네거티브형 현상용 레지스트 조성물, 및 레지스트 패턴 형성 방법
    12.
    发明授权
    네거티브형 현상용 레지스트 조성물, 및 레지스트 패턴 형성 방법 有权
    用于负显影的抗蚀剂组合物以及用于形成抗蚀剂图案的方法

    公开(公告)号:KR101845568B1

    公开(公告)日:2018-04-04

    申请号:KR1020120034457

    申请日:2012-04-03

    IPC分类号: G03F7/027 G03F7/028 G03F7/32

    摘要: 산의작용에의해유기용제에대한용해성이감소하는기재성분 (A), 및노광에의해산을발생하는산발생제성분 (B) 를함유하는레지스트조성물을사용하여지지체상에레지스트막을형성하는공정, 상기레지스트막을노광하는공정, 및상기레지스트막을, 상기유기용제를함유하는현상액을사용한네거티브형현상에의해패터닝하여레지스트패턴을형성하는공정을포함하는레지스트패턴형성방법에사용되는레지스트조성물로서, 상기산발생제성분 (B) 가, logP 값이 2.7 이하이고, 또한, pKa 가 -3.5 이상인산을발생하는산발생제 (B1) 을함유하는것을특징으로하는네거티브형현상용레지스트조성물.

    摘要翻译: 使用抗蚀剂含有基材成分(A),和产酸剂成分(B)组合物的步骤引起暴露于溶解度的溶解在通过酸的作用下,有机溶剂降低到形成在载体上的抗蚀剂膜 暴露抗蚀剂膜的步骤;以及使用含有有机溶剂的显影剂通过负型显影使抗蚀剂膜图案化来形成抗蚀剂图案的步骤, 其中,酸产生剂成分(B)含有logP值为2.7以下,产生pKa为-3.5以上的磷酸的酸产生剂(B1)。

    레지스트 패턴 형성 방법 및 감방사선성 수지 조성물
    15.
    发明授权
    레지스트 패턴 형성 방법 및 감방사선성 수지 조성물 有权
    抗蚀图案形成方法和辐射敏感树脂组合物

    公开(公告)号:KR101843601B1

    公开(公告)日:2018-03-29

    申请号:KR1020137009433

    申请日:2011-09-05

    摘要: 본발명은유기용매를함유하는현상액을이용하는레지스트패턴형성방법에있어서, 레지스트막의패턴형성후의막 감소를억제할수 있음과동시에, CDU, MEEF가우수한레지스트패턴을형성할수 있고, 해상성도충분히만족시키는감방사선성수지조성물, 및그것을이용한레지스트패턴형성방법을제공하는것을목적으로한다. 본발명은 (1) 감방사선성수지조성물을기판상에도포하는레지스트막형성공정, (2) 노광공정, 및 (3) 유기용매를 80 질량% 이상함유하는현상액을이용하는현상공정을갖는레지스트패턴형성방법으로서, 상기감방사선성수지조성물이, [A] 폴리스티렌환산중량평균분자량이 6,000을초과하고, 산해리성기를포함하는구조단위를갖고, 수산기를포함하는구조단위의함유비율이 5몰% 미만인중합체, 및 [B] 감방사선성산 발생체를함유하는것을특징으로한다.

    摘要翻译: 本发明涉及一种使用含有有机溶剂的显影溶液形成方法的抗蚀剂图案,可以形成在在同一时间,CDU抗蚀膜的图案后抑制厚度损失,并且可以是MEEF高斯形成抗蚀剂图案,海洋成都满足 辐射敏感树脂组合物,以及使用其的抗蚀剂图案形成方法。 本发明(1)的辐射敏感性树脂组合物,抗蚀剂膜在基板上形成涂层的步骤,(2)在曝光过程中,和(3)使用的显影溶液,其重量的有机溶剂的含量不低于80%具有显影步骤的抗蚀剂图案 作为成形方法,其中,所述辐射敏感性树脂组合物中,[A]的聚苯乙烯换算的重均分子量超过6000,并具有包含酸解离性基团的结构单元,含有羟基基团的结构单元的含量为小于5%(摩尔) 一种聚合物和一种[B]辐射敏感酸产生剂。

