公开(公告)号：JP6768469B2

公开(公告)日：2020-10-14

申请号：JP2016229393

申请日：2016-11-25

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： 松田 堅義 ,  久保田 純 ,  三浦 薫

IPC: H01L41/09 ,  H01L41/113 ,  C04B35/468 ,  B06B1/06 ,  B41J2/14 ,  G02B7/04 ,  G03B5/00 ,  G03B9/14 ,  G02B26/08 ,  B81B3/00 ,  H04R17/00 ,  G01C19/56 ,  H03H9/25 ,  H03H9/145 ,  A61B8/14 ,  H01L41/187

公开(公告)号：JP2019140393A

公开(公告)日：2019-08-22

申请号：JP2019017345

申请日：2019-02-01

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： 久保田 純 ,  清水 康志 ,  松田 堅義 ,  古田 達雄 ,  三浦 薫 ,  上田 未紀 ,  大志万 香菜子

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/09 ,  H01L41/273 ,  H01L41/113 ,  C04B35/468 ,  H01B3/12 ,  H01L41/187

Abstract: 【課題】環境温度による圧電定数の変化を緩やかにした圧電セラミックスを提供する。 【解決手段】一片の圧電セラミックスであって、該圧電セラミックスはABO 3 の組成式で示されるペロブスカイト型金属酸化物を主成分とし、前記組成式中のA元素は、BaとM 1 を含み、前記M 1 はCaおよびBiから選ばれた少なくとも1種からなり、前記組成式中のB元素は、TiとM 2 を含み、前記M 2 はZr、SnおよびHfから選ばれた少なくとも1種からなり、前記M 1 および前記M 2 は前記圧電セラミックスの少なくとも一方向に対して濃度が変化しており、濃度変化の増減方向が前記M 1 と前記M 2 で逆方向になっていることを特徴とする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6463210B2

公开(公告)日：2019-01-30

申请号：JP2015084534

申请日：2015-04-16

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： 清水 康志 ,  武田 憲一 ,  伊福 俊博 ,  久保田 純 ,  林 潤平 ,  古田 達雄 ,  松島 和樹

IPC: H04N5/225 ,  G03B17/02

公开(公告)号：JP6324088B2

公开(公告)日：2018-05-16

申请号：JP2014013649

申请日：2014-01-28

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： 久保田 純 ,  村上 俊介 ,  渡邉 隆之 ,  上田 未紀

IPC: H01L41/09 ,  H01L41/273 ,  H01L41/43 ,  C04B35/468 ,  B41J2/14 ,  H02N2/02 ,  H01L41/187

CPC classification number: H01L41/18 ,  B06B1/0644 ,  B08B7/02 ,  B32B18/00 ,  B41J2/14201 ,  B41J2/14233 ,  C01G49/0036 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/50 ,  C04B35/495 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3274 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/345 ,  C04B2237/704 ,  G02B27/0006 ,  H01L41/0471 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/08 ,  H01L41/083 ,  H01L41/09 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/183 ,  H01L41/1871 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/43 ,  H02N2/001 ,  H02N2/106 ,  H02N2/163 ,  H04N5/2254

公开(公告)号：JP2017112362A

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：JP2016229475

申请日：2016-11-25

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： 久保田 純 ,  松田 堅義 ,  三浦 薫

IPC: H01L41/09 ,  H01L41/113 ,  C04B35/468 ,  H02N2/18 ,  H02N2/04 ,  H02N2/16 ,  B41J2/14 ,  G02B7/04 ,  G03B5/00 ,  G02B26/08 ,  G02B26/02 ,  B81B3/00 ,  H04R1/34 ,  H03H9/25 ,  H03H9/145 ,  A61B8/14 ,  H02N2/12 ,  H01L41/187

CPC classification number: H01L41/1871 ,  B06B1/06 ,  B06B1/0644 ,  B41J2/14233 ,  G02B26/02 ,  G02B26/08 ,  G02B26/0833 ,  H01L41/047 ,  H01L41/0471 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/09 ,  H01L41/0973 ,  H02N2/103 ,  H02N2/16 ,  H02N2/186 ,  H03H9/64 ,  B41J2202/03 ,  H01L41/316 ,  H01L41/318 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/02543

Abstract: 【課題】−30℃〜50℃の温度範囲内において安定して高い圧電定数と小さな誘電損失を有する薄膜型の圧電素子を提供する。 【解決手段】基板、第一の電極、圧電膜、第二の電極が設けられた圧電素子であって、前記圧電膜はBa、Bi、Ti、Zr、FeおよびMnを含む酸化物であり、前記圧電膜におけるBaおよびBiの和に対するBiのモル比を示すy値が0.001≦y≦0.015であり、Ti、ZrおよびFeの和に対するZrのモル比を示すx値が0.010≦x≦0.060であり、前記Ti、ZrおよびFeの和に対するFeのモル比を示すz値が0.001≦z≦0.015であり、前記Ti、ZrおよびFeの和に対するMnのモル比を示すm値が0.0020≦m≦0.0150であり、かつ、yとzの関係が0.90≦y/z≦1.10であることを特徴とする圧電素子。 【選択図】 図1

