公开(公告)号：KR101886888B1

公开(公告)日：2018-08-08

申请号：KR1020130090751

申请日：2013-07-31

申请人： 스태츠 칩팩 피티이. 엘티디.

发明人： 린야오지안 ,  월츠,헤이즈-피터 ,  윤승욱 ,  마리무투,판디씨

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/565 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3142 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05172 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81805

摘要： 반도체디바이스는다수반도체다이를포함하는반도체웨이퍼를갖는다. 절연층이반도체웨이퍼상에형성된다. 절연층의일부는반도체다이활성표면의일부는노출시키도록 LDA에의해제거된다. 제 1 전도성층이반도체다이활성표면의접촉패드상에형성된다. 반도체웨이퍼는반도체다이를분리시키도록분할된다. 반도체다이는반도체다이활성표면이캐리어로부터옵셋되는상태로캐리어상에위치된다. 봉지재가반도체다이측부및 활성표면의노출된부분을커버하도록반도체다이및 캐리어상에증착된다. 상호접속구조체가전도성층 상에형성된다. 선택적으로, MUF 재료가반도체다이측부및 활성표면의노출된부분상에증착된다.

公开(公告)号：KR20180021034A

公开(公告)日：2018-02-28

申请号：KR20180018054

申请日：2018-02-13

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： LIN JING CHENG ,  LU SZU WEI ,  YU CHEN HUA ,  CHI YEN YAO

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76888 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83005

摘要： 반도체소자구조체가제공된다. 반도체소자구조체는기판을포함한다. 반도체소자구조체는기판위의도전성구조체를포함한다. 반도체소자구조체는도전성구조체위의제1 금속산화물섬유를포함한다. 반도체소자구조체는기판위에있고도전성구조체와제1 금속산화물섬유를덮는유전체층을포함한다. 유전체층은제1 금속산화물섬유사이를채운다.

摘要翻译： 提供了一种半导体器件结构。 该半导体器件结构包括衬底。 半导体器件结构包括衬底上的导电结构。 半导体器件结构包括导电结构上的第一金属氧化物纤维。 半导体器件结构包括在衬底上的电介质层并覆盖导电结构和第一金属氧化物纤维。 介电层填充第一金属氧化物纤维之间的间隙。

公开(公告)号：KR1020160079640A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：KR1020150160575

申请日：2015-11-16

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 유첸후아 ,  첸밍파 ,  차이웬칭

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L23/528 ,  H01L21/18

CPC分类号： H01L24/81 ,  B81C1/00238 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/031 ,  B81C2203/035 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03602 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05149 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11614 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13149 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/16014 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/2747 ,  H01L2224/27614 ,  H01L2224/279 ,  H01L2224/27912 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29014 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29149 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32147 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/80805 ,  H01L2224/80893 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/163 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1161 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/2761 ,  H01L21/302 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/80

摘要： 접합형구조및 접합형구조를형성하는방법이제공된다. 접합형구조의제1 표면상에전도성층이형성되고, 상기접합형구조는제2 기판에접합된제1 기판을포함하며, 상기접합형구조의상기제1 표면은상기제1 기판의노출면이다. 제1 개구부와제2 개구부를갖는패터닝된마스크가상기전도성층 상에형성되고, 상기제1 개구부와상기제2 개구부는상기전도성층의부분을노출시킨다. 상기제1 접합용커넥터의제1 부분이상기제1 개구부내에형성되고, 상기제2 접합용커넥터의제1 부분이상기제2 개구부내에형성된다. 제1 접합용커넥터의제2 부분과제2 접합용커넥터의제2 부분을형성하기위해전도성층이패터닝된다. 상기제1 접합용커넥터와상기제2 접합용커넥터를이용하여접합형구조가제3 기판에접합된다.

摘要翻译： 提供一种接合结构及其形成方法。 导电层形成在接合结构的第一表面上。 接合结构包括结合到第二衬底的第一衬底。 接合结构的第一表面是第一基板的曝光区域。 在导电层上形成具有第一和第二开口的图案化掩模。 第一和第二开口暴露导电层的一部分。 第一接合连接器的第一部分形成在第一开口内部。 第二接合连接器的第一部分形成在第二开口内。 图案化导电层以形成第一接合连接的第二部分和第二接合连接器的第二部分。 通过使用第一和第二接合连接器将接合结构结合到第三基板。

公开(公告)号：KR101583609B1

公开(公告)日：2016-01-19

申请号：KR1020157017369

申请日：2013-12-02

申请人： 인벤사스 코포레이션

发明人： 우조사이프리언에메카

IPC分类号： H01L23/485 ,  H05K13/04 ,  H01L23/00 ,  H01L23/498

CPC分类号： H05K13/046 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/10 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/98 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05138 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/8112 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8312 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01071 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2224/05552

