公开(公告)号：KR101885664B1

公开(公告)日：2018-08-06

申请号：KR1020140083597

申请日：2014-07-04

申请人： 주식회사 모다이노칩

发明人： 박인길 ,  김대겸

IPC分类号： H05K7/20 ,  B32B15/04

CPC分类号： H05K7/2039 ,  B32B7/12 ,  B32B15/046 ,  B32B2307/302 ,  C09J7/26 ,  C09J7/35 ,  F28F13/18 ,  G06F1/20 ,  H01L23/373 ,  H01L23/3733 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/42 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 본발명은복수의기공을갖는다공성구조의방열층과, 복수의열 전도성입자를포함하여방열층내의기공을충진하도록마련된충진재와, 방열층의적어도일면에마련된접착층을포함하는방열시트를제시한다.

公开(公告)号：KR1020170100396A

公开(公告)日：2017-09-04

申请号：KR1020160105123

申请日：2016-08-18

申请人： 시우 리 테크놀로지 씨오., 엘티디

发明人： 첸,충-청

IPC分类号： C09D5/06 ,  C08K3/22 ,  C08K3/26 ,  C08K3/28 ,  C08K3/38 ,  C08L63/00 ,  C08L75/04 ,  C08L21/00

CPC分类号： H05K7/20427 ,  B41F23/0476 ,  F28D2021/0029 ,  F28F3/08 ,  F28F21/02 ,  F28F21/04 ,  F28F21/067 ,  F28F21/081 ,  F28F21/084 ,  F28F2013/006 ,  F28F2255/08 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/42 ,  H05K7/20509 ,  C09D5/06 ,  C08K3/01 ,  C08K3/04 ,  C08K3/22 ,  C08K3/26 ,  C08K3/28 ,  C08K3/38 ,  C08K2201/001 ,  C08L21/00 ,  C08L63/00 ,  C08L75/04

摘要： 본발명은경화형열전도성열계면재료및 그방열장치, 방열장치의제조방법에관한것이다. 그중, 경화형열전도성열계면재료는열전도성재료와고분자중합재료를포함하고, 열전도성재료와고분자중합재료가혼합하여형성된다. 경화형열전도성열계면재료는방열부재에설치되어, 열원의열을방열부재로전달하여우수하게열을방열시킨다.

摘要翻译： 固化型导热界面材料及其散热装置及散热装置的制造方法技术领域本发明涉及固化型导热界面材料及其散热装置及散热装置的制造方法。 其中，可固化导热耐热界面材料包括导热材料和聚合物聚合物材料，并且混合并形成导热材料和聚合物聚合物材料。 固化型导热耐热界面材料设置在散热构件上，并将热源的热量传递给散热构件以良好地散热。

公开(公告)号：KR1020170073505A

公开(公告)日：2017-06-28

申请号：KR1020160170695

申请日：2016-12-14

申请人： 센사타 테크놀로지스, 인크

发明人： 크리스토퍼에이.로페즈 ,  릭에이.데이비스

IPC分类号： G01R31/28

CPC分类号： G01R31/2874 ,  G01R1/0458 ,  G01R31/26 ,  G01R31/2891 ,  H01L23/345 ,  H01L23/42

摘要： 집적칩과같은전자소자를테스트하기위한장치, 시스템및 방법을특징으로한다. 이러한테스트방법은열에너지를흡수하는가변히트싱크와열에너지를선택적으로전달하는열원부재사이에써멀클러치를배치하는것을포함한다. 써멀클러치가제1 방식으로작동할때, 써멀클러치는가변히트싱크를테스트중인전자소자(DUT)에열적으로접속시키고, 상기써멀클러치가제2 방식으로작동할때, 써멀클러치는가변히트싱크를 DUT로부터열적으로분리시킨다. 써멀클러치가제2 방식으로작동할때, 열원부재는 DUT에열적으로접속되고, 열적으로접속된 DUT에제공되는열에너지를발생시키도록작동한다.

