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    絶縁ゲート型半導体装置、及び、絶縁ゲート型半導体装置の製造方法
    5.
    发明专利
    絶縁ゲート型半導体装置、及び、絶縁ゲート型半導体装置の製造方法 有权
    绝缘栅半导体器件和绝缘栅半导体器件制造方法

    公开(公告)号：JP2015201559A

    公开(公告)日：2015-11-12

    申请号：JP2014080040

    申请日：2014-04-09

    Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所 ,  株式会社デンソー

    Inventor： 斎藤 順 ,  池田 知治 ,  庄司 智幸 ,  山本 敏雅

    IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

    CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/046 ,  H01L21/76237 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/105 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7397

    Abstract: 【課題】 外周トレンチに位置ずれが生じても、高い耐圧が得られる絶縁ゲート型半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体基板12と、表面電極14と、裏面電極18を有し、表面電極14と裏面電極18の間をスイッチングする絶縁ゲート型半導体装置であって、半導体基板12の表面に形成されている第1外周トレンチ54aと、半導体基板12の表面に形成されており、第1外周トレンチ54aよりも深い第2外周トレンチ54bと、第1外周トレンチ54aの底面に露出する第2導電型の第5領域56aと、第2外周トレンチ54bの底面に露出しており、表面側の端部が第5領域56aの裏面側の端部よりも裏面側に位置する第2導電型の第6領域56bと、第5領域56aを第6領域56bから分離している第1導電型の第7領域28を有する。 【選択図】図2

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种绝缘栅半导体器件，其即使在外周沟槽处发生位移时也能实现高的击穿电压。解决方案：一种绝缘栅半导体器件，其具有半导体衬底12，表面电极14和背电极18 并且进行表面电极14和背面电极18之间的切换，并且包括：形成在半导体基板12的表面上的第一外周沟槽54a; 形成在半导体衬底12的表面上并且比第一外周沟槽54a更深的第二外周沟槽54b; 在第一外周槽54a的底面露出的第二导电型第五区域56a; 第二导电类型第六区域56b，其暴露在第二外周沟槽54b的底面上，并且在表面侧具有比后表面上的第五区域56a的端部更靠近后面的端部; 以及将第五区域56a与第六区域56b分离的第一导电类型第七区域28。

    トランジスタおよび半導体装置
    6.
    发明专利
    トランジスタおよび半導体装置 审中-公开
    晶体管和半导体器件

    公开(公告)号：JP2015195380A

    公开(公告)日：2015-11-05

    申请号：JP2015067224

    申请日：2015-03-27

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 山崎 舜平 ,  坂倉 真之

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/105 ,  H01L51/50 ,  H01L29/786

    CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/092 ,  H01L29/045 ,  H01L29/105 ,  H01L29/78696 ,  H01L21/823807

    Abstract: 【課題】寄生容量の小さいトランジスタを提供する。または、周波数特性の高いトランジスタを提供する。または、該トランジスタを有する半導体装置を提供する。 【解決手段】酸化物半導体と、第1の導電体と、第2の導電体と、第3の導電体と、第1の絶縁体と、第2の絶縁体と、を有し、第1の導電体は、第1の絶縁体を介して、第1の導電体と酸化物半導体とが互いに重なる第1の領域と、第1の絶縁体および第2の絶縁体を介して、第1の導電体と第2の導電体とが互いに重なる第2の領域と、第1の絶縁体および第2の絶縁体を介して、第1の導電体と第3の導電体とが互いに重なる第3の領域と、を有し、酸化物半導体は、酸化物半導体と第2の導電体とが接する第4の領域と、酸化物半導体と第3の導電体とが接する第5の領域と、を有するトランジスタである。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供具有较小寄生电容的晶体管; 或提供具有改进的频率特性的晶体管; 或提供具有晶体管的半导体器件。解决方案：晶体管包括氧化物半导体，第一导体，第二导​​体，第三导体，第一绝缘体和第二绝缘体。 第一导体具有：第一导体和氧化物半导体在第一绝缘体上彼此重叠的第一区域; 所述第一导体和所述第二导体跨越所述第一绝缘体和所述第二绝缘体彼此重叠的第二区域; 以及第一导体和第三导体跨越第一绝缘体和第二绝缘体彼此重叠的第三区域。 氧化物半导体具有：氧化物半导体和第二导体彼此接触的第四区域; 以及氧化物半导体和第三导体彼此接触的第五区域。

