公开(公告)号：JP2017522827A

公开(公告)日：2017-08-10

申请号：JP2017505131

申请日：2015-07-09

申请人： クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated ,  クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated

发明人： リン、サイファ ,  チャン、アラン・ンガー・ローン

IPC分类号： H03F3/68 ,  H03F3/24

CPC分类号： H03F1/0277 ,  H03F3/19 ,  H03F3/211 ,  H03F3/245 ,  H03F3/45475 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/09 ,  H03F2200/537 ,  H03F2200/541 ,  H03F2203/21136 ,  H03F2203/21142 ,  H03F2203/21145 ,  H03F2203/21151 ,  H03F2203/21163 ,  H03F2203/45731 ,  H03F2203/7206 ,  H03F2203/7227 ,  H03F2203/7233 ,  H03F2203/7236 ,  H03F2203/7239 ,  H04B1/401

摘要： マルチモード電力増幅器(140)を通して通信信号を送信するための方法および装置が開示される。少なくともいくつかの実施形態について、通信信号は、所望された送信出力電力に基づいて選択されたマルチモード電力増幅器(140)の増幅器(210)によって増幅され得る。選択された増幅器(210)の出力は、構成可能な誘導性素子(315)を通してアンテナに結合され得る。誘導性素子(315)は、マルチモード電力増幅器の動作モードに基づいて、バランとしてまたは誘導性負荷素子として構成され得る。

公开(公告)号：JP5958774B2

公开(公告)日：2016-08-02

申请号：JP2014019710

申请日：2014-02-04

申请人： 株式会社村田製作所

发明人： 田部井 慎

IPC分类号： H03F1/24 ,  H03F3/68 ,  H03F1/02

CPC分类号： H03F1/0211 ,  H03F1/0266 ,  H03F1/301 ,  H03F1/56 ,  H03F3/193 ,  H03F3/195 ,  H03F3/211 ,  H03F3/24 ,  H03F3/45179 ,  H03F3/45475 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/447 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/555 ,  H03F2203/45112 ,  H03F2203/45528 ,  H03F2203/45536 ,  H03F2203/7206 ,  H03F2203/7215

公开(公告)号：JP5857898B2

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：JP2012155841

申请日：2012-07-11

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 佐々木 善伸

IPC分类号： H03F1/02 ,  H03F3/24

CPC分类号： H03F3/21 ,  H03F1/0261 ,  H03F3/245 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/27 ,  H03F2200/411 ,  H03F2203/7206

公开(公告)号：JP2015039087A

公开(公告)日：2015-02-26

申请号：JP2011277875

申请日：2011-12-20

申请人： 株式会社村田製作所 ,  Murata Mfg Co Ltd

发明人： IIJIMA MASANORI ,  MORISAWA FUMIMASA

IPC分类号： H03F3/24 ,  H03F1/30 ,  H03F3/68

CPC分类号： H03F1/0233 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/302 ,  H03F1/56 ,  H03F3/193 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213 ,  H03F3/245 ,  H03F3/45 ,  H03F3/45071 ,  H03F3/45183 ,  H03F3/45475 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/111 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/27 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/411 ,  H03F2200/429 ,  H03F2200/528 ,  H03F2200/78 ,  H03F2203/45112 ,  H03F2203/45398 ,  H03F2203/45528 ,  H03F2203/45542 ,  H03F2203/45594 ,  H03F2203/45601 ,  H03F2203/45622 ,  H03F2203/45674 ,  H03F2203/45726 ,  H03F2203/7206 ,  H03F2203/7209 ,  H03F2203/7236 ,  H03G1/0088

摘要： 【課題】送信電力特性のばらつきを低減可能な半導体集積回路装置および高周波電力増幅器モジュールを提供する。【解決手段】例えば、バンドギャップリファレンス回路BGRと、レギュレータ回路VREGと、これらの間に設けられ、ユニティ・ゲイン・バッファBFを含んだ基準電圧補正回路VREFCTL1とを備え、VREFCTL1によってBGRからのバンドギャップ電圧Vbgのばらつきを補正する。VREFCTL1は、それぞれ異なる抵抗値(Rr1〜Rr3)を持つ第1〜第3抵抗経路を備え、BFの出力電圧を反映した電流(I2)を第1〜第3抵抗経路のいずれか1個に選択的に供給することで補正を行う。この際の選択は、ボンディングワイヤBWを端子REF1〜REF3のいずれか1個に接続することで行う。【選択図】図4

