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公开(公告)号：KR1020150126558A
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：KR1020150060624
申请日：2015-04-29
IPC分类号： H01L29/786 , G06F3/041 , H01L27/32
CPC分类号： G06F3/044 , G06F3/047 , G06F2203/04102 , G06F2203/04103 , G09G5/003 , G09G2300/04
摘要： 본발명은배선이시인되는것을억제한다. 또는, 시인성이우수한표시장치또는터치패널을제공한다. 반도체장치는투광성을갖는기판위에트랜지스터와, 트랜지스터에전기적으로접속되는배선을갖는다. 또한, 배선에의한광의반사를억제하는반사억지층으로서, 배선과중첩되도록배선보다기판측에산화물반도체를포함하는층을배치한다.
摘要翻译： 本发明抑制布线是可见的。 或者，提供了具有高可见度的显示装置或触摸面板。 半导体器件包括：晶体管，以及与透光基板上的晶体管电连接的布线。 此外，作为用于抑制由于布线引起的光的反射的防反射层，包括氧化物半导体的层被布置成比布线更靠近基板侧以与布线重叠。
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公开(公告)号：KR1020150034093A
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：KR1020140124625
申请日：2014-09-18
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1255 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L29/7869
摘要： 본발명은, 결함준위밀도가낮은산화물반도체막을형성한다. 또는, 발명의일 형태는불순물의농도가낮은산화물반도체막을형성한다. 산화물반도체막을이용한반도체장치등에서전기특성을향상시킨다. 투과전자회절측정장치를이용하여, 일차원적으로 300 nm의범위에서관찰개소를변화시켰을때, 배향성을나타내는휘점을갖는회절패턴이관찰되는비율이 70% 이상 100% 미만인영역을포함하는금속산화물막을갖는용량소자, 저항소자, 또는트랜지스터를구비한반도체장치이다.
摘要翻译： 本发明形成具有低缺陷水平密度的氧化物半导体膜。 或者本发明的一个实施方式形成具有低浓度杂质的氧化物半导体膜。 在使用氧化物半导体膜的半导体器件中，电性能得到改善。 提供一种具有容量器件，电阻器件或晶体管的半导体膜，该半导体膜具有金属氧化物膜，该金属氧化物膜包括具有显示取向的亮点的衍射图案的比率为70-100％的区域。
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公开(公告)号：KR1020150020293A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：KR1020147034244
申请日：2013-04-24
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L29/401 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/495 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66742 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 정전기 방전 손상으로 인해 수율 감소가 예방되는 높은 신뢰도의 반도체 디바이스가 제공된다. 게이트 전극 층, 게이트 전극 층 위의 제 1 게이트 절연 층, 제 1 게이트 절연 층 위에 있고 제 1 게이트 절연 층보다 얇은 두께를 갖는 제 2 게이트 절연 층, 제 2 게이트 절연 층 위의 산화물 반도체 층 및 산화물 반도체 층에 전기적으로 연결된 소스 전극 층 및 드레인 전극 층을 포함하는 반도체 디바이스가 제공된다. 상기 제 1 게이트 절연 층은 질소를 함유하고 전자 스핀 공명 분광법에서 2.003의 g 계수에서 나타나는 신호에 대응하는 1×10
17 spins/㎤ 이하의 스핀 밀도를 갖는다. 제 2 게이트 절연 층은 질소를 함유하고 제 1 게이트 절연 층보다 낮은 수소 농도를 갖는다.-
公开(公告)号：KR1020140119835A
公开(公告)日：2014-10-10
申请号：KR1020147026459
申请日：2012-05-28
IPC分类号： H01L21/363 , C23C14/34 , H01L29/786
CPC分类号： C23C14/08 , B28B11/243 , C04B35/453 , C04B35/64 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/76 , C23C14/086 , C23C14/3414 , C23C14/345 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： 본 발명은 산화물 반도체를 사용하여 형성된 트랜지스터는 비정질 실리콘을 사용하여 형성된 트랜지스터에 비해 신뢰성이 떨어지는 경우가 있었다. 따라서, 본 발명에서는, 산화물 반도체를 사용하여 형성된 신뢰성이 높은 트랜지스터를 포함하는 반도체 소자를 제조한다. 결정의 c축 방향이 산화물 반도체의 상부 표면의 법선 벡터에 평행한 결정화도를 갖는 산화물 반도체를 포함하는 스퍼터링 타겟을 이용하는 스퍼터링 방법에 의해 산화물 반도체 막을 증착시킨다. 조성 비가 결정 구조를 얻을 수 있도록 원료를 혼합하여 타겟을 형성시킨다.
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公开(公告)号：KR1020130075671A
公开(公告)日：2013-07-05
申请号：KR1020120150391
申请日：2012-12-21
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02365 , G02F1/1368 , H01L21/0214 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/02318 , H01L21/02337 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/4908 , H01L29/66477 , H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/66742
摘要： PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to prevent normally on by arranging a gate insulating layer between a gate electrode layer and an oxide semiconductor layer. CONSTITUTION: A gate electrode layer is formed on a substrate. A first gate insulating layer (436) is formed on the gate electrode layer. A second gate insulating layer (402) is formed on the first gate insulating layer. A first heating process is performed in the temperature of more than 450°C to form an oxide semiconductor layer (403) on the second gate insulating layer.
