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公开(公告)号:KR101906408B1
公开(公告)日:2018-10-11
申请号:KR1020110100767
申请日:2011-10-04
申请人: 삼성전자주식회사
CPC分类号: H01L25/50 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/0557 , H01L2224/12105 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2225/06586 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01327 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/19104 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3511 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552
摘要: 본발명의기술적사상은반도체패키지공정에서핸들링이용이하고워피지발생문제를해결할수 있는반도체패키지및 그제조방법을제공한다. 그반도체패키지는적어도하나의반도체칩이내부밀봉재에의해밀봉된내부패키지; 상기내부패키지가실장되는외부기판; 및상기내부패키지를밀봉하는외부밀봉재;를포함하고, 상기내부밀봉재와외부밀봉재는서로다른모듈러스(Young's modulus)를갖는다.
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公开(公告)号:KR101870690B1
公开(公告)日:2018-06-25
申请号:KR1020177003480
申请日:2010-05-12
IPC分类号: H01L21/683 , H01L23/00 , H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/62 , H01L25/00 , H01L33/48 , H01L33/50 , H01L33/54
CPC分类号: H01L25/0753 , H01L21/6835 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L25/50 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/486 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2221/68322 , H01L2221/6835 , H01L2221/68354 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2221/68386 , H01L2224/8312 , H01L2224/83868 , H01L2224/83871 , H01L2224/83874 , H01L2224/95085 , H01L2924/01322 , H01L2924/05432 , H01L2924/06 , H01L2924/12033 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/13063 , H01L2924/13064 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , Y10S438/977 , H01L2924/00
摘要: 본발명은인쇄가능한구조물및 전자소자를제조, 조립및 배열(arranging)하는방법에관한것이다. 본발명의몇몇방법들은하나또는그 이상의소자부품들이고분자내로삽입된전자소자의조립에유용하다. 상기고분자는삽입공정중 소자부품사이의전기적배선을위한트렌치(trench)를통해패터닝된다. 본발명의몇몇방법들은프린팅법에의한전자소자조립에유용하다. 또한, 예를들어, 디스플레이또는조명시스템을위한 GaN 발광다이오드및 이의제조및 배열하는방법을제공한다.
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公开(公告)号:KR101846025B1
公开(公告)日:2018-04-05
申请号:KR1020110091576
申请日:2011-09-09
申请人: 닛토덴코 가부시키가이샤
CPC分类号: H01L21/78 , C08K7/00 , C09J7/35 , C09J9/02 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L23/3121 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/2939 , H01L2224/294 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/85205 , H01L2224/92247 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01057 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , Y10T428/25 , Y10T428/28 , Y10T428/2817 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011
摘要: 본발명은박리대전이일어나기어려우면서접착성, 작업성이양호한다이본드필름을갖는다이싱·다이본드필름을제공하는것이다. 다이싱필름상에열경화형다이본드필름이설치된다이싱·다이본드필름이며, 열경화형다이본드필름은도전성입자를함유하고있고, 열경화형다이본드필름의체적저항률이 1×10Ω·cm 이상 1×10Ω·cm 이하이며, 열경화형다이본드필름의열경화전에있어서의 -20℃에서의인장저장탄성률이 0.1GPa 내지 10GPa인다이싱·다이본드필름.