摘要翻译： 要解决的问题：提供减少传输功率特性变化的半导体集成电路器件和高频功率放大器模块。解决方案：半导体集成电路器件例如包括带隙基准电路BGR，调节器电路 VREG和设置在它们之间并包括单位增益缓冲器BF的参考电压校正电路VREFCTL1，并且VREFCTL1校正来自BGR的带隙电压Vbg的变化。 VREFCTL1包括具有不同电阻值（Rr1-Rr3）的第一至第三电阻路径，并且通过选择性地将反映BF的输出电压的电流（I2）提供给第一至第三电阻路径中的任何一个来执行校正。 通过将接合线BW连接到端子REF1-REF3中的任何一个来进行选择。

公开(公告)号：JP5308243B2

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：JP2009139290

申请日：2009-06-10

申请人： 株式会社日立製作所

发明人： 勇仁 上村 ,  徳男 中條

IPC分类号： H03G3/10 ,  H03F3/193 ,  H03F3/345

CPC分类号： H03G1/0088 ,  H03F3/72 ,  H03F2203/7206 ,  H03G1/0029 ,  H03G3/3084

摘要： There is provided a variable gain circuit system which is inductorless and capable of achieving a high gain and a wide band by elements for achieving variable gain to prevent decreasing a gain or deteriorating the band. The variable gain circuit includes: transistors; a resistor connected as a load of each transistor; a voltage source applying a bias voltage to each gate of the transistors; a switch selectively connecting the voltage source or a ground potential to each gate of the transistors in accordance with gain setting; and a current source connected to a common input. A drain of each transistor is connected to an input of a circuit in a subsequent stage.

公开(公告)号：JP5079213B2

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：JP2004565954

申请日：2003-12-05

申请人： トムソン ライセンシングThomson Licensing

发明人： シェマン ハインリッヒ ,  イペク メーメト ,  ロート ザビーネ

IPC分类号： H03G3/10 ,  H03F3/68 ,  H03F3/72 ,  H03G1/00

CPC分类号： H03F3/72 ,  H03F2203/7203 ,  H03F2203/7206 ,  H03F2203/7227 ,  H03G1/0088

公开(公告)号：JP2012521670A

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：JP2012500973

申请日：2010-03-18

申请人： クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated

发明人： カッシア、マルコ ,  サホタ、ガーカンワル・シン

IPC分类号： H03F1/52 ,  H03F1/22 ,  H03F3/19 ,  H03G3/10

CPC分类号： H03F1/223 ,  H03F1/523 ,  H03F3/211 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/27 ,  H03F2200/294 ,  H03F2203/7206 ,  H03F2203/7215 ,  H03F2203/7236 ,  H03G1/0088

摘要： A cascode amplifier with protection circuitry is described. In one exemplary design, the amplifier includes multiple branches coupled in parallel, with at least one branch being switchable between “on” and “off” states. Each switchable branch includes a gain transistor coupled to a cascode transistor. The gain transistor amplifies an input signal and provides an amplified signal in the on state and does not amplify the input signal in the off state. The cascode transistor buffers the amplified signal and provides an output signal in the on state. The output signal swing may be split between the gain transistor and the cascode transistor in both the on and off states with the protection circuitry. Each transistor may then observe a fraction of the voltage swing. The voltage splitting in the off state may be achieved by floating the gain transistor and shorting the gate and source of the cascode transistor.

公开(公告)号：JP2011254382A

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：JP2010127919

申请日：2010-06-03

申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd ,  住友電気工業株式会社

发明人： UMEDA DAISUKE

IPC分类号： H03F3/08 ,  H03F3/68

CPC分类号： H03F1/22 ,  H03F1/0277 ,  H03F1/08 ,  H03F3/68 ,  H03F3/72 ,  H03F2203/7206

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve increase in parasitic capacitance by a plurality of feedback resistors and wiring length of an input node.SOLUTION: The integrated circuit has a first transimpedance amplifier and a second transimpedance amplifier. In this integrated circuit, when one of the first transimpedance amplifier and the second transimpedance amplifier enters an operational state, the other enters a non-operational state. The first transimpedance amplifier and the second transimpedance amplifier share an input transistor. The first transimpedance amplifier has a first resistor provided between its feedback node and an input node connected to the input transistor. The second transimpedance amplifier has a second resistor provided between its feedback node and the first resistor. The feedback resistor of the second transimpedance amplifier is constituted by connecting the first resistor and the second resistor in series.

