公开(公告)号：KR20210032947A

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：KR1020217000072A

申请日：2019-07-04

Applicant: 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤

Inventor： 료타 와타나베

IPC: H01L27/146 ,  G01C3/06 ,  G01J1/02 ,  G01J1/04 ,  H01L27/144 ,  H01L31/103 ,  H04N5/33

CPC classification number: H01L27/14636 ,  G01C3/06 ,  G01J1/02 ,  G01J1/04 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/10 ,  H01L31/103 ,  H04N5/33 ,  H04N5/369

Abstract: 본 기술은, 특성을 향상시킬 수 있도록 하는 수광 소자 및 거리 측정 모듈에 관한 것이다. 수광 소자는, 온 칩 렌즈와, 배선층과, 온 칩 렌즈와 배선층 사이에 배치되는 반도체층을 구비하고, 반도체층은, 제1 전압이 인가되는 제1 전압 인가부와, 제1 전압과는 다른 제2 전압이 인가되는 제2 전압 인가부와, 제1 전압 인가부의 주위에 배치되는 제1 전하 검출부와, 제2 전압 인가부의 주위에 배치되는 제2 전하 검출부를 구비하고, 제1 전압 인가부와 제2 전압 인가부의 각각은, 반도체층 내에서 절연막으로 덮여서 구성된다. 본 기술은, 예를 들면, ToF 방식으로 거리 정보를 생성하는 수광 소자 등에 적용할 수 있다.

公开(公告)号：JP4785392B2

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：JP2005058438

申请日：2005-03-03

Applicant: キヤノン株式会社

Inventor： 大平 向出 ,  満 大塚 ,  敏彦 尾内 ,  壮俊 渡邉 ,  信太郎 笠井

IPC: G02F2/02 ,  G01J5/02 ,  H01L21/00 ,  H01L27/15 ,  H01L29/26 ,  H01L31/0248 ,  H01L31/103 ,  H01L31/12 ,  H01L31/18 ,  H01S1/02 ,  H01S5/04 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01S1/02 ,  H01L31/1035 ,  H01L31/184 ,  Y02E10/544

公开(公告)号：JP4499386B2

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：JP2003282164

申请日：2003-07-29

Applicant: 浜松ホトニクス株式会社

Inventor： 勝己 柴山

IPC: H01L31/02 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/10 ,  H01L31/103 ,  H01L31/105

CPC classification number: H01L31/0392 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/1469 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/103 ,  H01L31/105 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/19107 ,  Y02E10/50

公开(公告)号：JP4455996B2

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：JP2004530546

申请日：2003-08-07

Applicant: 浜松ホトニクス株式会社

Inventor： 勝己 柴山

IPC: H01L27/146 ,  G01T1/20 ,  G01T1/24 ,  H01L27/14 ,  H01L27/144 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/09 ,  H01L31/103 ,  H04N5/32 ,  H04N5/321 ,  H04N5/335 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L31/103 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/02363 ,  H01L2224/11 ,  Y02E10/50

公开(公告)号：JP4131059B2

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：JP23576099

申请日：1999-08-23

Applicant: ソニー株式会社

Inventor： 千広 荒井

IPC: G11B7/125 ,  H01L31/10 ,  G11B7/135 ,  H01L27/144 ,  H01L31/103

CPC classification number: H01L31/103 ,  H01L27/1443

Abstract: A semiconductor device includes a photodetector having a junction at which a first conductive type first semiconductor portion and a second conductive type second semiconductor portion are joined to each other. In this photodetector, division regions are formed in part of the first semiconductor portion in such a manner as to cross the first semiconductor portion and partially enter the second semiconductor portion, so that the junction is divided into a plurality of parts by the division regions, to form a plurality of photodetector regions having the divided junction parts. When a reverse bias voltage, which is equal to or less than a specific reverse bias voltage applied to the divided junction parts upon operation of the photodetector, is applied to the divided junction parts, depletion layers originated from two divided junction parts, disposed on both the sides of each of the division regions, of the plurality of divided junction parts extend, in the second semiconductor portion, under the division region to be brought into contact with each other. With this configuration, the frequency characteristic and the light receiving sensitivity of the photodetector are improved.

