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    化学増幅ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
    2.
    发明专利
    化学増幅ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019204048A

    公开(公告)日：2019-11-28

    申请号：JP2018100564

    申请日：2018-05-25

    申请人： 信越化学工業株式会社

    发明人： 小竹 正晃 ,  渡邉 聡 ,  増永 恵一

    IPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/09 ,  G03F7/20 ,  C08F212/14 ,  G03F7/004

    摘要： 【課題】適度な強度、かつ拡散の小さい酸を発生することができるオニウム塩を含む化学増幅ネガ型レジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いるパターン形成方法を提供する。 【解決手段】(A)式(A)で表されるオニウム塩を含む酸発生剤、及び(B)特定のヒドロキシアリール基を有するアクリル酸系エステル繰り返し単位を含むポリマーを含む化学増幅ネガ型レジスト組成物。 (式中、A + は、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオン又はアンモニウムカチオンである。) 【選択図】なし

    高分子化合物、ポジ型レジスト組成物、積層体、及びレジストパターン形成方法
    8.
    发明专利
    高分子化合物、ポジ型レジスト組成物、積層体、及びレジストパターン形成方法 有权
    聚合物化合物，正型抗蚀剂组合物，层压体，并形成抗蚀剂图案的方法

    公开(公告)号：JP2017031378A

    公开(公告)日：2017-02-09

    申请号：JP2015155422

    申请日：2015-08-05

    申请人： 信越化学工業株式会社

    发明人： 土門 大将 ,  渡邉 聡 ,  増永 恵一 ,  小竹 正晃

    IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  C08F220/38

    CPC分类号： C08F216/10 ,  G03F1/78 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/093 ,  G03F7/2059 ,  G03F7/322 ,  C08F220/38

    摘要： 【課題】極めて高い解像性を有し、ラインエッジラフネス(LER)の小さい、矩形性に優れたパターンの形成が可能なレジスト膜を形成できるレジスト組成物のベース樹脂として好適な高分子化合物の提供。 【解決手段】例えば側鎖にトリフルオロメチル基及びエステルのアルコール由来部にスルホニウムカチオンとを有する(メタ)アクリル酸エステル系の繰り返し単位と、エステルのアルコール由来部が縮合環を含む(メタ)アクリル酸系繰り返し単位及び置換基を有する縮合環からなる芳香族オレフィンからなる繰り返し単位から選ばれる1種以上の繰り返し単位とを含有する高分子化合物。 【選択図】なし

    摘要翻译： A具有非常高的分辨率，小的线边缘粗糙度（LER），优异的图案矩形的形成可形成抗蚀剂能够适合的聚合化合物作为基础树脂的膜在抗蚀剂组合物 提供。 包括，例如，在重复酯稠环的丙烯酸酯系，醇衍生部分的单元中的侧链和锍阳离子和酯（甲基）三氟甲基的醇衍生部分（甲基）丙烯酸 含有选自由芳香族烯烃的重复单元中选出的至少一种重复单元包括具有酸基的重复单元和取代基的稠环聚合化合物。 系统技术领域

    フォトマスクブランク、レジストパターンの形成方法、及びフォトマスクの製造方法
    9.
    发明专利
    フォトマスクブランク、レジストパターンの形成方法、及びフォトマスクの製造方法 有权
    PHOTOMASK BLANK，形成电阻图案的方法和制造光电子学方法

    公开(公告)号：JP2016099535A

    公开(公告)日：2016-05-30

    申请号：JP2014237282

    申请日：2014-11-25

    申请人： 信越化学工業株式会社

    发明人： 阿達 鉄平 ,  渡邉 聡 ,  土門 大将 ,  増永 恵一

    IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/11 ,  C08F220/30 ,  G03F1/50 ,  G03F1/76

    CPC分类号： G03F1/78 ,  G03F1/20 ,  G03F1/80 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392