摘要： 마이크로전자조립체(10, 110, 210, 310, 410)는제1 도전성요소(26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022)를구비한제1 기판(12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912)과제2 도전성요소(26, 126, 226, 326, 426)를구비한제2 기판(14, 114, 214, 314, 414)을포함한다. 상기조립체는, 상기제1 및제2 도전성요소들(26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022)에접합되고제1 소재, 제2 소재, 및제3 소재를포함하며전기적도전성을갖는합금매스(16, 116)를더 포함한다. 상기합금매스(16, 116)의제1 소재및 제2 소재각각은상기합금의용융점보다낮은용융점을갖는다. 상기제1 소재의농도는제1 도전성요소(26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022) 측위치에서의상대적으로높은값으로부터제2 도전성요소(26, 126, 226, 326, 426) 측의상대적으로낮은값으로변화하고, 제2 소재의농도는제2 도전성요소(26, 126, 226, 326, 426) 측위치에서의상대적으로높은값으로부터제1 도전성요소(26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022) 측의상대적으로낮은값으로변화한다. 마이크로전자조립체(10, 110, 210, 310, 410)는: 제1 본딩구성요소(30, 230, 330, 430)를가진제1 기판(12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912)을제2 본딩구성요소(40, 240, 340, 440)를가진제2 기판(14, 114, 214, 314, 414)과정렬시켜서상기제1 본딩구성요소(30, 230, 330, 430, 1030)와제2 본딩구성요소(40, 240, 340, 440)가서로에대해접촉되도록하는단계로서, 상기제1 본딩구성요소(30, 230, 330, 430, 1030)는제1 도전성요소(26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022)에인접한제1 소재층(36, 536, 636, 736, 836, 936), 및제1 소재층(36, 536, 636, 736, 836, 936)에겹쳐지는제1 보호층(38, 538, 638, 738, 838, 938)을포함하고, 상기제2 본딩구성요소(40, 240, 340, 440)는제2 도전성요소(26)에인접한제2 소재층(46), 및제2 소재층(46)에겹쳐지는제2 보호층(48)을포함하는, 단계; 및상기제1 본딩구성요소(30, 230, 330, 430, 1030)와제2 본딩구성요소(40, 240, 340, 440)를가열함으로써, 상기제1 소재층(36, 536, 636, 736, 836, 936)과제2 소재층(46)의적어도일부분들이함께확산되어서, 제1 기판(12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912)과제2 기판(14, 114, 214, 314, 414)을서로에대해접합시키는합금매스(16, 116)를형성하는, 단계;에의하여형성된다. 제1 기판(12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912) 상에형성된복수의제1 도전성요소(26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022)들과제2 기판(14, 114, 214, 314, 414) 상에형성된복수의제2 도전성요소(26, 126, 226, 326, 426)들은도전성을갖는복수의합금매스(16, 116)들에의하여접합될수 있다. 상기도전성합금매스(116)에의하여둘러싸일수 있는내부체적은기밀적으로밀봉될수 있다.

公开(公告)号：KR1020150107433A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：KR1020140030355

申请日：2014-03-14

申请人： 에스케이하이닉스 주식회사

发明人： 김정삼

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/562 ,  H01L27/088 ,  H01L29/4236 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/0484 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1443

摘要： 본 발명에 따른 반도체 소자는 다수의 저장 전극을 포함하는 제 1 패드 영역과, 제 1 패드 영역과 인접하게 배치되며, 다수의 저장 전극을 포함하는 제 2 패드 영역과, 제 1 패드 영역 및 상기 제 2 패드 영역 사이에 구비된 연결부와, 제 1 패드 영역의 상기 저장 전극 및 제 2 패드 영역의 상기 저장 전극에 표면을 따라 구비되며, 제 1 패드 영역 및 상기 제 2 패드 영역의 연결부에서 연결되어 구비된 플레이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.