Abstract translation: 半导体器件包括具有第一导电类型第一半导体部分和第二导电类型第二半导体部分彼此接合的结的光电检测器。 在该光电检测器中，分割区域以与第一半导体部分交叉的方式形成在第一半导体部分的一部分中，并部分地进入第二半导体部分，使得通过分割区域将接合部分成多个部分， 以形成具有分开的接合部分的多个光电检测器区域。 当反射偏压等于或小于在光电检测器操作时施加到划分的接合部分的特定反向偏置电压被施加到分开的接合部分时，从两个分开的接合部分产生的耗尽层设置在两个 多个分割接合部中的每个分割区域的侧面在第二半导体部分中在分割区域之间延伸以彼此接触。 利用这种结构，能够提高光检测器的频率特性和受光灵敏度。

公开(公告)号：JP3994655B2

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：JP2000346869

申请日：2000-11-14

Applicant: 住友電気工業株式会社

Inventor： 美樹 工原 ,  康博 猪口

IPC: H01L27/14 ,  H01L31/10 ,  H01L23/48 ,  H01L27/15 ,  H01L31/04 ,  H01L31/102 ,  H01L31/103 ,  H01L31/105

CPC classification number: H01L31/1035 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP2007506090A

公开(公告)日：2007-03-15

申请号：JP2006526791

申请日：2004-09-15

Applicant: コニンクリユケ フィリップス エレクトロニクス エヌ.ブイ.

Inventor： ジョン、ペトルッツェロ ,  セオドア、レタビック ,  ブノワ、ベイレッテ

IPC: G01J3/51 ,  G01J1/02 ,  G01J1/04 ,  G01J1/42 ,  G01J3/28 ,  G01J3/50 ,  H01L31/10 ,  H01L31/103

CPC classification number: G01J1/42 ,  G01J3/2803 ,  G01J3/50 ,  H01L31/022416 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/103 ,  Y02E10/50

Abstract: 半導体光システムにおける色温度制御のためのシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）フォトダイオード光監視方法およびシステム。 方法は、複数のＳＯＩフォトダイオードを設けるステップであって、各ＳＯＩフォトダイオードは、シリコン基板と、シリコン基板上に形成された埋込酸化物層と、埋込酸化物層上に形成されたシリコン層とを有し、各ＳＯＩフォトダイオードのシリコン層が異なる厚さを有しているステップと、波長およびシリコン層の厚さに関して、各ＳＯＩフォトダイオードを通過してシリコン基板へと向かう入射光の割合を決定するステップと、決定された上記割合に基づいて入射光の色成分強度を計算するステップとを含んでいる。

公开(公告)号：JP2005311310A

公开(公告)日：2005-11-04

申请号：JP2005058438

申请日：2005-03-03

Applicant: Canon Inc ,  キヤノン株式会社

Inventor： KASAI SHINTARO ,  WATANABE TAKETOSHI ,  OTSUKA MITSURU ,  ONOUCHI TOSHIHIKO ,  MUKAIDE TAIHEI

IPC: G02F2/02 ,  G01J5/02 ,  H01L21/00 ,  H01L27/15 ,  H01L29/26 ,  H01L31/0248 ,  H01L31/103 ,  H01L31/12 ,  H01L31/18 ,  H01S1/02 ,  H01S5/04 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01S1/02 ,  H01L31/1035 ,  H01L31/184 ,  Y02E10/544

