公开(公告)号：JP2018133597A

公开(公告)日：2018-08-23

申请号：JP2018106869

申请日：2018-06-04

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 郷戸 宏充 ,  荒井 康行 ,  岡本 知広 ,  立石 真理 ,  小林 恵里子 ,  菅尾 惇平

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置 を提供することを目的の一とする。 【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と 、酸化物半導体層と重なるゲート電極と、酸化物半導体層とゲート電極との間に設けられ たゲート絶縁層と、酸化物半導体層に接して設けられた絶縁層と、を有し、酸化物半導体 層は、該酸化物半導体層の端面において、ソース電極またはドレイン電極と接し、且つ該 酸化物半導体層の上面において、絶縁層を介して、ソース電極またはドレイン電極と重な る半導体装置である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6359892B2

公开(公告)日：2018-07-18

申请号：JP2014131751

申请日：2014-06-26

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 桑原 秀明 ,  遠藤 佑太 ,  立石 真理 ,  高橋 正弘

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：JP2017212437A

公开(公告)日：2017-11-30

申请号：JP2017096240

申请日：2017-05-15

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 谷中 順平 ,  熊倉 佳代 ,  佐藤 将孝 ,  井戸尻 悟 ,  吉住 健輔 ,  立石 真理 ,  高瀬 奈津子

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/00 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L23/293 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/3262 ,  H01L2227/323

Abstract: 【課題】低コストで量産性の高い剥離工程を有するデバイスの作製方法を提供する。 【解決手段】作製基板上14に、感光性を有する材料を用いて、第1の層を形成し、フォトリソグラフィ法を用いて、第1の層に、第1の領域と、第1の領域よりも厚さの薄い第2の領域と、を形成することで、第1の領域及び第2の領域を有する樹脂層23を形成し、樹脂層の第1の領域上に、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタ40を形成し、樹脂層の第2の領域上に、導電層43cを形成し、レーザを用いて樹脂層に光65を照射し、トランジスタと作製基板とを分離する。 【選択図】図4

公开(公告)号：JP2017041649A

公开(公告)日：2017-02-23

申请号：JP2016218663

申请日：2016-11-09

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 肥塚 純一 ,  山出 直人 ,  跡部 杏子 ,  佐藤 裕平 ,  立石 真理

IPC: H01L21/336 ,  H01L27/146 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78693

Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い 半導体装置を提供する。 【解決手段】化学量論的組成比を超える酸素を含む領域を有する非晶質酸化物半導体層と 、該非晶質酸化物半導体層上に設けられた酸化アルミニウム膜とを含んで構成される半導 体装置を提供する。該非晶質酸化物半導体層は、脱水又は脱水素化処理を行った結晶性又 は非晶質酸化物半導体層に対して、酸素注入処理を行い、その後、酸化アルミニウム膜を 設けた状態で450℃以下の熱処理を行うことで形成される。 【選択図】図1

Abstract translation: 在包括氧化物半导体的半导体器件的稳定的电特性被施加，以提供高度可靠的半导体器件。 一种半导体构造成包括具有含氧过量比半导体层的区域中的化学计量组成的无定形氧化物和氧化铝膜提供非晶氧化物半导体层 提供一种装置。 非晶氧化物半导体层，相对于所述结晶或无定形氧化物半导体层进行脱水或进行脱氢处理氧气注入过程中，然后，450℃下在具有氧化铝膜的状态下 它通过执行以下的热处理而形成。 1点域

公开(公告)号：JP6943997B2

公开(公告)日：2021-10-06

申请号：JP2020027052

申请日：2020-02-20

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  坂田 淳一郎 ,  三宅 博之 ,  桑原 秀明 ,  立石 真理

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 ,  H01L51/50 ,  H01L27/32 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

公开(公告)号：JP2021131559A

公开(公告)日：2021-09-09

申请号：JP2021078366

申请日：2021-05-06

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 久保田 大介 ,  岩城 裕司 ,  吉住 健輔 ,  立石 真理 ,  高瀬 奈津子

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L27/32 ,  H05B33/02 ,  H05B33/06 ,  G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1345 ,  G09F9/00

Abstract: 【課題】信頼性の高い表示装置を提供する。 【解決手段】第1の基板と、第1の基板上の第1の樹脂層と、第1の樹脂層上の、画素部 及び端子部と、端子部上の第2の樹脂層と、第2の樹脂層上の第2の基板と、を有し、画 素部は、トランジスタと、トランジスタと電気的に接続された表示素子とを有する表示装 置において、端子部は、導電層を有し、第1の樹脂層は、開口部を有し、導電層は、開口 部において、第1の樹脂層から露出した第1の領域を有し、第2の樹脂層は、第1の領域 と重なる領域を有し、導電層は、トランジスタのソース及びドレイン、又は、ゲートの少 なくとも一方と同層の導電層とする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2021073686A

公开(公告)日：2021-05-13

申请号：JP2020218348

申请日：2020-12-28

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 郷戸 宏充 ,  荒井 康行 ,  岡本 知広 ,  立石 真理 ,  小林 恵里子 ,  菅尾 惇平

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/06 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置において、トランジスタ180、190は、酸化物半導体層144aと、酸化物半導体層と接するソース電極141a及びドレイン電極141bと、酸化物半導体層と重なるゲート電極148と、酸化物半導体層とゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層146と、酸化物半導体層に接して設けられた絶縁層150aと、を有する。酸化物半導体層は、該酸化物半導体層の端面において、ソース電極及びドレイン電極と接し、且つ、該酸化物半導体層の上面において、絶縁層を介して、ソース電極及びドレイン電極と接する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6852133B2

公开(公告)日：2021-03-31

申请号：JP2019163533

申请日：2019-09-09

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 桑原 秀明 ,  遠藤 佑太 ,  立石 真理 ,  高橋 正弘

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L27/32 ,  G09F9/30

公开(公告)号：JP2020073954A

公开(公告)日：2020-05-14

申请号：JP2019163533

申请日：2019-09-09

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 桑原 秀明 ,  遠藤 佑太 ,  立石 真理 ,  高橋 正弘

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L27/32 ,  G09F9/30

Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた信頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】酸化物半導体層及び酸化物半導体層と接する絶縁層を含む積層構造を含み、 酸化物半導体層は、チャネルが形成される第1の層と、第1の層と絶縁層との間に設けら れ、第1の層の伝導帯下端のエネルギーよりも真空準位に近い伝導帯下端のエネルギーを 有する第2の層とを含む。上記において、第2の層は、酸化物半導体層と接する絶縁層と 、チャネルとの間に欠陥準位が形成されることを抑制するバリア層として機能する。また 、第1の層及び第2の層は、それぞれ巨視的には原子配列に周期性が見られない程度、又 は、巨視的には長距離秩序性が見られない程度に極微細な結晶部を含む。例えば、1nm 以上10nm以下の範囲で原子配列に周期性が確認される結晶部を含む。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2020038992A

公开(公告)日：2020-03-12

申请号：JP2019206886

申请日：2019-11-15

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  坂田 淳一郎 ,  三宅 博之 ,  桑原 秀明 ,  立石 真理

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。 【解決手段】同一基板上に第1の薄膜トランジスタを有する画素部と第2の薄膜トランジ スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁 層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化 物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第1の薄膜トラ ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極 層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 【選択図】図1