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公开(公告)号：JP2016120535A
公开(公告)日：2016-07-07
申请号：JP2014260143
申请日：2014-12-24
Applicant: 株式会社ディスコ
IPC: H01L21/301 , B24B49/12 , B24B27/06
CPC classification number: H01L21/67092 , B28D5/022 , H01L21/67253
Abstract: 【課題】被加工物に形成される加工溝の状態を確認できる加工装置を提供する。 【解決手段】加工装置1は、被加工物を保持する保持手段6と、保持手段6に保持された被加工物に加工を施す切削手段10と、保持手段6と切削手段10とを相対的に加工送りする加工送り手段9と、被加工物の加工結果を撮像する撮像手段13とから少なくとも構成され、撮像手段13は、被加工物の加工領域を照明する照明機器14と、加工領域を撮像する撮像機器15とを含み、照明機器14は、加工領域を中心として東西南北のいずれかの方向から照明する照明方向選択機能142を備えているため、ウエーハWに形成された切削溝20とこれの周りとのコントラストが明確となる東西南北のいずれかの方向から照明機器14のLED141で照明しながら撮像機器15で撮像することができ、切削溝20の状態を容易に確認することができる。 【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够确认形成在工件中的处理槽的状态的处理装置。解决方案：处理装置1至少包括保持工件的保持装置6，工作的切割装置10 由保持装置6保持的工件，相对地供给保持装置6和切割装置10的处理进给装置9进行处理，以及对成像工件的处理结果进行成像的成像装置13。 成像装置13包括照亮工件的处理区域的照明装置14和对工件进行成像的成像装置15，其中照明装置14具有用于从东西方向的任何方向照明的照明方向选择功能142，以及 以南北为中心的加工区域。 因此，可以在成像装置15进行成像，同时从东西向和南北的任何方向从照明装置14的LED 141点亮，从而澄清切割槽20与其周边之间的对比度，因此 可以确认切割槽20的状态。选择图：图2
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公开(公告)号：JP2015107551A
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：JP2015018699
申请日：2015-02-02
Applicant: 株式会社東京精密 , 株式会社新日本テック , 渡邉 純二
IPC: H01L21/301 , B24D3/00 , B24D5/12
Abstract: 【課題】脆性材料から構成されるワークに対しても、クラックや割れを発生させることなく、延性モードで安定して精度良く切断加工を行うことができるダイシングブレードを提供する。 【解決手段】ダイシングブレード26は、ワークを切断ないしは溝入れ加工する回転駆動用のブレードである。このダイシングブレード26は、ダイヤモンド砥粒同士を焼結して結合させた多結晶ダイヤモンドにより、円盤状に一体的に構成される。 【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种切割刀片，其能够使切割稳定而准确地施加到脆性材料制的工件上，而不产生龟裂或断裂。解决方案：切割刀片26是 用于旋转驱动的刀片，其对工件进行切割或切槽。 切割刀片26由多晶金刚石整体制成圆盘形，其中金刚石磨粒烧结并连接在一起。
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公开(公告)号：JP2015039039A
公开(公告)日：2015-02-26
申请号：JP2014236666
申请日：2014-11-21
Applicant: 株式会社東京精密 , Tokyo Seimitsu Co Ltd , 株式会社新日本テック , Shin-Nihon Tech Inc , 純二 渡邉 , Junji Watanabe , 純二 渡邉
Inventor： FUJITA TAKASHI , IZUMI YASUO , WATANABE JUNJI
IPC: H01L21/301 , B24D3/00 , B24D5/12
Abstract: 【課題】脆性材料から構成されるワークに対しても、クラックや割れを発生させることなく、延性モードで安定して精度良く切断加工を行うことができるダイシングブレードを提供する。【解決手段】ワークを切断加工するダイシングブレード26であって、前記ダイシングブレード26は、ダイヤモンド砥粒82を焼結して形成されたダイヤモンド焼結体80によって円盤状に一体的に構成され、前記ダイシングブレード26の切れ刃部の断面は、ストレート形状ないしはテーパ形状であって、前記テーパ形状の場合は切れ刃部のテーパ角が20度以下であり、前記ダイヤモンド焼結体80は前記ダイヤモンド砥粒82の含有量が80vol%以上である。前記ダイシングブレード26の外周部には、前記ダイヤモンド焼結体80の表面に形成された凹部が周方向に沿って連続して設けられていることが好ましい。【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种切割刀片，即使在这种工件由脆性材料构成时也能以稳定的方式以高精度切割加工性而不产生龟裂的切割刀。解决方案：用于切削加工的切割刀片26一体形成 具有通过烧结金刚石磨粒82形成的金刚石烧结体80的盘状形状。切割刀片26的切割边缘部分的横截面形成为直的或锥形的形状。 当横截面形成为锥形时，切削刃部的锥角为20度以下，金刚石烧结体80含有80体积％以上的金刚石磨粒82.优选形成凹部 在金刚石烧结体80的表面上沿圆周方向连续配置在切割刀26的外周。
