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    無鉛はんだバンプ接合構造
    37.
    发明专利
    無鉛はんだバンプ接合構造 审中-公开
    无铅焊接结块结构

    公开(公告)号：JP2016103530A

    公开(公告)日：2016-06-02

    申请号：JP2014240113

    申请日：2014-11-27

    Applicant: 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 ,  日鉄住金マイクロメタル株式会社

    Inventor： 石川 信二 ,  寺嶋 晋一 ,  赤司 圭介

    IPC: B23K35/26 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01L21/60

    CPC classification number: B23K1/19 ,  B23K1/20 ,  B23K35/26 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02

    Abstract: 【課題】エレクトロマイグレーション現象およびサーモマイグレーション現象の相乗効果によって生じる断線不良を抑制し得る無鉛はんだバンプ接合構造を提供する。 【解決手段】無鉛はんだバンプ10内のCu電極4,7との接合界面に形成された金属間化合物層11,12からのCuの拡散が抑制されて金属間化合物層11,12が消失し難くなり、その分、当該金属間化合物層11,12によってCu電極4,7から無鉛はんだバンプ10内へとCuが拡散し難くなるので、電流を第1電子部材2および第2電子部材5間に無鉛はんだバンプ10を介して流し続けても、エレクトロマイグレーション現象やサーモマイグレーション現象の発生を抑制でき、かくして、エレクトロマイグレーション現象およびサーモマイグレーション現象の相乗効果によって生じる断線不良を抑制し得る。 【選択図】図2

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够抑制由电迁移现象和热迁移现象的协同效应产生的断开故障的无铅焊料接合结构。解决方案：在接合界面上形成的金属间化合物层11,12的扩散 在无铅焊料凸块10中的Cu电极4,7被抑制，金属间化合物层11,12难以消失。 结果，Cu难以通过金属间化合物层11,12从Cu电极4,7扩散到无铅焊料凸块10中，并且即使电流流入第一电子部件2和第二电子部件2之间 通过无铅焊料凸块10的第二电气部件5，可以抑制电迁移现象和热迁移现象的产生。 因此，可以抑制由电迁移现象和热迁移现象的协同效应产生的断开故障。选择图：图2

    金属層間のはんだ接合の形成方法
    39.
    发明专利
    金属層間のはんだ接合の形成方法 有权
    在金属层之间形成焊接点的方法

    公开(公告)号：JP2016051743A

    公开(公告)日：2016-04-11

    申请号：JP2014174773

    申请日：2014-08-29

    Applicant: インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション ,  INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

    Inventor： 青木 豊広 ,  堀部 晃啓 ,  森 裕幸 ,  折井 靖光 ,  鳥山 和重 ,  ティン リ ヤン

    IPC: H01L21/60

    CPC classification number: B23K1/0016 ,  B23K1/19 ,  H05K3/3494 ,  B23K2203/56 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463

    Abstract: 【課題】短時間で一定の厚みを確保しながら金属層(電極)間のはんだ接合部全体をIMC化することができるはんだ接合方法を提供する。 【解決手段】本発明の金属層間のはんだ接合の形成方法は、(a)2つの金属層12、16の間にはんだ材料18が載置された構造を準備するステップと、(b)構造を加熱して2つの金属層の間に金属間化合物を成長させるステップとを含む。金属間化合物を成長させるステップ(b)は、(b1)2つの金属層のはんだ材料に接する一方の面を金属間化合物が成長可能な第1温度T1にし、2つの金属層の前記はんだ材料に接する他方の面を第1温度より高い第2温度T2にすることを含み、(b2)2つの金属層の間の温度勾配(温度/単位厚さ)を所定値以上に維持しながら金属間化合物が2つの金属層12、16の間を略完全に埋めるまで実行される。 【選択図】図2

    Abstract translation: 要解决的问题：提供能够在短时间内确保恒定厚度的同时在金属层（电极）之间的焊接接头的完整IMC的焊接接合方法。解决方案：在金属层之间形成焊点的方法包括： 步骤（a）用于制备在两个金属层12,16之间安装焊料18的结构; 以及用于通过加热该结构在两个金属层之间生长金属间化合物的步骤（b）。 用于生长金属间化合物的步骤（b）包括：（b1）使与金属层的焊料材料接触的两个金属层的一个表面与允许金属间化合物生长的第一温度T1，以及 将与两个金属层的焊料材料接触的两个金属层的另一个表面带到比第一温度T1高的第二温度T2; 并且（b2）被执行直到两个金属层12,16之间的间隙基本上与金属间化合物完全填充，同时保持两个金属层之间的温度梯度（温度/单位厚度）高于预定值。图示：图 2

    セラミックスプレートと金属製の円筒部材との接合構造
    40.
    发明专利
    セラミックスプレートと金属製の円筒部材との接合構造 有权
    该陶瓷板和金属圆筒形构件之间的接合结构

    公开(公告)号：JP5851665B1

    公开(公告)日：2016-02-03

    申请号：JP2015544246

    申请日：2015-03-10

    Applicant: 日本碍子株式会社

    Inventor： 片居木 俊 ,  谷村 昂

    IPC: B23K1/19 ,  H01L21/683 ,  C04B37/02

    CPC classification number: H01L21/6833 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/19 ,  B23K3/00 ,  C04B37/02 ,  H01L21/68785 ,  B23K2203/18 ,  B23K2203/52

    Abstract: 半導体製造装置用部材は、AlN製のセラミックスプレートであるサセプタ10と、サセプタ10に接合されたガス導入パイプ20とを備えている。サセプタ10のうちガス導入パイプ20のフランジ22と対向する位置には、環状のパイプ接合用バンク14が形成されている。また、フランジ22とパイプ接合用バンク14との間には、パイプろう付け部24が形成されている。フランジ22は、幅が3mm以上、厚みが0.5mm以上2mm以下である。パイプ接合用バンク14は、高さが0.5mm以上であることが好ましく、フランジ22の外縁に対向する角の面取りがC面取りの場合にはC0.3以上、R面取りの場合にはR0.3以上であることが好ましい。

    Abstract translation: 用于半导体制造装置构件包括基座10由AlN陶瓷板，和气体导入管20，其被接合到基座10上。 相对的基座10的气体导入管20的凸缘22a的位置，环形管连接器组14形成。 凸缘22和管连接器组14，该管钎焊部24之间形成。 凸缘22具有3mm以上的宽度，它为0.5mm 2mm以上或更小的厚度。 管连接器组14是高度优选为0.5mm以上，若面向凸缘22的外边缘的斜切角是C倒角C0.3以上，中的R倒角R0.3的情况下 以上在550nm的波长。

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