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公开(公告)号:KR102229623B1
公开(公告)日:2021-03-17
申请号:KR1020180093857A
申请日:2018-08-10
申请人: 삼성에스디아이 주식회사
CPC分类号: G03F7/0042 , C07F7/2224 , G03F7/027 , G03F7/028 , G03F7/032 , G03F7/2004 , H01L21/0274
摘要: 본 기재는, 하기 화학식 1로 표현되는 구조단위를 포함하는 유기금속 화합물 및 용매를 포함하는 반도체 레지스트용 조성물과, 이를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
화학식 1에 대한 구체적인 내용은 명세서 상에서 정의된 것과 같다.-
公开(公告)号:KR20210027087A
公开(公告)日:2021-03-10
申请号:KR1020200099015A
申请日:2020-08-07
申请人: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人: 도모히로 고바야시 , 츠카사 와타나베 , 히로키 노나카 , 세이이치로 다치바나
CPC分类号: G03F7/0042 , G03F7/0045 , G03F7/0048 , G03F7/26 , G03F7/32 , G03F7/325 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/2037
摘要: [과제] 특히 EUV 및 전자선 리소그래피에 있어서, 고감도 또한 고해상도의 금속 함유 레지스트 재료, 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
[해결수단] 레지스트 재료로서, (i) 하기 일반식 (M-1)로 표시되는 금속 화합물과, (ii) 유기 용제를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 재료.-
公开(公告)号:JP6345602B2
公开(公告)日:2018-06-20
申请号:JP2014560115
申请日:2013-03-01
申请人: フエロ コーポレーション
发明人: デトリー,テリー,ジェイ. , サコスケ,ジョージ,イー. , ロズウッド,スティーブン , サーヴァー,ジョセフ,イー.
CPC分类号: B23K26/18 , B05D5/00 , B23K26/352 , B41M5/26 , G03F7/0042 , G03F7/20 , Y10T428/24802
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公开(公告)号:JP6196897B2
公开(公告)日:2017-09-13
申请号:JP2013252469
申请日:2013-12-05
申请人: 東京応化工業株式会社
CPC分类号: C08F30/04 , C07F7/006 , C08F4/06 , C08F4/12 , C08F4/16 , C08G18/222 , G03F7/0042 , G03F7/038 , G03F7/2002 , C08F299/0464 , G03F7/004 , G03F7/30 , G03F7/40
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公开(公告)号:JPWO2016043200A1
公开(公告)日:2017-07-06
申请号:JP2016548899
申请日:2015-09-15
CPC分类号: G03F7/0044 , G03F7/0042 , G03F7/0045 , G03F7/038 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/2037 , G03F7/322 , G03F7/325
摘要: 本発明は、膜を形成する工程、膜を露光する工程及び露光された膜を現像する工程を備え、膜を、加水分解性基を有する遷移金属化合物、加水分解性基を有する遷移金属化合物の加水分解物、加水分解性基を有する遷移金属化合物の加水分解縮合物又はこれらの組み合わせである金属含有化合物と式(1)で表される有機化合物とを混合して得られる錯体を含有する感放射線性組成物を用いて形成するパターン形成方法である。下記式(1)中、R1は、n価の有機基である。nは、1〜4の整数である。nが1の場合、Xは、−COOHである。nが2〜4の場合、Xは、−OH、−COOH、−NCO、−NHRa、−COORA又は−CO−C(RL)2−CO−RAである。Raは、水素原子又は1価の有機基である。RAは、それぞれ独立して、1価の有機基である。RLは、それぞれ独立して、水素原子又は1価の有機基である。
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公开(公告)号:JPWO2015166779A1
公开(公告)日:2017-04-20
申请号:JP2016515912
申请日:2015-04-09
申请人: 富士フイルム株式会社
IPC分类号: C09B67/20 , C08K5/3415 , C08L101/00 , C09B57/00 , C09B67/22 , G02B5/20 , H01L27/14
CPC分类号: G03F7/0007 , C09B57/00 , C09B67/009 , G02B5/201 , G02B5/208 , G02B5/22 , G03F7/0042 , G03F7/0045 , G03F7/027 , G03F7/031 , G03F7/032 , G03F7/033 , G03F7/0388 , G03F7/105 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H04N5/33
摘要: 着色組成物は、着色剤と樹脂とを含み、波長400〜830nmの範囲における吸光度の最小値Aと、波長1000〜1300nmの範囲における吸光度の最大値Bとの比であるA/Bが、4.5以上である。
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公开(公告)号:JP2015510950A
公开(公告)日:2015-04-13
申请号:JP2014560115
申请日:2013-03-01
申请人: フエロ コーポレーション , フエロ コーポレーション
发明人: デトリー,テリー,ジェイ. , サコスケ,ジョージ,イー. , ロズウッド,スティーブン , サーヴァー,ジョセフ,イー.
