公开(公告)号：KR100747960B1

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：KR1020060003868

申请日：2006-01-13

申请人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤

发明人： 가토히로키 ,  다나카슈이치

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/10 ,  H01L21/563 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13008 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： 본 발명은 양호한 수지의 배출성을 구비하면서, 플라즈마 처리를 불필요하게 하는 신뢰성이 높은 전자 부품, 전기 광학 장치 및 전자기기를 제공하기 위한 것으로, 직사각형 형상의 칩 기판(50)의 능동면(50A) 쪽에 마련된 패드(24)와, 칩 기판(50)에 있어서의 주변의 각 변을 따라 마련된 수지 돌기(12)와, 패드(24)에 전기적으로 접속하고, 또한 수지 돌기(12)의 표면에 이르는 도전막(20)으로 형성된 도전부(10)를 구비한 전자 부품(121)이다. 그리고, 수지 돌기(12)는 선 형상으로 연속하는 돌출 구조체로 이루어지고, 칩 기판(50)의 적어도 한 변에는, 복수의 수지 돌기(12)가 이 변의 중앙부에 극간 S를 형성하도록 마련되어 이루어진다.

公开(公告)号：KR100699666B1

公开(公告)日：2007-03-23

申请号：KR1020050030905

申请日：2005-04-14

申请人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤

发明人： 사이토아츠시 ,  다나카슈이치

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/321

CPC分类号： H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 본 발명은 용장성에 우수한 전자 부품을 제공하는 것으로, 능동면에 형성된 패드(24)를 거쳐 상대측 기판에 도전 접속되는 전자 부품(121)으로서, 능동면에 형성된 수지 돌기(12)와, 수지 돌기(12)의 표면에 형성된 도전막(20)에 의해, 범프 전극(10)이 구성되고, 하나의 패드(24)에 대하여, 복수의 범프 전극(10a, 10b)이 도전 접속되어 있는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100643984B1

公开(公告)日：2006-11-10

申请号：KR1020050034362

申请日：2005-04-26

申请人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤

发明人： 다나카슈이치

IPC分类号： H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/13671 ,  H01L2224/13684 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01023

摘要： A method of forming a bonded structure comprises the steps of: mounting a semiconductor device having an electrode; a convexity protruding higher than the electrode and formed of a resin; and a conductive unit electrically coupled to the electrode and extending over the surface of the convexity, onto a specific substrate with an intermediary of a bonding material; and mounting the semiconductor device by hot pressing within a temperature range including the glass transition temperature of the resin.

公开(公告)号：KR1020060083156A

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：KR1020060003868

申请日：2006-01-13

申请人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤

发明人： 가토히로키 ,  다나카슈이치

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/10 ,  H01L21/563 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13008 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： Provided is an electronic component including a pad provided on an active surface of a rectangular chip substrate, a resin protrusion provided along sides of the chip substrate, and a conductive portion which is electrically connected to the pad and which is formed out of a conductive film covering the surface of the resin protrusion. The resin protrusion includes a protruded body extending linearly and a plurality of the resin protrusions are provided on at least one side of the chip substrate to form a clearance in an intermediate portion of the side.

公开(公告)号：KR1020060049345A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020050100779

申请日：2005-10-25

申请人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤

发明人： 다나카슈이치

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/562 ,  G02F1/13458 ,  H01L21/563 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/90 ,  H01L24/91 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/13671 ,  H01L2224/13684 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/27825 ,  H01L2224/27831 ,  H01L2224/29008 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/29563 ,  H01L2224/2957 ,  H01L2224/29582 ,  H01L2224/29624 ,  H01L2224/29644 ,  H01L2224/29647 ,  H01L2224/29655 ,  H01L2224/29664 ,  H01L2224/29666 ,  H01L2224/29671 ,  H01L2224/29684 ,  H01L2224/29695 ,  H01L2224/30155 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01084

摘要： 반도체 소자와, 상기 반도체 소자 상에 형성된 전극 패드와, 상기 전극 패드에 도전 접속된 범프 전극을 구비하고, 상기 범프 전극이 상기 반도체 소자의 능동면 상에 형성된 수지 돌기와, 상기 전극 패드로부터 상기 수지 돌기의 표면에 걸쳐 배치된 도전막을 구비하며, 상기 도전막과 상기 수지 돌기가 밀착되지 않게 배치되어 있는 반도체 장치.

公开(公告)号：KR1020060046693A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：KR1020050034362

申请日：2005-04-26

申请人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤

发明人： 다나카슈이치

IPC分类号： H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/13671 ,  H01L2224/13684 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01023

摘要： A method of forming a bonded structure comprises the steps of: mounting a semiconductor device having an electrode; a convexity protruding higher than the electrode and formed of a resin; and a conductive unit electrically coupled to the electrode and extending over the surface of the convexity, onto a specific substrate with an intermediary of a bonding material; and mounting the semiconductor device by hot pressing within a temperature range including the glass transition temperature of the resin.