摘要翻译： 根据本发明的半导体器件包括：包括多个存储电极的第一焊盘区域; 第二焊盘区域，其布置成靠近第一焊盘区域，并且包括多个存储电极; 设置在所述第一焊盘区域和所述第二焊盘区域之间的连接单元; 以及平板电极，其沿着第一和第二焊盘区域中的存储电极的表面设置，并且连接到第一焊盘区域和第二焊盘区域的连接单元。

公开(公告)号：KR1020150085098A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：KR1020157017369

申请日：2013-12-02

申请人： 인벤사스 코포레이션

发明人： 우조사이프리언에메카

IPC分类号： H01L23/485 ,  H05K13/04 ,  H01L23/00 ,  H01L23/498

CPC分类号： H05K13/046 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/10 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/98 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05138 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/8112 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8312 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01071 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2224/05552

摘要： 마이크로전자조립체(10, 110, 210, 310, 410)는제1 도전성요소(26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022)를구비한제1 기판(12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912)과제2 도전성요소(26, 126, 226, 326, 426)를구비한제2 기판(14, 114, 214, 314, 414)을포함한다. 상기조립체는, 상기제1 및제2 도전성요소들(26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022)에접합되고제1 소재, 제2 소재, 및제3 소재를포함하며전기적도전성을갖는합금매스(16, 116)를더 포함한다. 상기합금매스(16, 116)의제1 소재및 제2 소재각각은상기합금의용융점보다낮은용융점을갖는다. 상기제1 소재의농도는제1 도전성요소(26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022) 측위치에서의상대적으로높은값으로부터제2 도전성요소(26, 126, 226, 326, 426) 측의상대적으로낮은값으로변화하고, 제2 소재의농도는제2 도전성요소(26, 126, 226, 326, 426) 측위치에서의상대적으로높은값으로부터제1 도전성요소(26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022) 측의상대적으로낮은값으로변화한다. 마이크로전자조립체(10, 110, 210, 310, 410)는: 제1 본딩구성요소(30, 230, 330, 430)를가진제1 기판(12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912)을제2 본딩구성요소(40, 240, 340, 440)를가진제2 기판(14, 114, 214, 314, 414)과정렬시켜서상기제1 본딩구성요소(30, 230, 330, 430, 1030)와제2 본딩구성요소(40, 240, 340, 440)가서로에대해접촉되도록하는단계로서, 상기제1 본딩구성요소(30, 230, 330, 430, 1030)는제1 도전성요소(26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022)에인접한제1 소재층(36, 536, 636, 736, 836, 936), 및제1 소재층(36, 536, 636, 736, 836, 936)에겹쳐지는제1 보호층(38, 538, 638, 738, 838, 938)을포함하고, 상기제2 본딩구성요소(40, 240, 340, 440)는제2 도전성요소(26)에인접한제2 소재층(46), 및제2 소재층(46)에겹쳐지는제2 보호층(48)을포함하는, 단계; 및상기제1 본딩구성요소(30, 230, 330, 430, 1030)와제2 본딩구성요소(40, 240, 340, 440)를가열함으로써, 상기제1 소재층(36, 536, 636, 736, 836, 936)과제2 소재층(46)의적어도일부분들이함께확산되어서, 제1 기판(12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912)과제2 기판(14, 114, 214, 314, 414)을서로에대해접합시키는합금매스(16, 116)를형성하는, 단계;에의하여형성된다. 제1 기판(12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912) 상에형성된복수의제1 도전성요소(26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022)들과제2 기판(14, 114, 214, 314, 414) 상에형성된복수의제2 도전성요소(26, 126, 226, 326, 426)들은도전성을갖는복수의합금매스(16, 116)들에의하여접합될수 있다. 상기도전성합금매스(116)에의하여둘러싸일수 있는내부체적은기밀적으로밀봉될수 있다.

公开(公告)号：KR1020150067302A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：KR1020157011793

申请日：2013-10-09

申请人： 엠씨10, 인크

发明人： 래퍼티,코너 ,  달랄,미툴

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/498 ,  H01L23/00 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/4985 ,  H01L21/56 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/82 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/03436 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/15153 ,  H05K1/0283 ,  H05K1/185 ,  H05K1/189 ,  H05K2203/1469 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 박형칩들을내장하기위한시스템및 방법이제공된다. 웰영역이유연성폴리머상에배치되는전도성재료를포함하는기판에형성된다. 스탠드오프웰 영역이전도성재료를패터닝함으로써형성될수 있고, 박형칩은스탠드오프웰 영역에내장된다. 폴리머웰 영역을형성하기위해공동이폴리머층에형성될수 있고, 박형칩은폴리머웰 영역에내장된다. 일예에서, 적어도 2개의웰 영역들이유연성폴리머상에배치되는전도성재료를포함하는기판에형성될수 있다. 적어도 2개의웰 영역들중 적어도하나는스탠드오프웰 영역일수 있다.

