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公开(公告)号：JPWO2016068224A1
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：JP2016556616
申请日：2015-10-29
IPC: H01L29/786 , H01L21/283 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78636 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L29/66742 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/66969 , H01L29/78 , H01L29/7869
Abstract: フォトリソグラフィ工程数を削減し、微細なパターンの形成が可能な薄膜トランジスタ、MOS電界効果トランジスタの製造方法を及びこれにより作製された薄膜トランジスタ、MOS電界効果トランジスタを提供することを目的とする。それらの薄膜トランジスタ、MOS電界効果トランジスタは電子デバイスに用いられる。薄膜トランジスタは、基板上に設けられた第一の絶縁層と、第一の絶縁層上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、第一の絶縁層とソース電極とドレイン電極とを覆うように設けられた半導体層と、半導体層上に設けられた第二の絶縁層と、第二の絶縁層上に設けられたゲート電極とを具備し、第一の絶縁層は親撥材から成り、かつ凹部を有し、第一の絶縁層の凹部を埋めるようにソース電極及びドレイン電極が設けられることを特徴とする。
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公开(公告)号：JPWO2008105552A1
公开(公告)日：2010-06-03
申请号：JP2009501329
申请日：2008-02-26
IPC: G03F7/004 , G02F1/1339 , G03F7/033
CPC classification number: G03F7/033 , G02F1/13394 , G02F2201/50 , G02F2202/022 , G03F7/031
Abstract: [A]不飽和カルボン酸および/または不飽和カルボン酸無水物と、これとは異なる他の不飽和化合物の共重合体、[B]重合性不飽和化合物、[C]感放射線性重合開始剤、および[D]ニトロキシル化合物例えばビス(1−オキシル−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン−4−イル)セバケートを含有する感放射線性樹脂組成物。微細なパターンを形成することができる解像性能に優れた感放射線性樹脂組成物を提供すること。
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公开(公告)号：JPWO2015137248A1
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：JP2016507493
申请日：2015-03-06
CPC classification number: H05K3/107 , G03F7/0046 , G03F7/027 , G03F7/0392 , G03F7/36 , G03F7/40 , G03F7/70 , H05K3/105 , H05K3/1258
Abstract: 下記の(i)〜(v)の工程を含むことを特徴とする配線の製造方法。(i)基板(10)に、感放射線性組成物を塗布し塗膜(20)を形成する工程(ii)塗膜(20)の所定部分に放射線照射を行い、放射線照射部(30)と放射線未照射部(40)とを有する塗膜(21)を形成する工程(iii)凹部(31)と凸部(41)とを有する塗膜(22)を形成する工程(iv)凹部(31)に配線(50)を形成する工程(v)放射線照射または加熱により、凸部(41)を除去する工程
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公开(公告)号：JPWO2016039327A1
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：JP2016547445
申请日：2015-09-08
CPC classification number: C23C16/44 , B05D3/06 , B29C59/16 , C08J7/00 , C09D129/10 , C09D133/10 , C09D133/14 , C09D133/16 , C23C16/56 , G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/26 , H05K3/0023 , H05K3/12 , H05K2201/0166
Abstract: 本発明は、凹パターンを有する構造体の製造方法、樹脂組成物、導電膜の形成方法、電子回路及び電子デバイスに関し、該構造体の製造方法は、下記工程(i)及び(ii)を含み、下記工程(i)で得られる塗膜の膜厚に対して、5%以上90%未満薄い膜厚の凹パターンを有する構造体の製造方法である。(i)酸解離性基を有する重合体及び酸発生剤を含む樹脂組成物を用いて、構造体の非平坦面に塗膜を形成する工程(ii)前記塗膜の一部の所定部分に放射線照射を行うことにより凹部を形成する工程
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公开(公告)号：JP5051371B2
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：JP2007304133
申请日：2007-11-26
Applicant: Jsr株式会社
Inventor： 仁 浜口
IPC: G03F7/004 , C08F279/00 , C08K5/06 , C08L51/00 , G02F1/1333 , G02F1/1339 , G03F7/033
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公开(公告)号：JP4844774B2
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：JP2009501329
申请日：2008-02-26
Applicant: Jsr株式会社
IPC: G03F7/004 , G02F1/1339 , G03F7/033
CPC classification number: G03F7/033 , G02F1/13394 , G02F2201/50 , G02F2202/022 , G03F7/031
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公开(公告)号：JP5051378B2
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：JP2008076709
申请日：2008-03-24
Applicant: Jsr株式会社
Inventor： 仁 浜口
IPC: G03F7/033 , G02F1/1339 , G03F7/40
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公开(公告)号：JP4895034B2
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：JP2007126691
申请日：2007-05-11
Applicant: Jsr株式会社
IPC: G03F7/033 , C08F2/38 , C08F295/00 , G02F1/1339
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