公开(公告)号：JP2015019091A

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：JP2014172618

申请日：2014-08-27

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  Semiconductor Energy Lab Co Ltd

发明人： KAKEHATA TETSUYA ,  TANAKA TETSUHIRO ,  ASAMI YOSHINOBU

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L29/4908 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7881

摘要： 【課題】膜特性に優れる絶縁膜を製造する技術を提供することを目的とする。緻密で高耐圧な絶縁膜を製造する技術を提供することを目的とする。電子トラップの少ない絶縁膜を製造する技術を提供することを目的とする。【解決手段】半導体膜上に、CVD法、スパッタ法又は熱酸化法のいずれかの方法を用いて、酸素及び水素を含む第1の絶縁膜を形成し、酸素及び希ガスを含む雰囲気下で、マイクロ波により励起されたプラズマを用いて第1の絶縁膜をプラズマ処理することにより、第1の絶縁膜中の水素含有量を低減するとともに、半導体膜の膜厚を減少させる。【選択図】図4

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种制造膜特性优异的绝缘膜的技术; 提供制造精密和高压绝缘膜的艺术; 并且提供一种制造导致较少电子阱的绝缘膜的技术。解决方案：一种半导体器件的制造方法，包括：通过使用CVD法，溅射法等中的任一种在半导体膜上形成含氧和含氢的第一绝缘膜， 和热氧化法; 并且通过在氧气和含惰性气体的气氛中使用通过微波激发的等离子体，对所述第一绝缘膜进行等离子体处理，来降低所述第一绝缘膜中的氢含量并降低所述半导体膜的膜厚。

公开(公告)号：JP5456775B2

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：JP2011516526

申请日：2009-06-23

申请人： クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated

发明人： リ、シャ ,  カン、スン・エイチ． ,  ジュ、シャオチュン

IPC分类号： H01L21/8246 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/312 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/16 ,  H01L21/312 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/6715 ,  H01L27/222

摘要： A system and method to fabricate magnetic random access memory is disclosed. In a particular embodiment, the method includes depositing a cap layer on a magnetic tunnel junction (MTJ) structure, depositing a first spin-on material layer over the cap layer, and etching the first spin-on material layer and at least a portion of the cap layer.

公开(公告)号：JP5329218B2

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：JP2008501327

申请日：2006-03-17

申请人： レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード

发明人： デュサラ、クリスティアン ,  ガティノー、ジュリアン ,  和孝 柳田 ,  恵理 塚田 ,  郁生 鈴木

IPC分类号： H01L21/316 ,  C23C16/42 ,  H01L21/314 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/02164 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31612

摘要： A method of forming a silicon oxide film, comprising the steps of: providing a substrate into a reaction chamber; injecting into the reaction chamber at least one silicon containing compound where the at least one silicon containing compound is bis(diethylamino)silane; injecting Oxygen into the reaction chamber and at least one other O-containing gas selected from ozone and water; reacting in the reaction chamber by chemical vapor deposition at a temperature below 400 C the at least one silicon containing compound and the at least one oxygen containing gas in order to obtain the silicon oxide film deposited onto the substrate.

公开(公告)号：JP5314964B2

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：JP2008208472

申请日：2008-08-13

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 貴尚 栄森 ,  信行 三瀬

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/283 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/823857 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104

摘要： A base insulating film containing hafnium and oxygen is formed on a silicon oxide (SiO2) film formed on a main surface of a substrate. Subsequently, a metal thin film thinner than the base insulating film and made of only a metal element is formed on the base insulating film, and a protective film having humidity resistance and oxidation resistance is formed on the metal thin film. Then, by diffusing the entire metal element of the metal thin film into the base insulating film in a state of having the protective film, a mixed film (high dielectric constant film) thicker than the silicon oxide film and having a higher dielectric constant than silicon oxide and containing hafnium and oxygen of the base insulating film and the metal element of the metal thin film is formed on the silicon oxide film.

公开(公告)号：JP5225081B2

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：JP2008518247

申请日：2006-06-15

申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated ,  パナソニック株式会社

发明人： マノ ヴェライカル， ,  ヘマント， ピー． ムンゲカール， ,  ヤング， エス． リー， ,  泰利 奥野 ,  ヒロシ ユアサ

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L21/31612 ,  C23C16/045 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274

公开(公告)号：JP5203663B2

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：JP2007251926

申请日：2007-09-27

申请人： ラピスセミコンダクタ株式会社

发明人： 周一 野田 ,  公明 下川

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/31612 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4581 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262

公开(公告)号：JP5197256B2

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：JP2008230063

申请日：2008-09-08

申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated

发明人： ワン アンチュアン ,  エス リー ヨン ,  ヴェライカル マノジ ,  トーマス ブロッキング ジェイソン ,  ホー ジェオン ジン ,  ピー マンゲカル ヘマント

IPC分类号： H01L21/316 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC分类号： C23C16/045 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612

公开(公告)号：JP5168935B2

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：JP2007040323

申请日：2007-02-21

申请人： 富士通セミコンダクター株式会社

发明人： 孝一 永井

IPC分类号： H01L21/321 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105

CPC分类号： H01L21/76816 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L27/11509 ,  H01L27/11512

摘要： A semiconductor device manufacturing method, includes the steps of forming an insulating film over a semiconductor substrate, thinning selectively a thick portion, whose film thickness is thicker than a reference value, of the insulating film, forming contact holes in a thinned portion of the insulating film 25, and forming conductive plugs in the contact holes.

公开(公告)号：JP4987083B2

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：JP2009533455

申请日：2007-10-11

申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated

发明人： スリニヴァス， ディー． マニ， ,  アビジット， バス マリック， ,  ジェフリー， シー． ムンロ，

IPC分类号： H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  C23C16/505 ,  H01L21/312 ,  H01L21/314 ,  H01L21/76

CPC分类号： C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76224 ,  Y10S438/931

公开(公告)号：JP4846126B2

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：JP2001175074

申请日：2001-06-11

申请人： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ

发明人： アニル・ラジ・ドゥガル

IPC分类号： H05B33/02 ,  C08K3/00 ,  C08L67/00 ,  C08L69/00 ,  C08L83/00 ,  C08L101/00 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L25/04 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H05B33/04

CPC分类号： H01L25/046 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/3185 ,  H01L51/52 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5259 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2251/5369 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The invention relates to an organic light emitting device comprising a first conductor, a organic light emitting layer overlying the first conductor which emits light of a characteristic wavelength, a second conductor overlying the organic light emitting layer, and a transparent or substantially transparent substrate overlying at least one of the conductors. The substrate comprises dispersed particles of a getter material in an amount effective to protect the organic light emitting layer from being damaged by oxygen and/or water during a desired period of operation. The getter material has a particle size small enough that is smaller than the characteristic wavelength of the emitted light, so as to maintain the transparency or substantial transparency of the substrate. A method for making the device is also disclosed.