摘要翻译： 要解决的问题：通过多个反馈电阻器和输入节点的布线长度来实现寄生电容的增加。 解决方案：集成电路具有第一跨阻抗放大器和第二跨阻抗放大器。 在该集成电路中，当第一跨阻抗放大器和第二跨阻抗放大器之一进入工作状态时，另一个进入非工作状态。 第一跨阻放大器和第二跨阻抗放大器共享输入晶体管。 第一跨阻放大器具有设置在其反馈节点和连接到输入晶体管的输入节点之间的第一电阻器。 第二跨阻放大器具有设置在其反馈节点和第一电阻器之间的第二电阻器。 第二跨阻放大器的反馈电阻器通过串联连接第一电阻器和第二电阻器而构成。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP4634523B2

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：JP2009500246

申请日：2008-02-22

申请人： 京セラ株式会社

发明人： 聡 川路

IPC分类号： H04B1/04

CPC分类号： H03F3/19 ,  H03F1/02 ,  H03F1/0277 ,  H03F3/211 ,  H03F3/24 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/27 ,  H03F2200/408 ,  H03F2200/451 ,  H03F2203/21109 ,  H03F2203/21145 ,  H03F2203/7206 ,  H03F2203/7236 ,  H03G1/0088 ,  H03G3/3042 ,  H04B2001/0416 ,  H04B2001/045

摘要： A wireless communication apparatus of the present invention is provided with at least two amplification paths (2, 3, 4; 2, 3) capable of amplifying a transmission signal and having different power consumption, a selection unit 5, 6 for selecting one of the at least two amplification paths, and a control unit 11 for controlling the selection unit 5, 6 to select one of the at least two amplification paths and the transmission signal to be amplified in the selected amplification path in accordance with operational condition of the wireless communication apparatus. Thereby, power consumption is effectively reduced in accordance with conditions.

摘要翻译： 本发明的无线通信装置具有能够放大发送信号并且具有不同功耗的至少两个放大路径（2,3,4; 2,3），选择单元5,6用于选择 至少两个放大路径，以及控制单元11，用于根据无线通信的操作条件控制选择单元5,6在至少两个放大路径中选择一个，以及在所选放大路径中放大的发送信号 仪器。 从而，根据条件有效地降低功耗。

公开(公告)号：JP2010528545A

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：JP2010509798

申请日：2008-05-23

申请人： テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル)

发明人： フェンハオ ム，

IPC分类号： H03F1/26 ,  H03F3/189

CPC分类号： H03F1/26 ,  H03F1/223 ,  H03F1/30 ,  H03F1/52 ,  H03F1/56 ,  H03F3/191 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/111 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/372 ,  H03F2200/429 ,  H03F2200/447 ,  H03F2200/456 ,  H03F2200/489 ,  H03F2200/492 ,  H03F2203/7206 ,  H03F2203/7209 ,  H03G1/0088 ,  H03G3/3036 ,  H03G3/3052

摘要： マルチバンドＲＦ受信機フロントエンド（１０）用の構成設定可能なＬＮＡアーキテクチャが異なる周波数帯域に対して個々に最適化された１バンクのＬＮＡ（１２）を有し、個々のＬＮＡ（１２）は構成設定可能なトポロジを有する。 個々のＬＮＡ（１２）は複数の増幅器段を備え、個々の段は異なる幅を有するＲＦトランジスタを含む。 隣接する増幅器段内のトランジスタ幅は２進重み付けされたものであってもよいし、あるいは、一定の利得ステップを達成するような大きさにされたものであってもよい。 ＬＮＡ（１２）のＲＦトランジスタを選択的に作動可能、或いは、作動不能にすることによって、有効なトランジスタ幅をきめ細かな精度で制御することができる。 ＤＡＣは小さな量子化ステップでバイアス電圧を発生させ、さらにきめ細かな精度の利得制御を提供する。 ＬＮＡ（１２）はそれらのブレークダウン電圧を超えた量だけ電源電圧からトランジスタをシールドする過電圧保護回路によって保護される。 ソース縮退インダクタ（Ｌ５）は、熱雑音を導入することなくＬＮＡ（Ｌ５）の入力部における実際の抵抗値を提示する。