公开(公告)号：KR101857331B1

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：KR1020157009362

申请日：2013-09-17

Applicant: 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤

Inventor： 사또,고이찌 ,  아꾸쯔,야스시

IPC: C09J9/02 ,  C08K3/08 ,  C09J201/00

CPC classification number: H01L24/28 ,  B29C59/02 ,  B29C71/04 ,  B29C2035/0827 ,  B29C2059/028 ,  B29K2063/00 ,  B29L2009/003 ,  B29L2031/34 ,  B32B3/08 ,  B32B3/30 ,  B32B7/12 ,  B32B27/08 ,  B32B27/20 ,  B32B27/308 ,  B32B27/36 ,  B32B27/38 ,  B32B33/00 ,  B32B2255/205 ,  B32B2264/102 ,  B32B2264/104 ,  B32B2270/00 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/412 ,  B32B2307/706 ,  B32B2457/00 ,  B32B2457/202 ,  C08K3/08 ,  C08K2201/001 ,  C09J7/00 ,  C09J7/10 ,  C09J9/02 ,  C09J2201/36 ,  C09J2201/602 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/13454 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/2711 ,  H01L2224/2712 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29195 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29357 ,  H01L2224/2936 ,  H01L2224/29371 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29391 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/29394 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/294 ,  H01L2224/29486 ,  H01L2224/29494 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/81488 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83488 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83871 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/83885 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0543 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/381 ,  Y10T156/1039 ,  Y10T428/24562 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/069 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0615

Abstract: 본발명은이방성도전필름을사용한접속에있어서, 접속후의기판휨의저감을도모하는것을목적으로한다. 이방성도전필름(23)은제1 절연성접착제층(30)과, 제2 절연성접착제층(31)과, 제1 절연성접착제층(30) 및제2 절연성접착제층(31)에끼움지지되고, 도전성입자(32)가절연성접착제(33)에함유된도전성입자함유층(34)을갖고, 도전성입자함유층(34)과제1 절연성접착제층(30) 사이에기포(41)가함유되고, 도전성입자함유층(34)은제2 절연성접착제층(31)과접하는, 도전성입자(32)의하부의경화도가다른부위의경화도보다도낮은것이다.

公开(公告)号：KR20180027308A

公开(公告)日：2018-03-14

申请号：KR20160169521

申请日：2016-12-13

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578 ,  H01L2924/351

Abstract: 3차원구조의플래시메모리에서도양호한특성의반도체장치를형성가능하게한다. 상기과제를해결하기위해서기판상에절연막을형성하는절연막형성공정; 상기절연막상에희생막을형성하는희생막형성공정; 및상기희생막과상기절연막의막 응력차이를저감하도록개질하는개질공정; 을하나의조합으로하여서상기조합을복수회 반복해서상기절연막과상기희생막을적층한적층구조를형성하는기술을제공한다.

Abstract translation: 本文描述的技术可以形成具有3D结构的闪存上的有利特性的半导体器件。 提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：（a）通过进行多次组合来形成具有堆叠在其中的绝缘膜和牺牲膜的堆叠结构，所述组合包括：（a-1）形成绝缘膜 基片上的薄膜; （a-2）在绝缘膜上形成牺牲膜; 和（a-3）改变绝缘膜和牺牲膜中的至少一个以减小绝缘膜和牺牲膜的应力之间的差异。

公开(公告)号：KR20180018364A

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：KR20170099546

申请日：2017-08-07

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2924/351

Abstract: 상대적으로넓은면적의배선혹은패드 (1) 에접속하는제 2 배선 (2) 와의접합지점 (6) 의근방에슬릿 (3) 을형성한다. 이로써, 포토리소그래피공정에서의베이크처리나 UV 큐어등에서발생하는레지스트의인장응력을분산시키고, 제 2 배선단의레지스트의수축, 변형을완화할수 있어에칭에의해형성되는배선의치수및 형상을안정화할수 있다.

Abstract translation: 沿着第二互连连接到相对大面积的互连或焊盘的连接部分形成狭缝。 由于光刻中的烘烤，UV固化或其他处理引起的抗蚀剂的拉伸应力可以被分散，因此可以减轻第二互连的末端处的抗蚀剂的收缩和变形，并且互连的尺寸和形状， 通过蚀刻形成的凹陷可以被稳定。

公开(公告)号：KR1020170136561A

公开(公告)日：2017-12-11

申请号：KR1020177031816

申请日：2016-03-31

Applicant: 알파 어셈블리 솔루션스 인크.