    염 및 이를 함유하는 감광성 내식막 조성물
    16.
    发明授权
    염 및 이를 함유하는 감광성 내식막 조성물 有权
    盐和包含其的光敏抗蚀剂组合物

    公开(公告)号:KR101827695B1

    公开(公告)日:2018-03-22

    申请号:KR1020100054357

    申请日:2010-06-09

    摘要: 화학식 a1의염. 화학식 a1위의화학식 a1에서, Q및 Q는각각독립적으로불소원자또는 C1-C4 퍼플루오로알킬그룹이고, X은 -CO-O-X- 또는 -CH-O-X-이고, 여기서, 상기 X및 X는각각독립적으로 C1-C15 알킬렌그룹이고, 상기알킬렌그룹중의하나이상의 -CH-는 -O- 또는 -CO-로대체될수 있으며, Y은 C3-C6 지환족탄화수소그룹또는 C6-C24 방향족탄화수소그룹이고, 상기지환족탄화수소그룹과상기방향족탄화수소그룹은하나이상의치환체들을가질수 있고, 상기지환족탄화수소그룹중의하나이상의 -CH-는 -O- 또는 -CO-로대체될수 있으며, Z는유기양이온이다.

    摘要翻译: 式a1的盐。 其中Q和Q各自独立地为氟原子或C1-C4全氟烷基,X为-CO-OX-或-CH-OX-,其中X和X为 并且亚烷基的至少一个-CH-可以被-O-或-CO-代替,Y是C3-C6脂环烃基或C6-C24芳香烃基 脂环族烃基和芳香族烃基可以具有一个或多个取代基,脂环族烃基的-CH-中的一个或多个可以被-O-或-CO-代替,并且Z是有机阳离子。

    포지티브형 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법
    17.
    发明授权
    포지티브형 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법 有权
    正型抗蚀剂材料及使用其的图案形成方法

    公开(公告)号:KR101839183B1

    公开(公告)日:2018-03-15

    申请号:KR1020150007302

    申请日:2015-01-15

    IPC分类号: G03F7/039

    摘要: 카르복실기또는페놀성히드록실기가산불안정기로치환되어있는반복단위, 및질산이소소르비드에스테르의반복단위를포함하는, Mw가 1,000~500,000인고분자화합물을포함하는포지티브형레지스트재료가제공된다. 상기레지스트재료는충분한산 확산억제효과및 고해상성을가지며, 노광후의양호한패턴형상및 최소엣지러프니스를형성한다.

    摘要翻译: 具有羧基或酚性羟基的重复取代的加入不稳定单元,以及包括该硝酸异山梨醇酯的重复单元,Mw为正型抗蚀剂组合物,含有1000〜500000锭分子化合物。 抗蚀剂材料具有足够的酸扩散抑制效果和高分辨率,并且曝光后形成良好的图案形状和最小的边缘粗糙度。

    레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법
    18.
    发明授权
    레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법 有权
    抗蚀剂组合物和用于产生抗蚀剂图案的方法

    公开(公告)号:KR101837203B1

    公开(公告)日:2018-03-09

    申请号:KR1020120035935

    申请日:2012-04-06

    IPC分类号: G03F7/038 G03F7/004

    摘要: 레지스트조성물은 (A) 알칼리수용액에불용성또는난용성이지만산의작용에의해알칼리수용액에가용성이되는수지, (B) 알칼리현상제의작용에의해절단되는구조를갖는산발생제, 및 (C) 화학식 (I)로표시되는화합물을포함한다.(식중, R및 R는각 경우독립적으로 C내지 C의탄화수소기, C내지 C의알콕시기, C내지 C의아실기, C내지 C의아실옥시기, C내지 C의알콕시카르보닐기, 니트로기또는할로겐원자를나타내고; m 및 n은독립적으로 0 내지 4의정수를나타냄)

    摘要翻译: (A)在碱性水溶液中不溶或难溶但通过酸的作用可溶于碱性水溶液的树脂,(B)具有在碱性显影剂作用下裂解的结构的酸产生剂,和(C) (I)的化合物,其中R和R独立地为C至C的烃基,C至C的烷氧基,C至C的酰基,C至C的酰氧基, C,烷氧基羰基,硝基或卤素原子; m和n独立地表示0至4的数)