公开(公告)号：JP6426377B2

公开(公告)日：2018-11-21

申请号：JP2014123447

申请日：2014-06-16

申请人： エルジー イノテック カンパニー リミテッド

发明人： ホン・キヨン

IPC分类号： H01L33/10 ,  H01L33/14 ,  F21S2/00 ,  F21Y101/00 ,  H01L33/30

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L33/025 ,  H01L33/10 ,  H01L33/30

公开(公告)号：JP2018174155A

公开(公告)日：2018-11-08

申请号：JP2018133999

申请日：2018-07-17

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 山崎 舜平 ,  小山 潤 ,  広瀬 篤志 ,  津吹 将志 ,  野田 耕生

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/22 ,  H01L27/32 ,  G02B5/20 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H05B33/12

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L21/823412 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/156 ,  H01L27/3213 ,  H01L29/24 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L33/025 ,  H01L2924/0002 ,  H04M1/0266 ,  H04R1/02 ,  H01L2924/00

摘要： 【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、信号検出感度が高く、ダイ ナミックレンジの広い半導体装置を得ることを課題の一つとする。 【解決手段】チャネル形成層としての機能を有し、水素濃度が5×10 19 (atoms /cm 3 )以下であり、電界が発生していない状態においては、実質的に絶縁体として機 能する酸化物半導体を有する薄膜トランジスタを用いてアナログ回路を構成することで、 信号検出感度が高く、ダイナミックレンジの広い半導体装置を得ることができる。 【選択図】図13

公开(公告)号：JP2018163941A

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：JP2017059404

申请日：2017-03-24

申请人： 日機装株式会社

发明人： 古澤 優太

IPC分类号： H01L33/06 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32

摘要： 【課題】半導体発光素子の光出力を向上させる。 【解決手段】半導体発光素子10は、n型窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)系半導体材料のn型クラッド層24と、n型クラッド層24上に設けられ、n型クラッド層24より酸素(O)濃度が高い中間層25と、中間層25上に設けられるAlGaN系半導体材料の活性層26と、活性層26上に設けられるp型半導体層と、を備える。中間層25は、少なくとも酸素(O)およびアルミニウム(Al)を含んでもよい。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018163356A

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：JP2018097727

申请日：2018-05-22

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 山崎 舜平 ,  小山 潤 ,  広瀬 篤志 ,  津吹 将志 ,  野田 耕生

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L27/32 ,  H05B33/02 ,  G09F9/30

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L21/823412 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/156 ,  H01L27/3213 ,  H01L29/24 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L33/025 ,  H01L2924/0002 ,  H04M1/0266 ,  H04R1/02 ,  H01L2924/00

摘要： 【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、ダイナミックレンジの広い半導体装置を得る。 【解決手段】画素部と、回路部とを有し、画素は、第1のトランジスタ6511と、第2のトランジスタ6502と、第3のトランジスタ6513と、発光素子6504と、容量素子6503と、第1の配線と、第2の配線と、を有し、回路部は、第4のトランジスタ6512を有し、第2のトランジスタのチャネル幅とチャネル長Lの比W/Lの値は、第3のトランジスタのチャネル幅とチャネル長の比W/Lの値よりも大きく、第2のトランジスタと、第3のトランジスタの少なくとも一は、第1の導電層と、第1の絶縁層と、第1の酸化物半導体層と、第2の絶縁層と、を有し、第4のトランジスタは、第2の酸化物半導体層と、第2の絶縁層と、第2の酸化物半導体層と重なる領域を有する第2の導電層と、を有し、第2の導電層は、電気的に浮遊した状態である。 【選択図】図14

公开(公告)号：JP2018061057A

公开(公告)日：2018-04-12

申请号：JP2017236272

申请日：2017-12-08

申请人： 王子ホールディングス株式会社

发明人： 梶田 康仁 ,  篠塚 啓 ,  大 紘太郎

IPC分类号： H01L33/22

CPC分类号： H01L33/025 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/18 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32

摘要： 【課題】半導体発光素子における光の取り出し効率を高めることの可能な半導体発光素子用基板、および、半導体発光素子を提供する。 【解決手段】半導体発光素子用基板であって、半導体層を含む発光構造体が形成される発光構造体形成面を有し、発光構造体形成面は、基板の1つの結晶面に沿って広がる平坦部14と、平坦部14から突き出た複数の大径突部12と、大径突部12よりも小さい複数の小径突部13と、を備え、複数の小径突部13のうちの少なくとも一部は、大径突部12の外表面から突き出ている第1の小径突部13であり、大径突部12は、平坦部14に接続する基端と先端とを有し、大径突部12の先端よりも基端の方で、相互に隣接する前記第1の小径突部13の間における溝の深さが浅い。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP6302254B2