    摘要： 【解決手段】高エネルギー線露光用の化学増幅ポジ型レジスト膜を備えるフォトマスクブランクであって、前記レジスト膜が(A)下記式(1)で表される繰り返し単位及び少なくとも1個のフッ素原子を含む繰り返し単位を含む高分子化合物、(B)酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大するベース樹脂、(C)酸発生剤、並びに(D)塩基性化合物を含むフォトマスクブランク。 【効果】(A)成分の高分子化合物がレジスト膜表面に偏在することによって、レジスト膜上への帯電防止膜の塗布性が向上する。また、帯電防止膜中からの酸や、酸を中和する成分の浸透を防ぐことができ、レジスト膜の経時安定性が格段に向上する。特に(A)成分の高分子化合物が添加されたレジスト膜を設けたフォトマスクブランクから、このレジスト膜のレジストパターンを用いて、描写精度の高いフォトマスクを得ることができる。 【選択図】なし

    摘要翻译： 解决方案：提供一种包括用于高能量束曝光的化学放大的正性抗蚀剂膜的光掩模，其中抗蚀剂膜包括：（A）具有由下式（1）表示的重复单元的聚合物化合物和至少含有 一个氟原子; （B）通过酸的作用分解以增加与碱性显影剂的溶解度的基础树脂; （C）酸产生剂; （D）碱性化合物。作为抗蚀剂膜表面，由于成分（A）的高分子化合物不均匀地存在，所以抗蚀剂膜上的抗静电膜的涂布性提高。 可以防止酸或成分从抗静电膜中和酸的渗透，这显着地提高了抗蚀剂膜的稳定性。 特别地，通过使用抗蚀剂膜的抗蚀剂图案，可以从具有抗蚀剂膜的光掩模坯料获得具有高拉伸精度的光掩模。添加图形：无

    化学増幅型ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法
    10.
    发明专利
    化学増幅型ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 有权
    化学放大抗负荷组合物和模式过程

    公开(公告)号：JP2015132679A

    公开(公告)日：2015-07-23

    申请号：JP2014003245

    申请日：2014-01-10

    申请人： 信越化学工業株式会社

    发明人： 土門 大将 ,  増永 恵一 ,  渡邉 聡 ,  大橋 正樹

    IPC分类号： G03F7/038 ,  H01L21/027 ,  C08F212/08 ,  C08F220/16 ,  G03F7/004

    CPC分类号： G03F7/027 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0388 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/30 ,  G03F1/50 ,  G03F7/26

    摘要： 【課題】パターン形成時の解像性が向上し、かつラインエッジラフネス(LER)の低減されたパターンを得られる化学増幅型ネガ型レジスト組成物を提供する。 【解決手段】下記一般式(0−1)で示されるオニウム塩、酸の作用によりアルカリ不溶性となる樹脂、酸発生剤を含有するものであることを特徴とする化学増幅型ネガ型レジスト組成物。 【化1】 (式中、R f は、フッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。Yは、炭素数3〜30の環状炭化水素基を表し、該環状炭化水素基中の水素原子は、ヘテロ原子単体又はへテロ原子で置換されていてもよい1価の炭化水素基で置換されていてもよく、前記環状炭化水素基の環状構造中及び前記1価の炭化水素基にヘテロ原子が介在していてもよい。M + は1価のカチオンを表す。) 【選択図】なし

    摘要翻译： 要解决的问题：提供一种化学放大型负性抗蚀剂组合物，其可以提高形成图案时的分辨率，并产生具有较少线边缘粗糙度（LER）的图案。溶解性：化学放大的负性抗蚀剂组合物包含 通式（0-1）表示通过酸作为碱不溶性的树脂和酸发生剂。 （式中，R表示氟原子或三氟甲基; Y表示碳原子数3〜30的环状烃基，环状烃基中的氢原子可以被单个杂原子或一价烃基取代， 被杂原子取代，杂原子可插入环状烃基和一价烃基的环状结构中; M表示一价阳离子。）