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technology improving an optical-electromagnetic wave converting efficiency and an electromagnetic wave detecting sensitivity, in a structure for electromagnetic generation/detection which is used for generating or detecting electromagnetic waves. SOLUTION: The structure for the electromagnetic wave generation/detection, which is used for generating or detecting the electromagnetic wave, is manufactured by a method comprising: a process of forming a layer 2 containing a compound semiconductor on a substrate 1 at a substrate temperature of about 300°C or less; a first heating process of heating the substrate 1 having the layer 2 in an atmosphere containing arsenic; and a second heating process of heating the substrate 1 having the layer 2 in a gas atmosphere not reacting chemically with the compound semiconductor at the substrate temperature of about 600°C or higher. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供用于产生或检测电磁波的电磁产生/检测结构中的提高光电磁波转换效率和电磁波检测灵敏度的技术。 解决方案：用于产生或检测电磁波的用于电磁波产生/检测的结构通过以下方法制造：包括：在基板1上形成含有化合物半导体的层2， 基板温度约为300℃以下; 在含有砷的气氛中加热具有层2的基板1的第一加热工序; 以及在基板温度为600℃以上的条件下，在不与化合物半导体化学反应的气体气氛中加热具有层2的基板1的第二加热工序。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP2005294435A

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：JP2004105590

申请日：2004-03-31

Applicant: Hamamatsu Photonics Kk ,  浜松ホトニクス株式会社

Inventor： FUJII YOSHIMAROU ,  OKAMOTO KOJI ,  SAKAMOTO AKIRA

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/103

CPC classification number: H01L31/103 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0392 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/3025 ,  Y02E10/50 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor photodetection element and a photodetection device capable of miniaturizing and thinning, while maintaining high-speed responsiveness.
SOLUTION: The semiconductor photodetection element 10 comprises the first semiconductor substrate 1 of low resistivity of a first conductivity type having a surface (111), and the second semiconductor substrate 2 of high resistivity of a first conductivity type having a surface (100) adhered on the first semiconductor substrate 1. In the surface side of the second semiconductor substrate 2, the semiconductor region 3 of a second conductivity type is formed, the domain around the semiconductor region 3 is etched until the first semiconductor substrate 1 is exposed. Moreover, the first electrode 1e and the second electrode 2e are connected electrically, respectively, to the exposure surface of the first semiconductor substrate 1 and the semiconductor region 3.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够小型化和变薄的半导体光电检测元件和光检测装置，同时保持高速响应性。 解决方案：半导体光检测元件10包括具有表面（111）的第一导电类型的低电阻率的第一半导体衬底1和具有表面（100）的第一导电类型的高电阻率的第二半导体衬底2 ）附着在第一半导体衬底1上。在第二半导体衬底2的表面侧，形成第二导电类型的半导体区域3，蚀刻半导体区域3周围的区域，直到第一半导体衬底1露出。 此外，第一电极1e和第二电极2e分别电连接到第一半导体衬底1和半导体区域3的曝光表面。（C）2006，JPO和NCIPI

公开(公告)号：JP2005529343A

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：JP2004512175

申请日：2003-06-10

Applicant: トゥー‐シックス・インコーポレイテッド

Inventor： クサバ セレス ,  ケルヴィン ジー リン

IPC: G01T1/24 ,  C01B19/00 ,  C22C18/00 ,  C22C20/00 ,  C22C28/00 ,  C30B9/00 ,  C30B11/00 ,  C30B17/00 ,  C30B28/06 ,  C30B29/48 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/09 ,  H01L31/103 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02966 ,  C30B11/00 ,  C30B29/48 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02625 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/085 ,  H01L31/1032 ,  H01L31/1832

Abstract: 本発明の放射線検出器は、Ｃｄ
x Ｚｎ
1-x Ｔｅ（０≦ｘ≦１）と、１０〜１００００ｐｐｂのＰｂ濃度と、１０〜１００００ｐｐｂの濃度の（ｉ）Ｃｌ及び（ｉｉ）周期表のＩＩＩ族元素の群から選ばれる少なくとも一つの元素とを含む化合物又は合金から作製される。 これにより、十分な電気補償、高抵抗率、適用される電気バイアスの下での十分な空乏、及び優れた電荷輸送示す。