Inventor： 벤카타기리야파라마크리시나호수르 ,  데아빌라리바스모르가나 ,  다스바런 ,  시다파하리시한치나 ,  무케르지수타파 ,  사르카르시울리 ,  싱바와 ,  라우트라훌 ,  판데르란지트

IPC: C08L63/00 ,  C08K3/00 ,  C08K3/04 ,  C08J5/18 ,  C08K7/02 ,  B23K1/00 ,  B23K35/36 ,  H01L23/29 ,  H01L23/00

CPC classification number: B23K35/3613 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/20 ,  B23K35/00 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/3602 ,  B23K2201/42 ,  C08K3/013 ,  C08K3/04 ,  C08K3/042 ,  C08K5/00 ,  C08K5/549 ,  C08K7/02 ,  H01L23/295 ,  H01L23/296 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1141 ,  H01L2224/11418 ,  H01L2224/11422 ,  H01L2224/1301 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13311 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13386 ,  H01L2224/13387 ,  H01L2224/13393 ,  H01L2224/13439 ,  H01L2224/13444 ,  H01L2224/13447 ,  H01L2224/13486 ,  H01L2224/13487 ,  H01L2224/1349 ,  H01L2224/13499 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/27422 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27602 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29447 ,  H01L2224/29486 ,  H01L2224/29487 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/81856 ,  H01L2224/81862 ,  H01L2224/81874 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3841 ,  C08L63/00 ,  C08L83/04 ,  C08K5/092 ,  C08K5/18 ,  C08K5/49 ,  C08L2205/025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/07001 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/0675 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/01102 ,  H01L2924/01103 ,  H01L2924/01109 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/0503 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/061 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0542 ,  H01L2924/0103 ,  C08J5/18

Abstract: 전자어셈블리공정에서사용하기위한조성물로서, 상기조성물은유기매질에분산된충전재를포함하며, 여기서, 상기유기매질은중합체를포함하고; 상기충전재는그래핀, 관능화된그래핀, 그래핀옥사이드, 다면체올리고머성실세스퀴옥산, 그래파이트, 2D 재료, 산화알루미늄, 산화아연, 질화알루미늄, 질화붕소, 은, 나노섬유, 탄소섬유, 다이아몬드, 탄소나노튜브, 이산화규소, 및금속코팅된입자를포함하며, 상기조성물은상기조성물의총 중량을기준으로하여, 상기충전재를 0.001 내지 40wt% 포함하는, 조성물.

Abstract translation: 一种用于电子装配过程的组合物，所述组合物包含分散在有机介质中的填料，其中所述有机介质包含聚合物; 填充材料是石墨烯，官能化石墨烯，石墨烯氧化物，多面体低聚倍半硅氧烷完整性，石墨，2D的材料，氧化铝，氧化锌，氮化铝，氮化硼，银，纳米纤维，碳纤维，金刚石， 碳纳米管，二氧化硅和金属包覆颗粒，其中基于组合物的总重量，组合物包含0.001-40重量％的填料。

公开(公告)号：KR1020170134968A

公开(公告)日：2017-12-07

申请号：KR1020177018693

申请日：2016-03-31

Applicant: 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤

Inventor： 이시다아츠시 ,  호소카와노부로 ,  나가노데루마사 ,  바바다카시

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L31/107

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L24/02 ,  H01L24/13 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/103 ,  H01L31/107 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/351

Abstract: 관통공(7)은수직구멍이다. 관통공(7)의중심선 CL을포함한평면에대해중심선 CL의양측영역의각각에주목한경우에있어서, 절연층(10)의개구(10a)의가장자리에대응하는제1 점 X1과제2 개구(7b)의가장자리에대응하는제2 점 X2를연결하는선분을제1 선분 S1로하고, 제2 점 X2와제2 개구(7b)와절연층(10)의표면(10b)이교차하는점에대응하는제3 점 X3을연결하는선분을제2 선분 S2로하며, 제3 점 X3과제1 점 X1을연결하는선분을제3 선분 S3으로한다. 이때, 제1 선분 S1에대해한쪽측에위치하는절연층(10)의제1 면적 A1은, 제1 선분 S1, 제2 선분 S2, 및제3 선분 S3에의해둘러싸이는절연층(10)의제2 면적 A2와, 제3 선분 S3에대해다른쪽측에위치하는절연층(10)의제3 면적 A3의합보다크다.

