Abstract:
본발명의접합체는, 세라믹스로이루어지는세라믹스부재와, Cu 또는 Cu 합금으로이루어지는 Cu 부재가 Cu-P-Sn 계납재및 Ti 재를개재하여접합된접합체로서, 상기세라믹스부재와상기 Cu 부재의접합계면에는, Sn 이 Cu 중에고용된 Cu-Sn 층이형성되고, 이 Cu-Sn 층중에는, P 및 Ti 를함유하는금속간화합물이분산되어있다.
Abstract:
본 발명에 관련된 파워 모듈용 기판은, 절연층 (11) 과, 이 절연층의 제 1 면에 형성된 회로층 (12) 과, 상기 절연층의 제 2 면에 형성된 금속층 (13) 을 구비하고, 상기 금속층 중 상기 절연층이 배치 형성된 면과 반대측의 면에는 제 1 하지층 (20) 이 적층되어 있고, 상기 제 1 하지층은, 상기 금속층과의 계면에 형성된 제 1 유리층과, 이 제 1 유리층에 적층된 제 1 Ag 층을 가지고 있다.
Abstract:
본 발명에 관련된 파워 모듈용 기판에 있어서, 회로층 (12) 은 절연층 (11) 의 일방의 면에 배치 형성된 알루미늄층 (12A) 과, 이 알루미늄층 (12A) 의 일방측에 적층된 구리층 (12B) 을 갖고, 상기 알루미늄층 (12A) 과 상기 구리층 (12B) 은 고상 확산 접합되어 있다.
Abstract:
PURPOSE: A power module substrate, a manufacturing method thereof, a power module and a power module substrate with a heat sink are provided to prevent troubles due to a displacement by directly fixing silicon and copper on a ceramic substrate or a metal plate. CONSTITUTION: Silicon and copper are fixed on a ceramic substrate or a metal plate(S1). The ceramic substrate and the metal plate are laminated by laying silicon and copper. The laminated ceramic substrate and metal plate are heated with pressurization in the laminating direction(S3). A molten metal area is formed on the interface of the ceramic substrate and the metal plate. The ceramic substrate and the metal plate are welded by solidifying the molten metal area(S4).
Abstract:
PURPOSE: A power module substrate, a manufacturing method thereof, a power module and a power module substrate with a heat sink are provided to improve the bonding strength between a ceramic substrate and a metal plate by precisely adjusting the fixing quantity of silicon. CONSTITUTION: A silicon layer containing Si more than 0.002 mg/cm^2 and less than 1.2 mg/cm^2 is formed(S1). A ceramic substrate and a metal plate are laminated by laying the silicon layer(S2). The laminated ceramic substrate and metal plate are heated with pressurization in the laminating direction(S3). A molten metal area is formed on the interface of the ceramic substrate and the metal plate. The ceramic substrate and the metal plate are welded by solidifying the molten metal area(S4).
Abstract translation:目的:提供功率模块基板,其制造方法,功率模块和具有散热器的功率模块基板,通过精确调整硅的定影量来提高陶瓷基板与金属板之间的接合强度。 构成:形成含有大于0.002mg / cm 2且小于1.2mg / cm 2的Si的硅层(S1)。 通过铺设硅层(S2)层叠陶瓷基板和金属板。 层压陶瓷基板和金属板在层叠方向上加压加热(S3)。 在陶瓷基板和金属板的界面上形成熔融金属区域。 陶瓷基板和金属板通过使熔融金属区域熔化而焊接(S4)。
Abstract:
PURPOSE: A substrate for a heat-sink power module and a manufacturing method thereof, and a power module are provided to improve bonding strength of a heat-sink and a second metal plate by directly attaching Si on a metal plate. CONSTITUTION: An Si layer is formed one side of the other side of a second metal plate and a bonding plane of a heat sink(S01). The second metal plate and the heat sink are laminated by placing the Si layer(S02). A melting metal region is formed by pressurizing and heating the second metal plate and the heat sink to a laminating direction and diffusing Si of the Si layer to the second metal plate and the heat sink(S03). The second metal plate and the heat sink are bonded by coagulating the melting metal region(S04).
Abstract:
PURPOSE: A substrate for a power module and a substrate for a heat sink attachment power module and a manufacturing method thereof are provided to prevent the cracking of a ceramics substrate by absorbing thermal stress in a metal plate. CONSTITUTION: Metal plates(12,13) consisting of aluminum are laminated on the surface of a ceramics substrate(11). The width of the ceramics substrate is widely set than the width of the metal plate. A copper extraction part is formed in the edge part of a width direction of the metal plate. Silicon and copper are added to the metal plate. An addition element is selected among Zn, Ge, Ag, Mg, Ca, Ga, and Li. The concentration sum of the silicon, the copper, and the addition element at around the interface with the ceramics substrate is established within range of 0.05wt%-5wt%.
Abstract:
(과제) 열사이클 부하시에 있어서, 회로층의 표면에 기복이나 주름이 발생하는 것을 억제할 수 있고, 또한, 세라믹스 기판과 회로층의 접합 계면에 열응력이 작용하는 것을 억제할 수 있어, 열사이클 신뢰성이 우수한 파워 모듈용 기판을 제공한다. (해결수단) 세라믹스 기판 (11) 의 일면에, 알루미늄으로 이루어지는 회로층 (12) 이 배치 형성된 파워 모듈용 기판 (10) 으로서, 회로층 (12) 은, 본체층 (12B) 과, 상기 일방의 면측에 드러나도록 배치된 표면 경화층 (12A) 을 갖고 있고, 회로층 (12) 의 상기 일방의 면에 있어서의 인덴테이션 경도 (Hs) 가 50 mgf/μ㎡ 이상 200 mgf/μ㎡ 이하의 범위 내로 설정되고, 이 인덴테이션 경도 (Hs) 의 80 % 이상의 영역이 표면 경화층 (12A) 으로 되어 있고, 본체층 (12B) 의 인덴테이션 경도 (Hb) 가 상기 인덴테이션 경도 (Hs) 의 80 % 미만으로 되어 있다.