摘要翻译： 目的：通过在栅极电极层和氧化物半导体层之间布置栅极绝缘层来提供半导体器件及其制造方法以防止正常导通。 构成：在基板上形成栅电极层。 在栅极电极层上形成第一栅极绝缘层（436）。 在第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层（402）。 在超过450℃的温度下进行第一加热处理，以在第二栅极绝缘层上形成氧化物半导体层（403）。
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公开(公告)号：KR1020120093327A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：KR1020127014502
申请日：2010-10-18
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/316 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/44 , C23C16/308 , C23C16/45578 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/34 , H01L21/02274 , H01L21/0237 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02614 , H01L21/02631 , H01L21/67167 , H01L29/24 , H01L29/42356 , H01L29/4908 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： 본 발명의 목적은 반도체 장치를 고속으로 구동하고 반도체 장치의 신뢰성을 개선하는 것이다. 반도체 장치를 제작하기 위한 방법에서, 게이트 전극이 절연성을 가진 기판 위에 형성되고, 게이트 절연막이 게이트 전극 위에 형성되고, 산화물 반도체막이 게이트 절연막 위에 형성되고, 게이트 절연막이 고밀도 플라즈마를 이용하여 성막 처리에 의해 형성된다. 따라서, 게이트 절연막에서의 미결합수가 감소되고, 게이트 절연막과 산화물 반도체 사이의 계면의 품질이 개선된다.
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公开(公告)号：KR1020120071395A
公开(公告)日：2012-07-02
申请号：KR1020127008606
申请日：2010-08-06
IPC分类号： H01L29/786 , H05B33/02 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3262 , H01L29/247 , H01L29/78618 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L51/52 , H01L2227/323 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/78606
摘要： 발광 장치의 신뢰성을 향상시키는 것을 목적으로 한다. 발광 장치는 하나의 기판 위에 구동 회로용 트랜지스터를 포함하는 구동 회로부 및 화소용 트랜지스터를 포함하는 화소부를 갖는다. 구동 회로용 트랜지스터 및 화소용 트랜지스터는 각각 산화물 절연층의 일부와 접촉하는 산화물 반도체층을 포함하는 역 스태거형 트랜지스터들이다. 화소부에 있어서, 컬러 필터층 및 발광 소자가 산화물 절연층 위에 제공된다. 구동 회로용 트랜지스터에 있어서, 게이트 전극층 및 산화물 반도체층과 중첩하는 도전층이 산화물 절연층 위에 제공된다. 게이트 전극층, 소스 전극층, 및 드레인 전극층은 금속 도전막들을 사용하여 형성된다.
摘要翻译： 目的在于提高发光装置的可靠性。 发光装置具有包括用于驱动电路的晶体管和包括用于一个衬底上的像素的晶体管的像素部分的驱动器电路部分。 用于驱动电路的晶体管和用于像素的晶体管是反向交错晶体管，每个晶体管包括与氧化物绝缘层的一部分接触的氧化物半导体层。 在像素部分中，在氧化物绝缘层上设置滤色器层和发光元件。 在用于驱动电路的晶体管中，在氧化物绝缘层上设置与栅电极层和氧化物半导体层重叠的导电层。 使用金属导电膜形成栅极电极层，源极电极层和漏极电极层。
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公开(公告)号：KR102222438B1
公开(公告)日：2021-03-04
申请号：KR1020207030938
申请日：2013-04-19
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 정전기방전손상으로인해수율감소가예방되는높은신뢰도의반도체장치가제공된다. 게이트전극층, 게이트전극층 위의게이트절연층, 게이트절연층 위의산화물절연층, 산화물절연층 위에서산화물절연층과접촉하고게이트전극층과중첩하는산화물반도체층, 및산화물반도체층에전기적으로연결된소스전극층 및드레인전극층을포함하는반도체장치가제공된다. 게이트절연층은질소를함유하는실리콘막을포함한다. 산화물절연층은산화물반도체층의구성원소들로부터선택된하나이상의금속원소들을함유한다. 게이트절연층의두께는산화물절연층의두께보다더 두껍다.
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公开(公告)号：KR1020200124778A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：KR1020207030938
申请日：2013-04-19
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 정전기방전손상으로인해수율감소가예방되는높은신뢰도의반도체장치가제공된다. 게이트전극층, 게이트전극층 위의게이트절연층, 게이트절연층 위의산화물절연층, 산화물절연층 위에서산화물절연층과접촉하고게이트전극층과중첩하는산화물반도체층, 및산화물반도체층에전기적으로연결된소스전극층 및드레인전극층을포함하는반도체장치가제공된다. 게이트절연층은질소를함유하는실리콘막을포함한다. 산화물절연층은산화물반도체층의구성원소들로부터선택된하나이상의금속원소들을함유한다. 게이트절연층의두께는산화물절연층의두께보다더 두껍다.
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