CPC分类号: B23K26/18 , B05D5/00 , B23K26/0066 , B41M5/26 , G03F7/0042 , G03F7/20 , Y10T428/24802
摘要: 種々のレーザーマーキング組成物と関連する方法が述べられている。レーザーマーキング組成物はビヒクル(vehicle)とモリブデン金属錯体、タングステン金属錯体、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される金属錯体を含有するレーザー吸収剤を含む。この組成物と方法を使って基材上に形成されたマーク又は他のしるしはコントラストが増強され、基材への結合性が改善している。レーザー吸収剤として化学式CoxMoyOz(原子パーセントで、x=15.38〜26.93、y=16.67〜43.83、z=29.24〜66.67)を有する酸化コバルトモリブデンや、化学式CoxWyOz(原子パーセントでx=16.67、y=16.67及びz=66.67)をもつ酸化コバルトタングステンを含有するものが使用される。
摘要翻译: 与各种激光标记组合物相关联的方法进行说明。 激光标记组合物包括车辆(车辆)钼金属络合物,钨络合物,和含有选自它们的组合组成的组中的金属配合物的激光吸收材料。 通过使用该方法形成于基板上的组合物和标记或其它标记的增强的对比度,结合到衬底被提高。 (在原子百分比,X = 15.38〜26.93,Y = 16.67〜43.83,Z = 29.24〜66.67)式CoxMoyOz作为激光吸收剂氧化钴,钼和具有化学式CoxWyOz(在x = 16.67原子%,Y = 16.67和 那些含有Z = 66.67)与使用钨的氧化钴。
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公开(公告)号:JP5171422B2
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:JP2008160023
申请日:2008-06-19
申请人: ルネサスエレクトロニクス株式会社
IPC分类号: G03F7/004 , C08F212/14 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号: G03F7/0392 , G03F7/0042 , G03F7/0044 , G03F7/0382 , Y10S430/106 , Y10S430/114 , Y10S430/127
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9.
公开(公告)号:JP2010522358A
公开(公告)日:2010-07-01
申请号:JP2010500823
申请日:2008-03-19
发明人: テ−ジュン カン、 , キ−チュル キム、 , サン−ジン シン、 , サン−リュル マン、
IPC分类号: G03F7/004 , C01G19/00 , G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号: C01G19/00 , C01P2002/70 , C01P2002/84 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , C23C18/1216 , C23C18/14 , G03F7/0042 , Y10S430/143
摘要: ITO電子ビームレジストの合成方法が提供される。 このITO電子ビームレジストの合成方法は、塩化インジウム四水和物と塩化スズ二水和物とを2−エトキシエタノールに溶解させて合成する。 また、ITOパターンの形成方法が提供される。 このITOパターンの形成方法は、ITO電子ビームレジストを合成する段階と、基板上に合成されたITO電子ビームレジストをコーティングし、ITO電子ビームレジスト膜を形成する段階と、ITO電子ビームレジスト膜を、電子ビーム描画装置を利用してパターニングし、ITO電子ビームレジストパターンを形成する段階と、ITO電子ビームレジストパターンを熱処理し、ITOパターンを形成する段階とを含む。
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10.
公开(公告)号:JP4050370B2
公开(公告)日:2008-02-20
申请号:JP125298
申请日:1998-01-07
申请人: 株式会社Kri
CPC分类号: G03F7/0042 , G03F7/002 , G03F7/0047 , G03F7/0755
摘要: An inorganic pattern is formed by coating an inorganic substance-containing photosensitive composition comprising a photosensitive polymer (A), a condensable organic metal compound or a condensate thereof (B) and an inorganic filler having a functional group (C) on a base, exposing the coated layer, and developing the exposed layer to form a pattern, baking the pattern give an inorganic pattern. The photosensitive polymer (A) may be constituted of an oligomer or polymer, and a photosensitizer, and the condensable organic metal compound (B) may have a photosensitive group. The inorganic filler may be a monodispersed colloidal silica having a mean particle size of 2 to 100 nm. The proportions of the components (B) and (C) relative to 1 part by weight of the component (A) on a solid basis are about 1 to 25 parts by weight and about 1 to 20 parts by weight, respectively. Even when the content of an inorganic component is high, an inorganic pattern of high resolution can be formed with the use of the above resin composition.
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