    半導体装置
    7.
    发明专利
    半導体装置 有权
    半导体器件

    公开(公告)号：JP2015126087A

    公开(公告)日：2015-07-06

    申请号：JP2013269268

    申请日：2013-12-26

    Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所 ,  株式会社デンソー

    Inventor： 斎藤 順 ,  藤原 広和 ,  池田 知治 ,  渡辺 行彦 ,  山本 敏雅

    IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/06

    CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/76237 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/105 ,  H01L29/167 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7395

    Abstract: 【課題】 外周領域内により高速で空乏層を伸展させることで、より高い耐圧を実現可能な技術を提供する。 【解決手段】 半導体装置であって、絶縁ゲート型スイッチング素子が形成されている素子領域と外周領域を有しており、外周領域内の半導体基板の表面に、第1トレンチと、第1トレンチから間隔を隔てて配置されている第2トレンチが形成されており、第1トレンチと第2トレンチ内に、絶縁膜が形成されており、第1トレンチの底面から第2トレンチの底面に跨って延びる第2導電型の第4領域が形成されており、第4領域の下側に、第3領域から連続する第1導電型の第5領域が形成されている半導体装置。 【選択図】図2

    Abstract translation: 要解决的问题：提供能够通过在外周区域中高速膨胀耗尽层来实现更高耐受电压的技术。解决方案：半导体器件具有具有绝缘栅型开关元件和外周区域的元件区域 。 在外围区域的半导体衬底的表面上形成有从第一沟槽排列成空间的第一沟槽和第二沟槽。 在第一沟槽和第二沟槽中形成绝缘膜。 形成具有第二导电类型并且从第一沟槽的底表面延伸穿过第二沟槽的底表面的第四区域。 第四区域形成有第一导电类型并且从第三区域继续的第五区域。

    半導体装置およびその製造方法
    9.
    发明专利
    半導体装置およびその製造方法 有权
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：JP2015032673A

    公开(公告)日：2015-02-16

    申请号：JP2013160781

    申请日：2013-08-01

    Applicant: 株式会社東芝 ,  Toshiba Corp

    Inventor： NISHIO JOJI ,  SHIMIZU TATSUO ,  OTA CHIHARU ,  SHINOHE TAKASHI

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

    CPC classification number: H01L29/167 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802

    Abstract: 【課題】キャリアの移動度を向上させた半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、n型の第1のSiCエピタキシャル層と、第1のSiCエピタキシャル層上に設けられ、p型不純物とn型不純物を含有し、p型不純物を元素A、n型不純物を元素Dとする場合に、元素Aと元素Dとの組み合わせが、Al(アルミニウム)、Ga(ガリウム)またはIn(インジウム)とN(窒素)、B(ボロン)とP(リン)の少なくとも一方の組み合わせであり、組み合わせを構成する元素Dの濃度の元素Aの濃度に対する比が0.33より大きく1.0より小さい、p型の第2のSiCエピタキシャル層と、第2のSiCエピタキシャル層の表面に設けられるn型の第1および第2のSiC領域と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、第2のSiC領域上に設けられた第1の電極と、第1の電極と反対側に設けられた第2の電極と、を備える。【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种提高载流子迁移率的半导体器件。解决方案：半导体器件包括：n型第一SiC外延层; 设置在包含p型杂质和n型杂质的第一SiC外延层上的p型第二SiC外延层，元素A用作p型杂质，元素D用作n型杂质， 元素A和元素D的组合是Al（铝），Ga（镓）或In（铟）和N（氮），B（硼）和P（磷）的至少一种组合，a 元素D的浓度与形成组合的元素A的浓度的比例大于0.33且小于1.0; 设置在所述第二SiC外延层的表面上的n型第一和第二SiC区域; 栅极绝缘膜; 栅电极; 设置在所述第二SiC区域上的第一电极; 和与第一电极相对的第二电极。

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