公开(公告)号：JP5033279B2

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：JP2000564239

申请日：1999-08-02

Applicant: ザ・キュレーターズ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・ミズーリThe Curators Of The University Of Missouri

Inventor： シェン・ズ ,  ヘンリー・ダブリュー・ホワイト ,  ユンリエル・リュ

IPC: H01L29/22 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  C30B23/02 ,  H01L21/203 ,  H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L21/363 ,  H01L21/385 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/10 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  H01L33/28 ,  H01S5/327

CPC classification number: H01L33/285 ,  C23C14/081 ,  C23C14/086 ,  C23C14/28 ,  C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/1836 ,  H01L33/0087 ,  Y02E10/50 ,  Y10S148/113 ,  Y10T428/12681

Abstract: A p-type zinc oxide film and process for preparing the film and p-n or n-p junctions is disclosed. In a preferred embodiment, the p-type zinc oxide film contains arsenic and is grown on a gallium arsenide substrate. The p-type zinc oxide film has a net acceptor concentration of at least about 10 17 acceptors/cm 3 , a resistivity of no greater than about 1 ohm-cm, and a Hall mobility of between about 0.1 and about 50cm 2 /Vs.

公开(公告)号：JP4624648B2

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：JP2003030639

申请日：2003-02-07

Applicant: Jx日鉱日石金属株式会社

Inventor： 立一 平野 ,  英行 谷口

IPC: C30B29/10 ,  C30B29/48 ,  C30B11/00 ,  C30B11/02 ,  G01R15/24 ,  G02F1/00 ,  G02F1/03 ,  H01L31/00 ,  H01L31/0296

CPC classification number: H01L31/02963 ,  C30B11/00 ,  C30B29/48 ,  G01R15/241 ,  G02F1/0018 ,  G02F1/0305 ,  G02F2202/106

公开(公告)号：JP4241049B2

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：JP2002581578

申请日：2002-04-04

Applicant: ヘルムホルツ−ツェントルム ベルリン フュア マテリアリーエン ウント エネルギー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングHelmholtz−Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH

Inventor： ピーツカー クリスティアン ,  シェーア ローラント

IPC: H01L21/477 ,  H01L45/00 ,  C23C14/06 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  C30B25/10 ,  G01R31/26 ,  H01L21/00 ,  H01L21/06 ,  H01L21/16 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L21/66 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0322 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：JP2007524234A

公开(公告)日：2007-08-23

申请号：JP2006547522

申请日：2004-12-28

Applicant: ディクスレイ,インコーポレイティド

Inventor： エス． イワンシーク，ジャン ,  ニガード，アイナー ,  イー． パット，ブラッドリー

IPC: H01L31/09 ,  A61B6/03 ,  G01T1/24 ,  G01T1/29 ,  G01T7/00 ,  H01J5/02 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0296 ,  H04N5/32

CPC classification number: G01T1/2928 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14658 ,  H01L27/14661 ,  H01L27/14696 ,  H01L31/0296 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15184 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: Ｘ線などの放射線を検出する放射線検出器である。 放射線検出器は、複数のピクセルを具備した検出器を含んでおり、ピクセルのそれぞれを使用して放射線を検出する。 放射線検出器は、第１面上に形成された複数のはんだボールと第２面上に形成された複数の接点を具備したボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）パッケージをも含んでいる。 ＢＧＡパッケージは、空洞をも具備しており、この空洞内に、少なくとも１つの集積回路（ＩＣ）チップが取り付けられている。 ＩＣチップは、複数の読み出しチャネルを具備しており、読み出しチャネルのそれぞれは、ピクセルの中の対応したものによって検出された放射線に対応した電気信号を受信するべく、対応するはんだボールを介して対応するピクセルに結合されている。