摘要翻译: 发明内容本发明提供难以产生剥离带电的芯片接合薄膜,并且具有粘接性和加工性良好的芯片接合薄膜。 其中热固性芯片接合薄膜包含导电颗粒,且热固性芯片接合薄膜的体积电阻率为1×10 5Ω·cm以上且1× 10℃,cm 2,热固化前的热固性芯片接合薄膜在-20℃的拉伸储能弹性模量为0.1GPa〜10GPa。
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公开(公告)号:KR101832494B1
公开(公告)日:2018-02-26
申请号:KR1020110095258
申请日:2011-09-21
申请人: 에스아이아이 세미컨덕터 가부시키가이샤
发明人: 기무라노리유키
CPC分类号: H01L24/14 , H01L21/565 , H01L23/31 , H01L23/3107 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/97 , H01L2224/141 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48229 , H01L2224/48465 , H01L2224/4848 , H01L2224/49171 , H01L2224/85207 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/1905 , H01L2924/384 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要: (과제) 간략기판을사용함으로써저비용의반도체부품을공급할수 있게되고, 또한, 봉지체내에외부접속용의마이크로볼을매립함으로써박형이고또한외부단자접속성이우수한 BGA 반도체패키지및 그제조방법을제공한다. (해결수단) BGA 반도체패키지는, 반도체소자를탑재하는기판과반도체소자와기판을접착하는접착제와기판에형성된스루홀에끼워진도전성의마이크로볼과, 반도체소자와마이크로볼을전기적으로접속하는본딩와이어와, 반도체소자, 접착제, 마이크로볼의일부, 및본딩와이어를기판의반도체소자면측을봉지수지로봉지하는봉지체를구비한 BGA 반도체패키지에있어서, 마이크로볼의저면의적어도일부가, 봉지체의저면으로부터기판에형성된스루홀을통과하여외부접속용단자로서노출되는노출부를갖는다.
摘要翻译: 本发明提供一种BGA半导体封装,其通过使用简单的衬底将外部连接微球嵌入封装体中而具有优异的外部端子连接性能,并且其薄膜制造方法 的。 (解决手段)BGA半导体封装,所述导电穿过形成在粘合剂和粘合所述基板和所述半导体元件和用于安装半导体元件的微小球体和接合线用于半导体元件和所述微球电连接所述衬底基板的孔装配在 并且,通过密封树脂使微球的底面的至少一部分与密封材料的端面接合,以密封树脂密封基板的半导体元件面侧, 并且从底面形成在基板上的贯通孔露出的露出部作为外部连接端子而露出。
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公开(公告)号:KR101774234B1
公开(公告)日:2017-09-05
申请号:KR1020110052992
申请日:2011-06-01
申请人: 삼성전자주식회사
IPC分类号: H01L21/60
CPC分类号: H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/02319 , H01L2224/02331 , H01L2224/02375 , H01L2224/02377 , H01L2224/02379 , H01L2224/03003 , H01L2224/03334 , H01L2224/05548 , H01L2224/05554 , H01L2224/05567 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/0603 , H01L2224/06153 , H01L2924/01327 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要: 재배선층을가지는반도체소자의제조방법을개시한다. 본발명의일 실시예에따른반도체소자의제조방법은상면에회로부가형성되며회로부와전기적으로연결되는금속패드및 회로부를덮으며금속패드를노출시키는보호층(passivation layer)이형성된반도체기판을준비하는단계, 금속패드와전기적으로연결되며, 금속패드상에서보호층상으로연장되도록프린팅방법에의하여제1 재배선층을형성하는단계, 및제1 재배선층을시드로제1 재배선층상에전기도금으로제2 재배선층을형성하는단계를포함한다.
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公开(公告)号:KR101736722B1
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:KR1020117014025
申请日:2009-11-19
申请人: 셈프리어스 아이엔씨.
发明人: 메날드,에띠앙
IPC分类号: H01L21/027
CPC分类号: H01L21/6835 , H01L21/67092 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L2221/68354 , H01L2224/75303 , H01L2224/75305 , H01L2224/75315 , H01L2224/7598 , H01L2224/83192 , H01L2224/838 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/10329 , H01L2924/10336 , H01L2924/10349 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01049 , H01L2924/01031 , H01L2924/01051 , H01L2924/00
摘要: 수신기판에반도체소자의전사프린팅을위한방법및 장치를제공한다. 일측면에서, 프린팅은반도체소자에서잉크로칠해진탄성중합체스탬프와수신기판사이에등각접촉으로이루어지고, 스탬프제거동안, 전단오프셋이스탬프와수신기판사이에적용된다. 전단-오프셋프린팅처리는좋은배치정밀도와함께높은프린팅전사이득을획득한다. 스탬프-백킹압력적용및 수직변위를다양하게하는시간을포함하는, 전사프린팅동안처리파라미터선택은수반하는전사프린팅개선으로충분히일정한박리(delamination) 비율을생기게한다.