公开(公告)号：JP2016172686A

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：JP2016052866

申请日：2016-03-16

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： 渡邉 隆之 ,  久保田 純 ,  村上 俊介

IPC: H01L41/43 ,  H01L41/187 ,  H01L41/09 ,  H01L41/113 ,  C30B9/00 ,  C04B35/00 ,  C30B29/30

CPC classification number: H01L41/1873 ,  C30B29/30 ,  C30B7/08 ,  H01L41/43

Abstract: 【課題】 従来の一段階溶融塩法によって得られるニオブ酸ナトリウムの直方体状の単結晶は、ナトリウムがニオブに対して20%より多く欠損するという課題があった。 【解決手段】 上記課題を解決する本発明は、ペロブスカイト構造のニオブ酸ナトリウムを主成分とする直方体状の単結晶の製造方法であって、一般式(1):Bi 2.5 Na m−1.5 Nb m O 3m+3 (mは2以上の整数)で表現される複数の結晶から構成される粒子であって、前記mの平均値m a が6よりも大きいニオブ酸ビスマスナトリウムと、ナトリウム含有アルカリ金属ハロゲン化物との混合物1を1200℃以上1250℃以下で熱処理してニオブ酸ナトリウムを主成分とする直方体状の単結晶を得る製造方法である。 【選択図】 図2

Abstract translation: 要解决的问题：为了解决通过常规的单步熔融盐法获得的长方体形的铌酸铌单晶的铌缺陷比铌缺陷大20％的问题。解决方案：一种制造长方体形状的长方体单晶的方法， 以铌酸钠为主要成分的钙钛矿结构体包括加热铌酸铋钠的混合物1，其为由通式（1）表示的多种结晶构成的粒子：BiNaNbO（m为2以上的整数），具有 在1200℃以上1250℃以下的温度下，使含有碱金属卤化物的钠的平均值为6以上，得到以铌酸铌为主要成分的长方体形状的单晶。 2

公开(公告)号：JP2016006876A

公开(公告)日：2016-01-14

申请号：JP2015129659

申请日：2015-06-29

Applicant: キヤノン株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 島田 幹夫 ,  饗場 利明 ,  伊福 俊博 ,  林 潤平 ,  久保田 純 ,  舟窪 浩 ,  島川 祐一 ,  東 正樹 ,  中村 嘉孝

IPC: H01L41/39 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L41/316 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  H01B3/12 ,  H01L41/187

CPC classification number: H01L41/1878 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/316 ,  H01L28/55

Abstract: 【課題】基板上に形成された強誘電体薄膜の薄膜全体において残留分極量を向上させた強誘電体薄膜を提供する。 【解決手段】基板11上に形成されたペロブスカイト型金属酸化物を含有する強誘電体薄膜12であって、強誘電体薄膜12はスピネル型金属酸化物からなる複数の柱状構造体から形成される柱状構造体群13を含有し、柱状構造体群13が基板11表面に対して垂直方向に立位している、又は垂直方向を中心として−10°以上+10°以下の範囲で傾斜している。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供形成在基板上的铁电薄膜，并且在铁电薄膜的整个薄膜中具有增加的剩余极化量。解决方案：铁电薄膜12包括钙钛矿型金属氧化物，并且是 形成在基板11上。铁电薄膜12还包括由多个由尖晶石型金属氧化物形成的列结构形成的柱状结构体13。 柱状结构体13处于与基板11的表面垂直的方向上的状态，或者以-10°以上-10.0°以下的倾斜角倾斜的状态，相对于 到垂直方向。

公开(公告)号：JP5795187B2

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：JP2011097852

申请日：2011-04-26

Applicant: キヤノン株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 久保田 純 ,  三浦 薫 ,  薮田 久人 ,  松村 喜彦 ,  島川 祐一 ,  東 正樹

IPC: C08K3/22 ,  C08L79/04 ,  C22C21/00 ,  C08L101/00

CPC classification number: C04B35/453 ,  C01G53/006 ,  C01G53/40 ,  C04B35/50 ,  C08K3/0091 ,  C08K3/22 ,  C09K5/06 ,  C22C1/10 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/54 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/32

公开(公告)号：JP5693081B2

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：JP2010177526

申请日：2010-08-06

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： 古田 達雄 ,  武田 憲一 ,  伊福 俊博 ,  久保田 純 ,  齋藤 宏

IPC: B06B1/06 ,  G03B17/02 ,  H04N5/225 ,  H02N2/00

CPC classification number: H02N2/008 ,  B06B1/0284 ,  B08B7/02 ,  G02B27/0006 ,  G03B2205/0061 ,  H01L41/187 ,  H01L41/43

公开(公告)号：JP6901886B2

公开(公告)日：2021-07-14

申请号：JP2017059612

申请日：2017-03-24

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： 林 潤平 ,  武田 憲一 ,  小山 信也 ,  渡邉 隆之 ,  清水 康志 ,  古田 達雄 ,  上田 未紀 ,  上林 彰 ,  田中 秀典 ,  久保田 純

IPC: H03H9/17 ,  H02N2/02 ,  H03H3/02