摘要翻译： 用于测试集成芯片等电子设备的系统和方法。 这种测试方法包括将热离合器设置在用于吸收热能的可变散热器和用于选择性地传输热能的热源构件之间。 当热离合器在第一方式中，当连接和热连接到测试中的可变散热器的热离合器以第二方式操作电子设备（DUT）的热离合器操作时，热离合器具有可变的散热器 与DUT热分离。 当热离合器以第二模式操作时，热源构件热连接到DUT并且操作以产生提供给热连接的DUT的热能。

公开(公告)号：KR1020170041688A

公开(公告)日：2017-04-17

申请号：KR1020177000813

申请日：2015-05-29

申请人： 다우 코닝 코포레이션

发明人： 존,랜지스,사무엘 ,  메이넨,허먼 ,  이클,크레이그

IPC分类号： H01L23/42 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

CPC分类号： H01L23/3737 ,  C08G77/12 ,  C08G77/20 ,  C09D183/04 ,  C09K5/14 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/16 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/32 ,  G03F7/325 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/42 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  C08L83/00 ,  C08K5/56

摘要： 저응력광패턴화가능한실리콘을사용하는서멀인터포저(thermal interposer)의제조방법이제공되며, 이러한서멀인터포저는 LED, 로직및 메모리소자및 열관리가요구되는다른그러한반도체제품의패키징내로공급되는전자제품의생산에서의사용을위한것이다. 광패턴화가능한실리콘조성물, 열전도성재료및 저융점순응성솔더가완전한반도체패키지모듈을형성한다. 광패턴화가능한실리콘을웨이퍼의표면상에적용하고, 선택적으로방사선조사하여개구들을형성하는데, 개구들은사용자에게명확한접합라인두께제어를제공한다. 이어서, 개구들에고전도성페이스트를충전하여고전도성서멀링크(thermal link)를형성한다. 이어서, 저융점경화성솔더를적용하는데, 이때솔더는실리콘뿐만아니라열 전도성경로도습윤시키며, 이는구조화된 z-축서멀인터포저와웨이퍼또는 PCB일수 있는기판및/또는히트싱크사이의낮은열 접촉저항으로이어진다.

摘要翻译： 低应力，提供了生产使用硅的热插器（热插器）的方法，光学图案化可能的，例如热插器的LED，逻辑和存储器件以及E是热管理被送入的需要等半导体产品的包装 它旨在用于生产产品。 光图案化有机硅组合物，导热材料和低熔点柔性焊料形成完整的半导体封装模块。 以施加图案化的光尽可能在硅晶片的表面上，有选择地形成通过照射开口，小孔提供清晰的粘结层厚度控制给用户。 然后用导电膏填充开口以形成高度导电的热连接。 然后，以施加低熔点固化焊料，其中所述焊料是sikimyeo以及硅热传导路径，水分其中结构化z轴热插板和晶片或衬底和/或散热器，其PCB天之间的低的接触热阻 它导致。

公开(公告)号：KR1020160108307A

公开(公告)日：2016-09-19

申请号：KR1020167015071

申请日：2014-12-15

申请人： 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤

发明人： 고지마나오유키 ,  사토슌이치로 ,  히카사가즈히토 ,  후지와라히데미치

IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L23/42 ,  H01L23/00 ,  H01L23/367 ,  H05K1/02 ,  H05K1/03

CPC分类号： H01L23/42 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3736 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0204 ,  H05K1/0271 ,  H05K1/0306 ,  H01L2924/00

摘要： 기판이절연층과도체층과의경계면을따라서갈라져버리는것을억제하면서, 도체층에의한방열효과를높이는것. 전자회로장치(100)는, 절연층(10)과절연층(10)이적어도한쪽의면측에형성된도체층(2)과, 도체층(2)에있어서의절연층(10)과는반대측의면에접합층(3)을개재하여마련된발열체(4)를가지고, 도체층(2)은, 발열체(4)측에위치하는방열도체층(21)과절연층(10)측에위치하는회로층(22)을가지고, 방열도체층(21)과회로층(22)의경계면에있어서의, 발열체(4)의측단부에서방열도체층(21)의측단부까지의최단거리(l)가방열도체층(21)의두께(t) 이상이다.