摘要翻译： 提供了用于嵌入薄芯片的系统和方法。 在包括设置在柔性聚合物上的导电材料的基板中产生阱区。 间隔阱区域可以通过导电材料的图案来生成，其中薄的芯片嵌入在隔离阱区域中。 可以在聚合物层中产生空腔以形成聚合物阱区域，其中薄的芯片嵌入在聚合物阱区域中。

公开(公告)号：KR101460141B1

公开(公告)日：2014-12-02

申请号：KR1020097020378

申请日：2008-02-26

申请人： 인벤사스 코포레이션

发明人： 하바벨가셈 ,  호너케네스알렌 ,  터커맨데이비드비. ,  오가네시안베이그

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H04N5/2257 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 반도체요소(100)의전면(102) 및배면(114)이제1 두께를갖는얇은영역(105) 및제1 두께의대략 2배이상의두께를갖는두꺼운영역을형성하는미소전자유닛이제공된다. 반도체소자(112)가전면에제공될수 있으며, 전면에있는복수의제1 도전성컨택트(116)가반도체소자에접속된다. 복수의도전성비아(125)가배면으로부터반도체요소의얇은영역(105)을통하여제1 도전성컨택트(116)까지연장할수 있다. 복수의제2 도전성컨택트(134)가반도체요소(100)의외부에배치될수 있다. 복수의도전성트레이스(126)가제2 도전성컨택트(134)를도전성비아(125)에접속시킬수 있다.

摘要翻译： 提供了一种微电子单元，其中半导体元件（100）的前部（102）和后部（114）表面可以限定一个薄区域（105），该薄区域具有第一厚度和较厚的区域，其厚度至少为第一厚度的两倍 厚度。 可以在前表面处存在半导体器件（112），在连接到器件的前表面处具有多个第一导电触点（116）。 多个导电通孔（125）可以从后表面延伸穿过半导体元件的薄区（105）到第一导电触点（116）。 多个第二导电触点（134）可以在半导体元件（100）的外部暴露。 多个导电迹线（126）可以将第二导电触点（134）连接到导电通孔（125）。

公开(公告)号：KR1020140024674A

公开(公告)日：2014-03-03

申请号：KR1020120090952

申请日：2012-08-20

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 이규하 ,  강필규 ,  김태영 ,  이호진 ,  박병률 ,  최길현

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L23/5384 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/485 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/00 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05176 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06182 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01074

摘要： Disclosed is a semiconductor device which includes an inner circuit formed on the front surface of a substrate, a TSV which vertically penetrates the substrate and is electrically connected to the inner circuit, a redistribution structure which is formed on the back surface of the substrate and is electrically connected to the TSV, and a backside insulating layer which is formed between the back surface of the substrate and the redistribution structure. The redistribution structure includes a redistribution barrier layer and a redistribution metal layer. The redistribution barrier layer surrounds the lower surface of the redistribution metal layer and partly surrounds the lateral surfaces.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件，其包括形成在基板的前表面上的内部电路，垂直穿透基板并与内部电路电连接的TSV，形成在基板的背面上的再分布结构， 电连接到TSV，以及形成在基板的背面和再分布结构之间的背面绝缘层。 再分布结构包括再分布阻挡层和再分布金属层。 再分布阻挡层围绕再分布金属层的下表面并且部分地围绕侧表面。

公开(公告)号：KR101221215B1

公开(公告)日：2013-01-11

申请号：KR1020117021007

申请日：2010-02-10

申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.

发明人： 리,진 ,  지앙,통비

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/16 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05118 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05178 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013

摘要： 반도체 컴포넌트들(90)을 제조하기 위한 방법은, 회로면(54), 후면(56), 및 도전성 비아들(58)을 갖는 반도체 기판(52)을 제공하는 단계; 도전성 비아(58)들의 단자 부분들(76)을 노출하기 위해 후면(56)으로부터 기판(52)의 부분들을 제거하는 단계; 후면(56)에 단자 부분들(76)을 둘러싸는 중합체층(78)을 퇴적하는 단계; 및 중합체층(78)에 임베드된 자가 정렬된 도전체들을 형성하기 위해 중합체층(78) 및 단자 부분들(76)의 단부들을 평탄화하는 단계를 포함한다. 단자 콘택들(86) 및 후면 재분배 도전체들(88)과 같은 추가적인 후면 요소들이 도전성 비아들(58)과 전기적으로 접촉하여 또한 형성될 수 있다. 반도체 컴포넌트(90)는 반도체 기판(52), 도전성 비아들(58), 및 중합체층(78)에 임베드된 후면 도전체들을 포함한다. 적층된 반도체 컴포넌트(96)는 서로 전기적으로 통신하는 정렬된 도전성 비아들(58)을 갖는 복수의 컴포넌트들(90-1, 90-2, 90-3)을 포함한다.