公开(公告)号：JP2002344000A

公开(公告)日：2002-11-29

申请号：JP2001144313

申请日：2001-05-15

Applicant: ACRORAD CO LTD

Inventor： MORIYAMA JITSUKI ,  MURAKAMI MASANORI ,  KIYATAKE ATSUSHI ,  ONO RYOICHI

IPC: G01T1/24 ,  H01L27/14 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/032 ,  H01L31/09 ,  H01L31/108 ,  H01L31/118

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a Schottky barrier type semiconductor radiation detecting element hard to be affected by polarization effect. SOLUTION: Related to a Schottky barrier type semiconductor radiation detecting element, one surface of a compound semiconductor crystal contains Inx Cdy Tez comprising indium, cadmium, and tellurium, as a means for applying a voltage to the compound semiconductor crystal whose main components are cadmium and tellurium.

公开(公告)号：JP2001320074A

公开(公告)日：2001-11-16

申请号：JP80000195

申请日：1995-03-15

Applicant: LORAL VOUGHT SYSTEMS CORP

Inventor： SCHIMERT THOMAS R ,  EDEN DAYTON D

IPC: G01J1/02 ,  G01J5/48 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/10 ,  H01L31/103 ,  H04N5/33

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To increase the detectability and diode resistance by reducing the volume and the cross-sectional area of a photovolatic diode without deteriorating the infrared ray absorption efficiency. SOLUTION: This infrared detector cell is provided with a plurality of linear segments disposed at equal intervals, and each linear segment forms an optical grating. Each segment is selectively added with impurities in the horizontal direction and forms a photovolatic diode. The linear segment is brought into ohmic contact between conductors to generate a single cell detection signal. The cell forms a diffractive resonance optical cavity. The array constituted by the cells generates an infrared image. There is disclosed a cell structure for receiving both a one-dimensional linearly polarized radiation and a two-dimensional unpolarized radiation.

公开(公告)号：JPH0728049B2

公开(公告)日：1995-03-29

申请号：JP50307187

申请日：1987-03-30

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/10 ,  H01L31/103

公开(公告)号：JPH06340499A

公开(公告)日：1994-12-13

申请号：JP12862293

申请日：1993-05-31

Applicant: MITSUBISHI ELECTRIC CORP

Inventor： KAWATSU YOSHIHEI ,  TAKAMI AKIHIRO

IPC: C30B19/04 ,  C30B29/46 ,  C30B33/02 ,  G01J1/02 ,  H01L21/368 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/10 ,  H01L31/103 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE:To improve reproducibility by growing a CdHGTe crystal on a semiconductor substrate by the use of a growth melt added with In in Te as the solvent and heat-treating the crystal in an Hg atmosphere to have a specified n-type carrier concn. CONSTITUTION:A CdTe substrate 3 is arranged in the recess 4a of a lower port 4, and a growth melt 7a mixed with n-type impurity In in Te as the solvent is put in an upper port 5 positioned on one end side and sealed with a lid member 6. The whole body is then heated in an H2 atmosphere to melt the growth melt 7a, which is then cooled to a specified temp., the upper port 5 is moved on the substrate 3 to cover the substrate 3 with the molten growth melt 7a, and a CdHg crystal 1a as grown contg. In is formed by epitaxial growth. The upper port 5 is moved to the other end side of the lower port 4 from the position on the substrate 3 after a specified time. The crystal is then heat-treated in an Hg atmosphere to obtain an n-type CdHgTe crystal having an n-type carrier concn. of 3X10 to 6X10 cm .

公开(公告)号：JPH0650744B2

公开(公告)日：1994-06-29

申请号：JP18946384

申请日：1984-09-10

IPC: C23C16/30 ,  H01L21/365 ,  H01L29/22 ,  H01L31/0248 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

公开(公告)号：JPH0519836B2

公开(公告)日：1993-03-17

申请号：JP23288784

申请日：1984-11-05

Applicant: MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD

Inventor： ISOZAKI YASUTO ,  HASEGAWA HIROSHI

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/06 ,  H01L31/072 ,  H01L31/073 ,  H01L31/18 ,  H01L51/42