摘要翻译: 提供了用于在接收衬底上转印印刷半导体器件的方法和设备。 在一个方面,打印被接触,等等。在每个弹性体印模与所述接收机判断绘的半导体装置上的油墨,为了除去印模,该印模和该接收机前端的偏移量应用于其上的法官提出。 剪切平版印刷工艺通过良好的批量精度实现了高印刷转印增益。 转印过程中的工艺参数选择,包括印后加压施加和时变垂直位移,导致分层速率足够恒定,随后转印改进。
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公开(公告)号:KR1020170041518A
公开(公告)日:2017-04-17
申请号:KR1020150141050
申请日:2015-10-07
申请人: 삼성전자주식회사
IPC分类号: H01L25/065 , H01L21/56 , H01L23/31
CPC分类号: H01L21/563 , H01L21/4853 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L25/0655 , H01L25/16 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/26175 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125 , H01L2924/15323 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
摘要: 본발명의기술적사상에의한반도체패키지제조방법은, 반도체칩 실장영역이형성된패키지기판을준비하는단계, 반도체칩 실장영역에반도체칩을실장하는단계, 반도체칩을둘러싸도록설정된제1 온도미만의제1 용액으로댐을형성하는단계, 및반도체칩의하부및 댐에의하여한정되는영역에설정된제1 온도이상의제1 용액으로언더필을충전하는단계를포함하는것을특징으로한다.
摘要翻译: 根据本发明的技术构思的半导体封装制造方法包括以下步骤:准备形成有半导体芯片安装区域的封装基板;在半导体芯片安装区域上安装半导体芯片; 1溶液,并且用底部填充物填充等于或高于在由半导体芯片的下部和堤坝限定的区域中设定的第一温度的第一溶液。
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公开(公告)号:KR101706119B1
公开(公告)日:2017-02-14
申请号:KR1020167012116
申请日:2014-10-08
申请人: 인벤사스 코포레이션
发明人: 우조사이프리안에메카 , 카트카르라예쉬
IPC分类号: H01L23/00 , H01L21/3213 , H01L21/48 , H01L21/768 , H01L23/498
CPC分类号: H01L24/11 , H01L21/3213 , H01L21/32139 , H01L21/4853 , H01L21/76885 , H01L23/49811 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/02166 , H01L2224/03462 , H01L2224/0348 , H01L2224/0362 , H01L2224/03823 , H01L2224/0401 , H01L2224/05023 , H01L2224/05082 , H01L2224/05147 , H01L2224/05164 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/05558 , H01L2224/05564 , H01L2224/05565 , H01L2224/05568 , H01L2224/05578 , H01L2224/05582 , H01L2224/05611 , H01L2224/05664 , H01L2224/05686 , H01L2224/0569 , H01L2224/10126 , H01L2224/10145 , H01L2224/11013 , H01L2224/1111 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1182 , H01L2224/11849 , H01L2224/131 , H01L2224/81815 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/00
摘要: 대체로기판에관한장치가개시된다. 이러한장치에서, 제1 금속층이기판상에있다. 제1 금속층은개구를갖는다. 제1 금속층의개구는저부및 저부로부터연장된하나이상의측부들을갖는다. 제2 금속층이제1 금속층 상에있다. 제1 금속층 및제2 금속층은보울형상구조물을제공한다. 보울형상구조물의내부표면은제1 금속층의개구및 그상부의제2 금속층에대응하여한정된다. 보울형상구조물의개구는리플로우공정동안에접합재료를수용하도록그리고그를적어도부분적으로보유하도록구성된다.