Abstract translation: 通孔7是一个垂直孔。 在中心线CL的平面包括所述通孔（7），对应于绝缘层10，第2孔的开口（10A）的边缘上的第一点X1任务（7b的中心线CL的每一侧区域中指出hangyeongwoo ）的线段连接对应于第一区段S1和第二点X2沃赫第二开口（7B）和相应于所述表面（10b）的点到绝缘层10的异教差的边缘上的第二点X2的 点与X3连接到所述第二区段S2 3的线，而第三点X3的挑战点X1到连接所述第三区段S3的行。 此时，绝缘层10议程，其位于一个侧相对于该第一区段S1的第一区域A1中，第一区段S1，第二区段S2，mitje 3由线段S3所包围其中绝缘层（10）议程第二区域 A2和位于相对于第三线段S3的另一侧的绝缘层10的第三区域A3。

公开(公告)号：KR1020170133324A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：KR1020177023711

申请日：2016-03-31

Applicant: 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤

Inventor： 호소카와노부로 ,  이노우에나오 ,  시바야마가츠미

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L24/02 ,  H01L24/13 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/103 ,  H01L31/107 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/351

Abstract: 반도체장치(1)는, 관통공(7)이형성된반도체기판(2)과, 제1 배선(3)과, 절연층(10)과, 절연층(10)의개구(10a)에있어서제1 배선(3)에전기적으로접속된제2 배선(8)을구비한다. 절연층(10)은제1 개구(7a)와제2 개구(7b)의사이에있어서관통공(7)의내면(7c)을덮는제1 만곡부(101)와, 제2 개구(7b)의가장자리를덮는제2 만곡부(102)를가진다. 제1 만곡부(101)에있어서의표면(10b)은, 관통공(7)의내면(7c)과는반대측으로볼록한모양으로만곡되어있다. 제2 만곡부(102)에있어서의표면(10b)은, 관통공(7)의내면(7c)과는반대측으로볼록한모양으로만곡되어있다.

Abstract translation: 半导体器件1包括在其上形成有通孔7的半导体衬底2，在绝缘层10的开口10a中的第一布线3，绝缘层10和第一绝缘层10， 和与布线（3）电连接的第二布线（8）。 绝缘层10具有覆盖通孔7的内表面7c的第一弯曲部分101和覆盖第一开口7a和第二开口7b中的第二开口7b的边缘的第二弯曲部分101， 和第二弯曲部分102。 第一弯曲部分101的表面10b以与通孔7的内表面7c相对的凸形弯曲。 第二弯曲部分102的表面10b在通孔7的内表面7c的相反侧上以凸形弯曲。

公开(公告)号：KR101755749B1

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：KR1020127026993

申请日：2011-03-18

Applicant: 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤

Inventor： 니시쿠보히데오 ,  마스모리슌지 ,  하라다다쿠야 ,  이시이도모히로 ,  후지와라히데미치

IPC: H01L23/00

CPC classification number: H01L23/4924 ,  H01L21/4853 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/13305 ,  H01L2224/13309 ,  H01L2224/13311 ,  H01L2224/13313 ,  H01L2224/13316 ,  H01L2224/13317 ,  H01L2224/13318 ,  H01L2224/1332 ,  H01L2224/13323 ,  H01L2224/13324 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13349 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13357 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13366 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2747 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29305 ,  H01L2224/29309 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29313 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29317 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/2932 ,  H01L2224/29323 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29349 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29357 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29366 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81125 ,  H01L2224/81127 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83125 ,  H01L2224/83127 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H05K2203/0338 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 열사이클특성이우수한금속다공질체로이루어지는도전성범프, 도전성다이본드부등의도전접속부재를제공한다. 반도체소자의전극단자또는회로기판의전극단자의접합면에형성된도전접속부재로서, 상기도전접속부재가평균 1차입자직경 10∼500㎚의금속미립자(P)와, 유기용제(S), 또는유기용제(S) 및유기바인더(R)로이루어지는유기분산매(D)를포함하는도전성페이스트를가열처리하여금속미립자끼리가결합되어형성된금속다공질체이고, 상기금속다공질체의공극률이 5∼35체적%이며, 상기금속다공질체를구성하고있는금속미립자의평균입자직경이 10∼500㎚의범위이며, 또한상기금속미립자사이에존재하는평균공공직경이 1∼200㎚의범위인것을특징으로하는도전접속부재.

Abstract translation: 提供由热循环特性优异的金属多孔体构成的导电性凸块或导电性芯片接合部等导电性连接部件。 形成在电极端子或半导体装置的电路基板的电极端子的接合面的导电性连接构件，和细小金属粒子（P），其中所述导电性连接部件10〜500㎚平均初级粒径，该有机溶剂（S），或有机 溶剂（S）和一个导电膏正在上升的金属多孔体是通过热处理金属微粒被组合以相互包含有机粘结剂（R）构成的有机分散介质（d）形成时，金属多孔体的孔隙率是5〜35体积％ ，平均粒径为10〜500㎚金属微粒组成的金属多孔体，和所述导电性连接部件的，其特征在于，所述金属粒子之间存在的范围为1〜200㎚大内公众的平均直径。

公开(公告)号：KR101732975B1

公开(公告)日：2017-05-08

申请号：KR1020100122577

申请日：2010-12-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박병률 ,  최길현 ,  방석철 ,  문광진 ,  임동찬 ,  정덕영

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/00 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 반도체장치의제조방법에있어서, 제1 면및 상기제1 면에반대하는제2 면을갖는기판을마련한다. 상기제1 면으로부터상기기판의두께방향으로연장하며관통전극이형성될영역에희생막패턴을형성한다. 상기기판의제1 면상에형성되며, 상기희생막패턴상에위치하는배선을갖는상부배선층을형성한다. 상기기판의상기제2 면을부분적으로제거하여상기희생막패턴을노출시킨다. 상기희생막패턴을상기기판의제2 면으로부터제거하여상기배선을노출시키는개구부를형성한다. 상기개구부내에상기배선과전기적으로연결되는관통전극을형성한다.

