：2006-07-25

Applicant: National Institute For Materials Science ,  Univ Of Tokyo ,  国立大学法人 東京大学 ,  独立行政法人物質・材料研究機構

Inventor： SUMIYA MASATOMO ,  MIKK-LIPPMAA ,  ONISHI TAKESHI ,  FUJIMOTO EIJI ,  KOINUMA HIDEOMI

IPC: C23C16/48

CPC classification number: C23C16/481

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To eliminate existing inconvenience such as decrease in laser output and make laser heating possible.
SOLUTION: The vacuum processing device is used for vapor deposition while heating a substrate in a vacuum chamber having an optically transparent window in a part thereof. In the vacuum processing device, a holding section for holding the substrate and the optically transparent window are connected in a linear interspace, which is isolated from other places of the chamber. A laser oscillator is arranged outside the optically transparent window and irradiates a laser beam to the substrate through the linear interspace to heat the substrate.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：消除诸如激光输出的降低等现有的不便，使激光加热成为可能。 解决方案：真空处理装置用于气相沉积，同时在其一部分具有光学透明窗口的真空室中加热基板。 在真空处理装置中，用于保持基板和光学透明窗口的保持部分连接在与室的其它位置隔离的线性间隙中。 激光振荡器布置在光学透明窗口的外部，并通过线性间隙将激光束照射到基板上以加热基板。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2007180533A

公开(公告)日：2007-07-12

申请号：JP2006334765

申请日：2006-12-12

Applicant: Moore Epitaxial Inc ,  ムーア・エピタキシャル・インコーポレイテッドMoore Epitaxial, Inc.

Inventor： MOORE GARY M ,  NISHIKAWA KATSUHITO

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/48 ,  C23C16/54 ,  C30B25/02 ,  C30B25/10 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B31/12 ,  C30B31/14 ,  F27B5/04 ,  F27B5/14 ,  F27B5/16 ,  F27B5/18 ,  F27D11/00 ,  F27D11/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/22 ,  H01L21/26 ,  H01L21/324 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H05B3/00

CPC classification number: H01L21/68735 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45589 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/481 ,  C23C16/54 ,  C30B25/02 ,  C30B25/10 ,  C30B25/105 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B31/12 ,  C30B31/14 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785 ,  H05B3/0047

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a rapid heat treatment reactor for processing improved semiconductor substrate. SOLUTION: The rapid heat treatment reactor has a rapid heat treatment reaction chamber vessel, a table which is arranged around the rapid heat treatment reaction chamber vessel and comprises a top surface, a shell arranged at a first position so as to contact with the top surface of the table, a rail which is fastened on the table, while extending in a first direction perpendicular to the top surface of the table, and a connection part which is movably connected to the rail so that the shell can be moved to a second position apart from the top surface of the table along the rail, when needed and comprises a plurality of connectors selectively detachable from the shell. When the shell is present at the second position, by detaching one of the plurality of connectors from the shell means, the shell can be made to turn with the left connectors as the axes. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供用于处理改进的半导体衬底的快速热处理反应器。 解决方案：快速热处理反应器具有快速的热处理反应室容器，设置在快速热处理反应室容器周围的工作台，包括顶表面，壳体布置在第一位置以与 工作台的顶面，固定在工作台上的轨道沿着垂直于工作台顶面的第一方向延伸，以及可移动地连接到轨道的连接部分，使得壳体能够移动到 当需要时沿着轨道离开工作台的顶表面的第二位置，并且包括可选择性地从壳体拆卸的多个连接器。 当壳体存在于第二位置时，通过从壳体装置中分离出多个连接器中的一个，壳体可以以左连接器作为轴线而转动。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2006303125A

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：JP2005121763

申请日：2005-04-20

Applicant: Oki Electric Ind Co Ltd ,  沖電気工業株式会社

Inventor： YOSHIE TORU

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46

CPC classification number: H01L21/67103 ,  C23C16/481

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a means for restraining a sapphire substrate etc. from warping in a semiconductor device, using a process necessary to heat the sapphire substrate etc.
SOLUTION: The semiconductor manufacturing apparatus 2 comprises a hot plate 3 for heating a sapphire substrate 1, a support plate 6a disposed with a specified space from the hot plate, a support base 6 having a support for supporting the sapphire substrate with a specified space from the hot plate and the support plate, respectively, so that the hot plate and the sapphire substrate backside are opposed, a lift 5 for moving the hot plate up and down, and a shield cover 8 for shielding a space between the hot plate and the sapphire substrate and a space between the substrate and the support plate from outside.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 解决方案：提供一种在半导体器件中抑制蓝宝石衬底等翘曲的方法，使用加热蓝宝石衬底等所需的工艺。解决方案：半导体制造设备2包括热 用于加热蓝宝石基板1的板3，从热板设置有特定空间的支撑板6a，分别具有用于从热板和支撑板以特定空间支撑蓝宝石基板的支撑件的支撑基座6， 使得热板和蓝宝石衬底背面相对，用于使热板上下移动的升降机5和用于屏蔽热板和蓝宝石衬底之间的空间的屏蔽盖8和衬底与衬底之间的空间 支撑板从外面。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP3796030B2

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：JP33240997

申请日：1997-11-16

Applicant: キヤノンアネルバ株式会社

Inventor： 純朗 酒井

IPC: C23C16/30 ,  H01L21/205 ,  C23C16/04 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/48 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/4411 ,  C23C16/04 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/481 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31612

公开(公告)号：JP2006507680A

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：JP2004555232

申请日：2002-11-22

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated

Inventor： ロジャー， エヌ． アンダーソン， ,  ランス， エー． エスカーダー， ,  デイヴィッド， ケイ． カールソン， ,  ポール， ビー． コミタ， ,  ヴイ． サモイロヴ，アルカディー， ,  デイル， アール． ダボイス， ,  ローリ， デー． ワシントン，

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46 ,  C23C16/48 ,  C23C16/52 ,  C30B25/10 ,  H01L21/00 ,  H01L21/26 ,  H05B3/00

CPC classification number: C30B25/10 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H05B3/0047

Abstract: An apparatus that includes a reflector having a mirrored surface facing down, a glass structure located beneath the reflector, a susceptor within the glass structure having a surface facing up that is capable of holding a part to be processed, and one or more radiant heat sources directed at and located beneath the glass structure.

公开(公告)号：JP2005500674A

公开(公告)日：2005-01-06

申请号：JP2002592170

申请日：2002-05-23

Applicant: マットソン サーマル プロダクツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング

Inventor： シュトリーベル クリストフ ,  ハウフ マルクス

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/48 ,  C30B31/12 ,  C30B33/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/26 ,  H05B3/00

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/481 ,  C30B31/12 ,  C30B33/02 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67242 ,  H05B3/0047 ,  Y10T29/41

Abstract: 簡単で安価に高温計に基づいた温度測定を行い、正確な温度測定が低温でも可能であるようにするため、本発明は基板の熱処理装置および熱処理方法を提供する。 この装置ないし方法では、基板が少なくとも１つの第１および第２のビームにより照射され、第１のビームの所定の波長が第１のビーム源と基板との間で吸収され、基板から発するビームが所定の波長においてビーム検知器により測定され、このビーム検知器は第２のビーム源と同じ側に配置されており、第２のビーム源から発する第２のビームを変調し、第２のビーム源から発する第２のビームを検出する。