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    半導体装置の作製方法
    41.
    发明专利
    半導体装置の作製方法 有权
    半导体器件的制造方法

    公开(公告)号：JP2016184744A

    公开(公告)日：2016-10-20

    申请号：JP2016079403

    申请日：2016-04-12

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 岡崎 健一 ,  宮本 敏行 ,  羽持 貴士 ,  野村 昌史

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L21/02211 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/7869 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3272 ,  H01L27/3276

    Abstract: 【課題】混入が信頼性に悪影響を与える水素原子を有する物質、特に水を低減する半導体装置の作製方法を提供する。 【解決手段】水を含む雰囲気下であっても水の侵入を防ぐ効果が高く、膨潤が少ない高密度な酸化窒化シリコン膜を保護膜として設け、酸化物半導体106を用いた半導体装置(トランジスタ200)への水の侵入を防ぐ。密度が2.32g/cm 3 以上、またはプレッシャークッカー試験前後において膨潤率が4体積%以下、またはフーリエ変換型赤外分光法によるスペクトルのピーク(極大吸収波数)が1056cm −1 以上に現れる、酸化窒化シリコン膜を、第1の保護膜110の上の第2の保護膜112として用いる。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种半导体器件的制造方法，其中当混合特别是水时，具有不利影响可靠性的氢原子的物质被减少。溶液：水进入半导体器件（晶体管200） 包括氧化物半导体106和氮氧化硅膜作为保护膜，其密度高，溶胀较小，并且防止即使在含水环境中的水进入也具有高效果。 用作第一保护膜110上的第二保护膜112的氮氧化硅膜在压力锅试验前后的密度为2.32g / cm 2以上，溶胀比为4体积％以下，峰（ 基于傅里叶变换红外光谱的光谱的最大吸收波数）出现在1056厘米以上。选择图：图1

    半導体装置
    42.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020053695A

    公开(公告)日：2020-04-02

    申请号：JP2019221353

    申请日：2019-12-06

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 岡崎 健一 ,  宮本 敏行 ,  野村 昌史 ,  羽持 貴士 ,  山崎 舜平 ,  佐々木 俊成

    IPC: H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786

    Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、酸素欠損の含有量を低減する。また 、酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性を向上させる。 【解決手段】基板上に形成されるゲート電極と、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、ゲー ト絶縁膜を介してゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜に接する一対の 電極とを有するトランジスタ上に、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜、及び一対の電極を覆 う第1の絶縁膜と、該第1の絶縁膜を覆う第2の絶縁膜を有し、第1の絶縁膜は、25℃ において0.5重量%のフッ酸に対する第1の絶縁膜のエッチング速度が10nm/分以 下であり、且つ第2の絶縁膜より遅いことを特徴とする。 【選択図】図1

    半導体装置
    44.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019125809A

    公开(公告)日：2019-07-25

    申请号：JP2019077568

    申请日：2019-04-16

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 宮本 敏行 ,  野村 昌史 ,  羽持 貴士 ,  岡崎 健一

    IPC: H01L29/786

    Abstract: 【課題】静電破壊による歩留まりの低下を防ぎ、信頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】ゲート電極層と、ゲート電極層上の第1のゲート絶縁層と、第1のゲート絶 縁層上に設けられ、第1のゲート絶縁層よりも膜厚の小さい第2のゲート絶縁層と、第2 のゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層 及びドレイン電極層と、を有し、第1のゲート絶縁層は、電子スピン共鳴法において、g 値が2.003に現れる信号に対応するスピン密度が1×10 17 spins/cm 3 以 下である窒素を含むシリコン膜であり、第2のゲート絶縁層は、第1のゲート絶縁層より も含有水素濃度の低い窒素を含むシリコン膜である半導体装置を提供する。 【選択図】図1

    半導体装置
    46.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018160686A

    公开(公告)日：2018-10-11

    申请号：JP2018117895

    申请日：2018-06-21

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 山崎 舜平 ,  佐々木 俊成 ,  羽持 貴士 ,  宮本 敏行 ,  野村 昌史 ,  肥塚 純一 ,  岡崎 健一

    IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H01L21/336

    CPC classification number: H01L29/7869

    Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性変動を抑制した半導体装置 、又は信頼性を向上させた半導体装置を提供する。 【解決手段】チャネル形成領域を構成する酸化物半導体膜を有する半導体装置において、 当該酸化物半導体膜上に水の侵入を抑制し、少なくとも窒素を含む絶縁膜と、当該絶縁膜 から放出される窒素の侵入を抑制する絶縁膜と、を設けることである。なお、酸化物半導 体膜に侵入する水としては、大気に含まれる水、又は当該水の侵入を抑制する絶縁膜上に 設けられた膜などに含まれる水などがある。また、水の侵入を抑制する絶縁膜としては、 加熱による水素分子の放出量が5.0×10 21 分子/cm 3 未満である窒化絶縁膜を用 いることができる。 【選択図】図1

    半導体装置
    50.
    发明专利
    半導体装置 有权

    公开(公告)号：JP2017157845A

    公开(公告)日：2017-09-07

    申请号：JP2017078076

    申请日：2017-04-11

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 野村 昌史 ,  岡崎 健一 ,  宮本 敏行 ,  羽持 貴士 ,  山崎 舜平

    IPC: H01L21/336 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L29/786

    CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

    Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より優れたゲート絶縁膜を有する半 導体装置を提供する。また、現在実用化されている量産技術からの膜構成、プロセス条件 、または生産装置等の変更が少なく、半導体装置に安定した電気特性を付与し、信頼性の 高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。 【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上 に形成された酸化物半導体膜と、を有し、ゲート絶縁膜は、窒化酸化シリコン膜と、窒化 酸化シリコン膜上に形成された酸化窒化シリコン膜と、酸化窒化シリコン膜上に形成され た金属酸化膜と、を含み、金属酸化膜上に酸化物半導体膜が接して形成される。 【選択図】図1

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