公开(公告)号：KR1020160146205A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：KR1020150083148

申请日：2015-06-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조용상 ,  배상우 ,  전현석 ,  정영석

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/52 ,  H01L23/535 ,  H01L23/488 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/525 ,  H01L23/585 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02235 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/11

Abstract: 반도체장치및 반도체장치의제조방법이제공된다. 반도체장치는, 기판상에형성된게이트구조물을포함하는반도체칩; 상기반도체칩의상면에형성되고, 상기반도체칩의제1 전극패드와제1 솔더볼을전기적으로연결하는제1 재배선층; 상기반도체칩의상면에형성되고, 상기반도체칩의제2 전극패드와제2 솔더볼을전기적으로연결하는제2 재배선층; 및상기제1 재배선층 및상기제2 재배선층 상에형성되는절연층을포함하고, 상기게이트구조물의제1 영역은상기제1 재배선층과오버랩되고, 상기게이트구조물의상기제1 영역과다른제2 영역은상기제2 재배선층과오버랩되고, 상기게이트구조물의상기제1 영역및 상기제2 영역사이의제3 영역은상기제1 재배선층 및상기제2 재배선층 사이에서노출되고, 상기제1 재배선층 및상기제2 재배선층은상기게이트구조물을향한방향으로만곡되어상기게이트구조물에스트레스를가한다.

Abstract translation: 半导体器件包括半导体芯片，其包括在衬底上的至少一个栅极结构，所述栅极结构包括第一区域，与第一区域不同的第二区域以及第一和第二区域之间的第三区域，第一再分布 所述第一再分配层被配置为将所述半导体芯片的第一电极焊盘电连接到第一焊球并与所述栅极结构的所述第一区域重叠，所述第二再分配层在所述第一焊盘的顶表面上 所述半导体芯片，所述第二再分配层被配置为将所述半导体芯片的第二电极焊盘电连接到第二焊球，并且与所述栅极结构的所述第二区域重叠以使得所述第三区域被暴露，以及在所述第一重新分布上的绝缘层 层和第二再分布层。

公开(公告)号：KR101688677B1

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：KR1020127007459

申请日：2010-03-18

Applicant: 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤

Inventor： 이양수 ,  와키오카사야카 ,  나카야마아츠시 ,  딜라오칼앨빈

IPC: H01L21/60 ,  C09J163/00 ,  C09J7/00

CPC classification number: C09J163/00 ,  C08G59/4014 ,  C08G59/686 ,  C08K3/36 ,  C09J7/35 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  H01L23/295 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29323 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29366 ,  H01L2224/2937 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/0503 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/0542 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 본발명은투명성이높아반도체칩 본딩시의패턴또는위치표시의인식을용이하게하는반도체접합용접착제를제공하는것을목적으로한다. 본발명은에폭시수지, 무기필러및 경화제를함유하는반도체접합용접착제로서, 상기무기필러는, 반도체접합용접착제중의함유량이 30 ∼ 70 중량% 이고, 또한평균입자직경이 0.1 ㎛미만인필러 A 와, 평균입자직경이 0.1 ㎛이상 1 ㎛미만인필러 B 를함유하고, 상기필러 A 는, 상기필러 B 에대한중량비가 1/9 ∼ 6/4 인반도체접합용접착제이다. 또, 본발명은, 에폭시수지와무기필러와경화제를함유하는반도체접합용접착제로서, 상기에폭시수지와상기무기필러의굴절률차가 0.1 이하인반도체접합용접착제이다.

Abstract translation: 本发明的目的在于提供一种用于粘合半导体的粘合剂，其具有高透明度并便于在半导体芯片接合时识别图案或位置指示。 本发明是一种用于粘合半导体的粘合剂，其包含：环氧树脂; 无机填料; 和固化剂，其中粘合剂中无机填料的量为30〜70重量％，无机填料含有平均粒径小于0.1μm的填料A和平均粒径为 不小于0.1μm且小于1μm，填料A与填料B的重量比为1/9至6/4。 本发明是一种用于粘合半导体的粘合剂，其包含：环氧树脂; 无机填料; 和固化剂，其中环氧树脂和无机填料之间的折射率差异不大于0.1。