公开(公告)号：JP3624963B2

公开(公告)日：2005-03-02

申请号：JP1115895

申请日：1995-01-27

Applicant: 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社

Inventor： 俊一 小林

IPC: C30B33/12 ,  B81C99/00 ,  C23C16/44 ,  C23F1/12 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

公开(公告)号：JP2004203675A

公开(公告)日：2004-07-22

申请号：JP2002374717

申请日：2002-12-25

Applicant: Toshiba Corp ,  株式会社東芝

Inventor： TONOYA JUNICHI ,  SUZUKI HIROYUKI

IPC: C30B29/20 ,  C30B33/12 ,  H01L21/3065

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a working method for single crystal alumina whereby objective deep unevenness or the like can be formed on the surface of single crystal alumina.
SOLUTION: The working method comprises the step of forming an etching mask comprising a nitrogen-containing compound on the surface of single crystal alumina and the step of subjecting the single crystal alumina to reactive ion etching with a plasma containing boron and chlorine by using the etching mask.
COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

公开(公告)号：JP3400609B2

公开(公告)日：2003-04-28

申请号：JP13597495

申请日：1995-05-08

IPC: C30B33/12 ,  C23F4/00 ,  C30B35/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065

公开(公告)号：JP2003502861A

公开(公告)日：2003-01-21

申请号：JP2001505050

申请日：2000-06-16

Applicant: ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング

Inventor： シルプ アンドレア ,  ベック トーマス ,  ベッカー フォルカー ,  レルマー フランツ

IPC: H05H1/46 ,  C30B33/12 ,  H01J37/32 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01J37/32174 ,  C30B33/12 ,  H01J37/32082 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/3086

Abstract: (57)【要約】 本発明は、プラズマ（１４）を用いた、基板（１０）、特に構造化されたシリコン基板の有利には異方性エッチングのための装置である。 この場合プラズマは、プラズマ生成源（１３）を用いて形成され、このプラズマ生成源には高周波電力の印加のために高周波発生器（１７）が接続されている。 高周波生成源にはさらに、プラズマ生成源（１３）に印加する高周波電力に周期的な変化を生じさせる第１の手段が接続されている。 その他にもそのつどの高周波電力の作用として変化するプラズマ発生源（１３）のインピーダンスに前記高周波発生器（１７）の出力インピーダンスを整合させる第２の手段が設けられている。 前記異方性エッチング方法は、交互に別個のエッチングステップと重合ステップにおいて実施され、エッチングステップ期間中には少なくとも時折、デポジションステップ期間の時よりも高い５０００Ｗまでの高周波電力がパルス生成源に印加される。

公开(公告)号：JP2002167207A

公开(公告)日：2002-06-11

申请号：JP2000360767

申请日：2000-11-28

Applicant: SONY CORP

Inventor： YAGI TAKAO ,  MUROYAMA MASAKAZU ,  SAITO ICHIRO

IPC: C01B31/02 ,  C01B31/06 ,  C30B29/04 ,  C30B33/12 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To remove non-crystalline carbon. SOLUTION: A substrate 1, in which crystalline carbon is formed on a catalytic metal, is placed inside of a reaction tube 2 equipped with a vacuum pump 3 for exhaust. Oxygen is supplied from a gas source 4 into the reaction tube 2, and a mixed gas is plasma gasified by a microwave from a microwave generator 5. Non-crystalline carbon, formed on the substrate 1 during crystalline carbon is formed, is made ashing by plasma gasified oxygen and removed selectively.

公开(公告)号：JP2000269288A

公开(公告)日：2000-09-29

申请号：JP6888599

申请日：1999-03-15

Applicant: SHINETSU HANDOTAI KK

Inventor： AKIYAMA SHOJI ,  KOBAYASHI NORIHIRO

IPC: C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  C30B33/12 ,  H01L21/66

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To detect a crystal defect affecting the oxide film breakdown voltage and secular dielectric breakdown characteristics of a silicon wafer, to simplify a measuring method, to improve and simplify evaluating method for oxide film breakdown strength and secular dielectric breakdown characteristics, and to significantly shorten a measurement time while a cost is reduced. SOLUTION: This is related to a crystal defect detecting method for a wafer wherein a thermal process is performed for forming a thermally oxidized film on the surface of a silicon wafer before thermally treated in the atmosphere containing hydrogen, so that the crystal defect in the silicon wafer is generated as a pit on the thermally oxidized film. In an oxide film breakdown voltage characteristics evaluating method for a silicon wafer, these are measured with a particle counter and the oxide film breakdown voltage characteristics of the silicon wafer is evaluated from the total number of pits of 0.15 μm or larger in size.

公开(公告)号：JP2993451B2

公开(公告)日：1999-12-20

申请号：JP138397

申请日：1997-01-08

Applicant: NIPPON DENKI KK

Inventor： HATSUTORI WATARU

IPC: C30B29/22 ,  C30B33/12 ,  H01L39/02 ,  H01L39/24

公开(公告)号：JP2917900B2

公开(公告)日：1999-07-12

申请号：JP7692096

申请日：1996-03-29

Applicant: NIPPON DENKI KK

Inventor： NIWA SHIGEKI

IPC: C30B33/12 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065

公开(公告)号：JP2840760B2

公开(公告)日：1998-12-24

申请号：JP15291089

申请日：1989-06-15

Applicant: HANDOTAI ENERUGII KENKYUSHO KK

Inventor： YAMAZAKI SHUNPEI ,  SUMINO SHINYA ,  HIROSE NAOKI ,  ARAI YASUYUKI ,  ISHIDA NORYA

IPC: B01J19/08 ,  B01J19/12 ,  C23C16/27 ,  C23C16/50 ,  C23C16/511 ,  C23F4/00 ,  C30B25/02 ,  C30B33/12

公开(公告)号：JP2825350B2

公开(公告)日：1998-11-18

申请号：JP40242890

申请日：1990-12-14

Applicant: TOSHIBA KK ,  TOSHIBA MAIKUROEREKUTORONIKUSU KK

Inventor： TSUCHA TADATOSHI ,  ROKUSHA TERUMI

IPC: C30B25/14 ,  C30B33/12 ,  H01L21/027 ,  H01L21/205 ,  H01L21/30 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065