摘要翻译: 公开了一般涉及基板的装置。 在该装置中,第一金属层位于基板上。 第一金属层具有开口。 第一金属层的开口具有从底部延伸的底部和一个或多个侧面。 第二金属层位于第一金属层上。 第一金属层和第二金属层提供碗形结构。 碗形结构的内表面是响应于其上的第一金属层和第二金属层的开口而定义的。 碗形结构的开口构造成在回流过程期间接收并且至少部分地保持接合材料。
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公开(公告)号:KR1020160143264A
公开(公告)日:2016-12-14
申请号:KR1020150079734
申请日:2015-06-05
申请人: 주식회사 에스에프에이반도체
IPC分类号: H01L23/48 , H01L23/28 , H01L23/13 , H01L21/3065
CPC分类号: H01L23/49811 , H01L21/4853 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/15 , H01L23/49866 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/83192 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/15153 , H01L2924/157 , H01L2924/15788 , H01L2924/3511 , H01L2224/83
摘要: 본발명의일면에따른웨이퍼레벨패키지방법은패터닝된웨이퍼를준비하는단계; 상기패터닝된웨이퍼상의반도체칩의부착위치에식각공정으로홈을만드는단계; 상기홈 내부에상기칩을고정하는단계; 및상기홈 내부의상기칩 이외의부분과상기웨이퍼상단을보호물질로채우는단계를포함하는것을특징으로한다. 또한본 발명의일면에따른웨이퍼레벨패키지는식각을통해형성된홈을포함하고반도체칩보다넓은면적을가지는실리콘또는유리재질의웨이퍼; 상기홈 내부에고정된칩; 및상기홈 내부의칩 이외의빈공간을채우고상기웨이퍼상단의칩보다넓은면적에해당하는부분을도포하는보호물질을포함하는것을특징으로한다.
摘要翻译: 提供了一种晶片级封装及其制造方法。 晶片级封装方法包括:通过蚀刻工艺制备图案化晶片,通过蚀刻工艺,将半导体芯片固定到凹部的内部,并将应用 钝化材料到凹部内的半导体芯片以外的部分和晶片的上端。 晶片级封装包括硅或玻璃晶片,其包括通过蚀刻形成的凹部,并且具有大于半导体芯片的面积,固定到凹部内部的半导体芯片以及填充除了半导体芯片之外的空白空间的钝化材料 并且施加到对应于在晶片上端上的比半导体芯片大的区域的部分。
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公开(公告)号:KR101676916B1
公开(公告)日:2016-11-16
申请号:KR1020140108365
申请日:2014-08-20
申请人: 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사
IPC分类号: H01L25/065 , H01L23/28 , H01L23/488 , H01L23/12
CPC分类号: H01L24/96 , H01L21/311 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3185 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L23/562 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68345 , H01L2221/68363 , H01L2221/68381 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81005 , H01L2224/83005 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2924/01014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/157 , H01L2924/15788 , H01L2924/1811 , H01L2924/18161 , H01L2924/3025 , H01L2924/351 , H01L2224/83 , H01L2224/81
摘要: 본발명의일 실시예는반도체디바이스의제조방법및 이에따른반도체디바이스에관한것으로, 해결하고자하는기술적과제는반도체다이와재배선층을인캡슐레이션하는공정을마지막공정에배치함으로써, 반도체다이와재배선층사이의열팽창계수로인한웨이퍼의휨 현상을방지할수 있게하는데있다. 이를위해본 발명의일 실시예는더미기판의일면에재배선층및 유전층을포함하는인터포저를형성하는인터포저형성단계; 상기인터포저의제1 면에솔더범프를접속하는솔더범프접속단계; 상기더미기판을제거하는더미기판제거단계; 상기인터포저의제1 면과상기인터포저의제1 면에접속된솔더범프상에 WSS(Wafer Support System)를부착하는 WSS 부착단계; 상기인터포저의제1 면의반대면인제2 면에반도체다이를접속하는반도체다이접속단계; 상기인터포저의제2 면및 반도체다이를인캡슐란트로인캡슐레이션하는인캡슐레이션단계; 상기인캡슐란트를그라인딩하여상기반도체다이의일면을노출시키는그라인딩단계; 상기 WSS를제거하는 WSS 제거단계; 및상기 WSS가제거된인터포저의제1 면을회로기판에접속하는회로기판접속단계를포함하는반도체디바이스의제조방법을개시한다.
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