公开(公告)号：KR101640341B1

公开(公告)日：2016-07-15

申请号：KR1020150017324

申请日：2015-02-04

申请人： 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사

发明人： 김근수 ,  박철우 ,  유동수 ,  김재윤 ,  강대병 ,  안병준

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L23/49894 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/42 ,  H01L23/433 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5389 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1533 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L24/97 ,  H01L23/28 ,  H01L23/488 ,  H01L23/522

摘要： 본발명은신뢰성을향상시키고워페이지현상을줄일수 있는반도체패키지에관한것이다. 일례로, 절연층과상기절연층의상면에형성된제 1 배선패턴과상기절연층의하면에형성된제 2 배선패턴을포함하는회로기판과, 상기회로기판의상면에안착된반도체다이와, 상기회로기판의상부에서상기반도체다이를인캡슐레이션하며상기제 1 배선패턴을외부로노출시키는관통비아가형성된인캡슐란트와, 상기관통비아에형성되며상기제 1 배선패턴에전기적으로연결된도전성범프를포함하는반도체디바이스; 상기반도체디바이스의상부에안착되며, 절연체와상기절연체의하면에형성된배선패턴과상기배선패턴에형성된솔더볼을포함하는인터포저; 및상기반도체디바이스와상기인터포저사이에개재된층간부재;를포함하고, 상기솔더볼은상기도전성범프에전기적으로연결된것을특징으로하는반도체패키지를개시한다.

摘要翻译： 本发明涉及能够提高可靠性并减少翘曲现象的半导体封装。 作为示例，公开了半导体封装。 半导体封装包括：半导体器件，其包括电路板，其包括绝缘层，形成在绝缘层的上表面上的第一布线图案和形成在绝缘层的下表面上的第二布线图案，半导体管座 在所述电路板的上表面上，封装有将所述半导体管芯封装在所述电路基板的上部，并具有从所述第一布线图案外部暴露的贯通孔以及电连接到所述第一布线图案的导电凸块; 安置在半导体器件的上部的插入件，并且包括绝缘体，形成在绝缘体的下表面上的布线图案和形成在绝缘体的下表面上的焊球; 以及插入在所述半导体器件和所述插入件之间的中间层构件。 焊球与导电凸块电连接。

公开(公告)号：KR101550847B1

公开(公告)日：2015-09-07

申请号：KR1020117024119

申请日：2010-03-15

申请人： 에이티아이 테크놀로지스 유엘씨

发明人： 레파이-아메드가말

IPC分类号： H01L23/36 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/36 ,  H01L23/10 ,  H01L23/38 ,  H01L23/42 ,  H01L23/427 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00012

摘要： 반도체디바이스는기판위에제1 및제2의적층된반도체다이들(stacked semiconductor dies)을포함한다. 캐비티내로하향연장되는복수의핀들을구비한리드가기판에마운팅되어상기반도체다이들을캡슐화한다. 적어도몇개의핀들은상기핀들중 다른것들보다길다. 긴핀들이상기제1 다이에의해점유되지않은기판영역위에서하향연장되는상태로, 리드가기판에부착된다. 짧은핀들은상기제2 다이에의해덮이지않은상기제1 다이의영역위에서하향연장된다. 열계면물질이캐비티의나머지를충전하고두개의다이들, 기판, 및핀들과열을주고받는다. 리드는금속으로부터몰딩될수 있다. 액체금속(liquid metal) 등일수 있는열 본딩물질을사용하여, 최상부의다이(topmost die)에본딩될수 있다.