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公开(公告)号：JP2015029135A
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：JP2014205556
申请日：2014-10-06
Applicant: 富士ゼロックス株式会社 , Fuji Xerox Co Ltd
Inventor： MINAMI TAKESHI , TEZUKA HIROAKI , MURATA MICHIAKI , YAMAZAKI KENJI
IPC: H01L21/301 , B24B27/06
CPC classification number: H01L21/78 , B23D65/00 , B28D5/0011 , B28D5/022 , H01L21/3043 , H01L33/0095
Abstract: 【課題】半導体片の破損を抑制できる半導体片の製造方法を提供する。【解決手段】半導体片の製造方法は、基板の表面に表面側の溝を形成する工程と、前記基板の裏面から、前記表面側の溝の幅よりも厚みが厚い回転する切削部材で、前記表面側の溝に通じる裏面側の溝を形成し、前記表面側の溝の幅と前記裏面側の溝の幅との差により形成される段差部を有する半導体片に個片化する工程と、を備え、前記切削部材の厚みの中心が溝幅方向にばらつく範囲が前記表面側の溝幅から外れる製造条件においては、前記切削部材の先端形状の先細りの度合が小さいために前記段差部が破損する第1の先細りの範囲と、前記切削部材の先端形状の先細りの度合が大きいために前記段差部が破損する第2の先細りの範囲とを確認し、前記第1の先細りの範囲と前記第2の先細りの範囲との間の第3の先細りの範囲に含まれる先細りの度合の前記切削部材で前記裏面側の溝を形成する。【選択図】図17
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够抑制半导体条的破坏的半导体条的制造方法。解决方案：半导体条的制造方法包括：在前表面的前表面侧形成沟槽的步骤 半导体; 以及通过旋转切削工具在后表面侧形成沟槽的步骤，所述旋转切削工具的厚度比衬底的背面的前表面侧的沟槽的宽度更厚， 并且将衬底切割成具有由前表面侧的沟槽的宽度与背面侧的沟槽的宽度之间的差形成的台阶的半导体条。 在切削工具的厚度的中心的沟槽宽度方向上的分散范围在前表面侧的沟槽宽度之外的制造条件中，由于步骤被损坏的第一锥度的范围，因为 检查切削工具的尖端形状的锥度是否小，检查由于切削工具的尖端形状的锥度大而导致台阶损坏的第二锥形的范围，并且 后表面侧的沟槽由具有包括在第一锥形的范围和第二锥度的范围之间的第三锥形范围内的锥度的切削工具形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2015029066A
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：JP2014109185
申请日：2014-05-27
Applicant: 富士ゼロックス株式会社 , Fuji Xerox Co Ltd
Inventor： MINAMI TAKESHI , TEZUKA HIROAKI , MURATA MICHIAKI , YAMAZAKI KENJI , YAMADA SHUICHI , ONO KENICHI
IPC: H01L21/301 , B24B27/06
CPC classification number: H01L21/78 , B23D65/00 , B28D5/0011 , B28D5/022 , H01L21/3043 , H01L33/0095
Abstract: 【課題】半導体片の破損を抑制できる半導体片の製造方法、回路基板および電子装置を提供する。【解決手段】半導体片の製造方法は、基板の表面に表面側の溝を形成する工程と、基板の裏面から、表面側の溝の幅よりも厚みが厚い回転する切削部材で、表面側の溝に通じる裏面側の溝を形成し、表面側の溝の幅と裏面側の溝の幅との差により形成される段差部を有する半導体片に個片化する工程とを備え、頂部に頂面を有さない先細りした切削部材を使用し、かつ、頂部が溝幅方向にばらつく範囲が表面側の溝幅から外れる製造条件においては、頂部の領域で最大応力を与えて段差部を破損させる先細りの範囲よりも先細りの度合が小さい先端形状を有する切削部材で裏面側の溝を形成する。【選択図】図17
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够抑制半导体条，电路板和电子设备破损的半导体条的制造方法。解决方案：制造半导体条的方法包括：在前面形成沟槽的步骤 半导体表面的表面侧; 以及通过旋转切削工具在后表面侧形成沟槽的步骤，所述旋转切削工具的厚度比衬底的背面的前表面侧的沟槽的宽度更厚， 并且将衬底切割成具有由前表面侧的沟槽的宽度与背面侧的沟槽的宽度之间的差形成的台阶的半导体条。 在使用不具有顶点顶面的锥形切削工具，并且顶面的沟槽宽度方向的分散范围不包括在前表面侧的沟槽宽度的制造条件下， 后表面侧由具有尖端形状的切削工具形成，其锥度小于通过对顶点的区域施加最大应力来损伤台阶的锥度的范围。
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公开(公告)号：JP2014204015A
公开(公告)日：2014-10-27
申请号：JP2013080097
申请日：2013-04-08
Applicant: 株式会社ディスコ , Disco Abrasive Syst Ltd
Inventor： HIROZAWA SHUNICHIRO
IPC: H01L21/301 , B24B27/06