摘要翻译： 一种形成结合结构的方法包括以下步骤：安装具有电极的半导体器件; 突出高于电极且由树脂形成的凸起; 以及导电单元，所述导电单元电耦合到所述电极且在所述凸起的表面上方延伸到具有中间结合材料的特定衬底上; 以及在包括树脂的玻璃化转变温度的温度范围内通过热压安装半导体器件。

公开(公告)号：KR1020170125367A

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：KR1020177027364

申请日：2016-01-26

申请人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤

发明人： 다나카슈이치 ,  사토나오야 ,  요다츠요시 ,  난바도시나리

IPC分类号： B41J2/14

CPC分类号： B41J2/14233 ,  B41J2002/14241 ,  B41J2002/14419 ,  B41J2002/14491

摘要： 본발명은범프전극의복원력에의한변형을억제할수 있는전자디바이스를제공한다. 전자디바이스는휘어지고변형될수 있는구동영역(a1)에그 구동영역(a1)을변형시키는압전소자(32)가마련되는압력실형성기판(29)과, 탄성을갖는범프전극(40)을사이에둔 상태에서압력실형성기판(29)에대하여간격을두고배치되는봉지판(33)과, 간격을유지한상태에서압력실형성기판(29)을봉지판(33)에접합하는접착제(43)를구비하고, 접착제(43)는적어도범프전극(40)과구동영역(a1)의사이의영역에마련된다.

摘要翻译： 本发明提供一种能够抑制由凸块电极的恢复力引起的变形的电子装置。 所述电子设备是弯曲和变形来驱动区域（A1）鸡蛋驱动区域（A1）的改性压电元件32窑压力室形成衬底29是串行和凸块电极40具有放置于此弹性eulsa到 它包括一个胶粘剂43粘接在密封板33，在压力室形成衬底29保持的间隙中的状态下布置在距离相对于所述压力室形成衬底29在密封板33上的状态 并且至少在突起电极40和驱动区域a1所处的区域中设置粘合剂43。

公开(公告)号：KR100786210B1

公开(公告)日：2007-12-17

申请号：KR1020060052544

申请日：2006-06-12

申请人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤

发明人： 이마이히데오 ,  다나카슈이치

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/136 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00014

摘要： 본 발명은 신뢰성이 높은 반도체 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
반도체 장치는 전극(14)을 갖는 반도체 기판(10)과, 반도체 기판(10) 위에 형성된 수지 돌기(20)와, 전극(14)과 전기적으로 접속되어 이루어지고, 수지 돌기(20) 위에 이르도록 형성된 배선(30)을 포함한다. 배선(30)은 수지 돌기(20)의 상단면에 형성된 제 1 부분(31)과, 수지 돌기(20)의 기단부(基端部) 측방(側方)에 형성된 제 2 부분(32)을 포함한다. 제 2 부분(32)은 제 1 부분(31)보다도 폭이 좁다.
반도체 기판, 수지 돌기, 전극, 배선

摘要翻译： 本发明的一个目的是提供一种高度可靠的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：KR100754575B1

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：KR1020050100779

申请日：2005-10-25

申请人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤

发明人： 다나카슈이치

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/562 ,  G02F1/13458 ,  H01L21/563 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/90 ,  H01L24/91 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/13671 ,  H01L2224/13684 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/27825 ,  H01L2224/27831 ,  H01L2224/29008 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/29563 ,  H01L2224/2957 ,  H01L2224/29582 ,  H01L2224/29624 ,  H01L2224/29644 ,  H01L2224/29647 ,  H01L2224/29655 ,  H01L2224/29664 ,  H01L2224/29666 ,  H01L2224/29671 ,  H01L2224/29684 ,  H01L2224/29695 ,  H01L2224/30155 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01084

摘要： 반도체 소자와, 상기 반도체 소자 상에 형성된 전극 패드와, 상기 전극 패드에 도전 접속된 범프 전극을 구비하고, 상기 범프 전극이 상기 반도체 소자의 능동면 상에 형성된 수지 돌기와, 상기 전극 패드로부터 상기 수지 돌기의 표면에 걸쳐 배치된 도전막을 구비하며, 상기 도전막과 상기 수지 돌기가 밀착되지 않게 배치되어 있는 반도체 장치.

公开(公告)号：KR100730707B1

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：KR1020060054386

申请日：2006-06-16

申请人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤

发明人： 다나카슈이치 ,  이토하루키

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/13671 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49158 ,  Y10T29/49204 ,  Y10T29/49224 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00

摘要： 본 발명의 목적은 도전층의 밀착성의 향상 및 마이그레이션의 방지를 도모하는 것에 있다. 반도체 장치의 제조 방법은 (a) 전극 패드(16) 및 패시베이션 막(18)을 가지는 반도체 기판(10)의 상방에 제 1 수지층(20b)을 형성하는 공정과, (b) 제 1 수지층(20b)을 경화하는 공정과, (c) 경화 후의 제 1 수지층(20)보다도 상승이 완만하게 되는 제 2 수지층(30a)을 제 1 수지층(20)의 적어도 근원부에 형성하는 공정과, (d) 제 2 수지층(30b)을 경화함으로써, 제 1 및 제 2 수지층(20, 30)을 포함하는 수지 돌기(40)를 형성하는 공정과, (e) 전극 패드(16)와 전기적으로 접속하고, 또한 수지 돌기(40)의 상방을 지나는 도전층(50)을 형성하는 공정을 포함한다.
전극 패드, 패시베이션 막, 수지 돌기, 도전층

摘要翻译： 本发明的目的是提高导电层的粘附性并防止迁移。 一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：（a）在具有电极焊盘16和钝化膜18的半导体衬底10上方形成第一树脂层20b;（b） （C）至少在第一树脂层（20）的根部在第一树脂层（20）上形成第二树脂层（30a） （D）通过固化第二树脂层30b形成包括第一和第二树脂层20和30的树脂凸块40;（e） 并且在树脂凸块（40）上形成导电层（50）。