公开(公告)号：KR1020150049622A

公开(公告)日：2015-05-08

申请号：KR1020130130424

申请日：2013-10-30

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 박결 ,  김지철 ,  임윤혁 ,  장언수

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/34

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/36 ,  H01L23/42 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/552 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0207 ,  H05K1/141 ,  H05K2201/10378 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 본발명은패키지온 패키지장치를개시한다. 이장치에서는하부반도체패키지와상부반도체패키지사이에인터포저기판과열 경계물질막이개재되어, 상기하부반도체패키지에포함되는하부반도체칩으로부터발생된열을신속하게방출시킬수 있다.

摘要翻译： 本发明公开了一种封装封装器件。 在该器件中，在下半导体封装和上半导体封装之间插入有插入器基板和热边界材料层，因此可以快速地发射由下半导体封装中包括的下半导体芯片产生的热量。

公开(公告)号：KR1020150049164A

公开(公告)日：2015-05-08

申请号：KR1020130129370

申请日：2013-10-29

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 김상욱

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/13 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/42 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5385 ,  H01L25/10 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 반도체패키지장치는하부패키지, 하부패키지상에배치되며접지층및 적어도하나의개구부를구비하는중간기판, 및중간기판상의상부패키지를포함한다. 하부패키지는제1 패키지기판, 제1 패키지기판상에실장된하부반도체칩, 및제1 패키지기판상에형성된제1 몰딩컴파운드층을포함하고, 상부패키지는제2 패키지기판, 및제2 패키지기판상에실장된적어도하나의상부반도체칩을포함한다. 중간기판과상부패키지사이의제1 부분, 중간기판의적어도하나의개구부내의제2 부분, 중간기판과하부패키지사이의제3 부분을포함한열 전달부재가제공된다.

摘要翻译： 半导体封装器件包括：下封装; 设置在所述下封装上的中间基板，具有接地层和至少一个开口单元; 和中间基板上的上封装。 下封装包括：第一封装衬底; 安装在所述第一封装基板上的下半导体芯片; 以及形成在所述第一封装基板上的第一模塑料层。 上包装包括：第二包装基板; 以及安装在第二封装基板上的至少一个上半导体芯片。 提供一种传热构件，包括：中间基板和上部封装之间的第一部分; 在所述中间基板上的至少一个开口部分中的第二部分; 以及中间基板和下部封装之间的第三部分。

公开(公告)号：KR1020150023710A

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：KR1020157000677

申请日：2013-06-06

申请人： 가부시키가이샤 가네카

发明人： 오구마,게이스케 ,  고우카미,아키 ,  하기와라,가즈오

IPC分类号： H05K7/20 ,  H05K9/00 ,  H01L23/373 ,  H01L23/31 ,  H01L23/552 ,  H01L25/065

CPC分类号： H05K7/2039 ,  B29C73/02 ,  C08L33/00 ,  C08L71/02 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/42 ,  H01L23/552 ,  H01L25/0655 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/166 ,  H05K7/20463 ,  H05K9/0024 ,  H01L2924/00

摘要： 본 발명은 전자 부품의 접점 장해 등을 발생시키지 않고, 발열 밀도가 큰 전자 부품에도 적용할 수 있는 방열 구조체를 제공한다. 또한, 전자 기기의 간편한 수리 방법을 제공한다. 경화성 액상 수지(I)와 열전도성 충전재(II)를 함유하고, 23℃에서의 점도가 30Pa·s 내지 3000Pa·s이며, 습기 또는 가열에 의해 경화 가능한 열전도율 0.5W/(m·K) 이상의 열전도성 경화성 수지 조성물을, 발열 밀도 0.2W/㎠ 내지 500W/㎠의 전자 부품이 실장된 기판 상의 전자파 실드 케이스 내에 충전한 상태로 경화시켜서 얻어지는 것을 특징으로 하는 방열 구조체를 제공한다.