CPC classification number: B26D1/04 , B28D5/022 , H01L21/67092 , H01L21/78 , Y10T83/0524
Abstract: 【課題】コストや工数をかけることなくチップ飛びによって円形板状物上面にスクラッチが形成されてしまうおそれを低減することができる円形板状物の分割方法を提供する。【解決手段】交差する多数の第一および第二分割予定ライン3A,3Bを切削ブレード33によりダウンカットで切削液を供給しながらフルカットしてワーク1を多数のデバイス2(チップ)に分割するにあたり、第一分割予定ライン3Aに沿ってフルカットする第一切削ステップと、第二分割予定ライン3Bに沿ってフルカットする第二切削ステップとを備え、少なくとも第二切削ステップにおいて、第二方向Bの切削を切り終わり側で外周縁1cを切削することなく未切削領域5aを形成し、端材チップの形成を抑える。【選択図】図6
Abstract translation: 要解决的问题：为了提供一种分割圆板状材料的方法，同时减少由于芯片散射而在圆板状材料的上表面上形成划痕的风险，而不会导致成本和 工时。解决方案：通过切割刀片33全面切割大量第一和第二交叉分割线3A，3B，将工件1分割成大量装置2（芯片）的方法，同时供应 一种切割液体，包括：沿着第一分割线3A全切割的第一切割步骤; 以及沿着第二分割线3B全切割的第二切割步骤。 至少在第二切割步骤中，通过在第二方向B上结束切割的一侧不切割外周边缘1c来形成未切割区域5a，从而抑制端材切屑的形成。
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公开(公告)号：JP5395446B2
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：JP2009011570
申请日：2009-01-22
Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/78 , B28D5/022 , H01L23/3121 , H01L24/48 , H01L2224/05554 , H01L2224/48095 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10156 , H01L2924/10157 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: With a recent shrinking semiconductor process, insulating layers formed between interconnect layers are becoming thin. To avoid parasitic capacitance between them, materials of a low dielectric constant have been used for an insulating layer in a multilevel interconnect. Low-k materials, however, have low strength compared with the conventional insulating layers. Porous low-k materials are structurally fragile. The invention therefore provides a manufacturing method of a semiconductor device having a multilevel interconnect layer including a low-k layer. According to the method, in a two-step cutting system dicing in which after formation of a groove in a semiconductor water with a tapered blade, the groove is divided with a straight blade thinner than the groove width, the multilevel interconnect layer portion is cut while being covered with a tapered face and then the wafer is separated with a thin blade which is not brought into contact with the multilevel interconnect layer portion. The wafer can be diced without damaging a relatively fragile low-k layer.
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公开(公告)号：JP5139720B2
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：JP2007149487
申请日：2007-06-05
Applicant: 株式会社ディスコ
IPC: B24B1/04 , B24B41/04 , H01L21/301
CPC classification number: B28D5/022 , B27B5/32 , H01L21/67092 , Y10S83/956 , Y10T83/9379 , Y10T83/9403 , Y10T83/97
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