公开(公告)日：2018-03-28

申请号：JP2014005040

申请日：2014-01-15

申请人： 株式会社東芝 ,  東芝デバイス&ストレージ株式会社

发明人： 彦坂 年輝 ,  吉田 学史 ,  名古 肇 ,  布上 真也

IPC分类号： C23C16/34 ,  H01L33/32 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L29/201 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02584 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/365 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32

公开(公告)号：JP6199281B2

公开(公告)日：2017-09-20

申请号：JP2014506129

申请日：2013-03-07

申请人： シャープ株式会社

发明人： 神川 剛 ,  加藤 正明 ,  花本 哲也

IPC分类号： H01L33/10 ,  H01L33/32 ,  H01L33/64 ,  H01L33/60 ,  H01L33/16

CPC分类号： H01L33/58 ,  H01L21/268 ,  H01L21/78 ,  H01L33/005 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/42 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0091 ,  H01L33/64

公开(公告)号：JP2017525159A

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：JP2017507866

申请日：2015-08-07

申请人： グロ アーベーGlo Ab ,  グロ アーベーGlo Ab

发明人： リンダ ロマノ， ,  リンダ ロマノ， ,  ピン ワン， ,  ピン ワン，

IPC分类号： H01L33/04 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/24 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/12 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42

摘要： コア−シェルナノワイヤデバイスは、シェルの上端部のp面からシェルの下部のm面までの構造的な不連続性を有するひさし領域を含む。ひさし領域は、シェルのp面部およびm面部よりも少なくとも5原子パーセント高いインジウム含有量を有する。

公开(公告)号：JP2017524252A

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：JP2017504158

申请日：2015-08-04

申请人： オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH ,  オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

发明人： クリストフ アイヒラー ,  クリストフ アイヒラー ,  アドリアン シュテファン アヴラメスク ,  アドリアン シュテファン アヴラメスク ,  テレーザ ヴルム ,  テレーザ ヴルム ,  イェレナ リスティチ ,  イェレナ リスティチ

IPC分类号： H01S5/34 ,  H01L33/06

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L27/20 ,  H01L33/025 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/083

摘要： 本発明は、オプトエレクトロニクス部品を製造するための方法および電磁放射を発生するための活性域(3)を有するオプトエレクトロニクス部品に関し、活性域(3)は半導体材料の少なくとも1つの層構成(100、200)に隣接し、層構成(100、200)は少なくとも2つの層を含み、2つの層は、2つの層の間の界面にピエゾ電場が形成されるように構成され、ピエゾ電場は界面で電圧降下を引き起こし、ピーク・ドーピング領域(6、13)は、電圧降下を小さくするために、2つの層の界面および2つの層内に形成され、活性域から離れた方向に、ピーク・ドーピング領域のドープ量が、少なくとも第1のパーセント値だけ増加し、そして少なくとも第2のパーセント値だけ戻るように減少し、第1のパーセント値および第2のパーセント値はピーク・ドーピング領域の最大ドープ量の10%よりも大きい。

公开(公告)号：JPWO2015186478A1

公开(公告)日：2017-04-20

申请号：JP2016525747

申请日：2015-05-12

申请人： シャープ株式会社

发明人： 知也 井上 ,  知也 井上

IPC分类号： H01L33/24 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/24 ,  H01L33/42

摘要： 窒化物半導体発光素子は、基板(1)と、基板(1)の上に順に設けられたn型窒化物半導体層(7)、単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造を含む発光層(15)、及び、p型窒化物半導体層(17)とを備える。n型窒化物半導体層(7)は、基板(1)側から発光層(15)側へ向かう方向に順に設けられた第1n型窒化物半導体層(9)、第2n型窒化物半導体層(11)、及び、第3n型窒化物半導体層(13)を有する。第2n型窒化物半導体層(11)のn型ドーパント濃度が、第1n型窒化物半導体層(9)のn型ドーパント濃度よりも低い。第3n型窒化物半導体層(13)のn型ドーパント濃度が、第2n型窒化物半導体層(11)のn型ドーパント濃度よりも高い。第2n型窒化物半導体層(11)と第3n型窒化物半導体層(13)と発光層(15)とには、Vピット構造(27)が部分的に形成されている。Vピット構造(27)の開始点(27C)の平均的な位置は、第2n型窒化物半導体層(11)内に存在する。