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    할로겐화설포닐알킬기를 가지는 실리콘 함유 레지스트 하층막 형성 조성물
    6.
    发明公开
    할로겐화설포닐알킬기를 가지는 실리콘 함유 레지스트 하층막 형성 조성물 审中-实审
    一种具有卤代磺酰基烷基的含硅抗蚀剂下层成膜组合物

    公开(公告)号：KR1020170033265A

    公开(公告)日：2017-03-24

    申请号：KR1020167032245

    申请日：2015-07-09

    申请人： 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤

    发明人： 시바야마,와타루 ,  타카세,켄지 ,  나카지마,마코토 ,  타케다,사토시 ,  와카야마,히로유키 ,  사카모토,리키마루

    IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/075 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

    CPC分类号： G03F7/11 ,  C08G77/24 ,  C08G77/28 ,  C09D183/08 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/327 ,  G03F7/38 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086

    摘要： [과제] 상층레지스트막을노광하여알칼리현상액이나유기용제로현상했을때에우수한레지스트패턴형상을형성할수 있는레지스트하층막과그의형성조성물을제공한다. [해결수단] 실란으로서가수분해성실란, 그의가수분해물, 그의가수분해축합물, 또는이들의조합을포함하고, 이가수분해성실란이식(1):〔식(1) 중, R은식(2):(식(2) 중, R는치환되어있을수도있는탄소원자수 1 내지 10의알킬렌기를나타내고, R는설포닐기, 또는설폰아미드기를나타내고, R은할로겐함유유기기를나타낸다.〕로표시되는가수분해성실란을포함하는리소그래피용레지스트하층막형성조성물. 상기식(2) 중의 R이불소함유유기기이다. 상기식(2) 중의 R이트리플루오로메틸기이다. 레지스트하층막형성조성물을반도체기판상에도포하고소성함으로써얻어지는레지스트하층막. 가수분해촉매로서산을추가로포함한다. 물을추가로포함한다.

    摘要翻译： 本发明提供一种抗蚀剂下层膜及其形成用组合物，所述抗蚀剂下层膜在曝光于上层抗蚀剂膜时能够形成优异的抗蚀剂图案形状，并用碱显影液或有机溶剂显影。 2.根据权利要求1所述的硅烷偶联剂，其中，作为所述硅烷的所述可水解硅烷，其水解产物，其水解缩合物或其组合， （式（2）中，R表示可被取代的碳原子数1〜10的亚烷基，R表示磺酰基或磺酰胺基，R表示含卤素的有机基团。 （2）中，R为三氟甲基，将该抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在半导体基板上 将抗蚀剂下层膜煅烧而得到的抗蚀剂底涂膜进一步由作为水解催化剂的氢氟酸构成。

    레지스트 박리액 및 레지스트 박리 방법
    7.
    发明公开
    레지스트 박리액 및 레지스트 박리 방법 审中-实审
    抗剥落解决方案和剥离阻力的方法

    公开(公告)号：KR1020130069399A

    公开(公告)日：2013-06-26

    申请号：KR1020120137292

    申请日：2012-11-29

    申请人： 후지필름 가부시키가이샤 ,  후지필름 일렉트로닉 마테리얼스(유럽) 엔브이

    发明人： 말페이트매튜 ,  토메바히사미츠 ,  반클로스터스테판 ,  잔센디미트리

    IPC分类号： G03F7/42 ,  G03F7/34 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F7/425 ,  G03F7/012 ,  G03F7/322 ,  G03F7/327 ,  G03F7/343 ,  H01L21/0273

    摘要： PURPOSE: A resist stripping liquid is provided to easily strip a negative type photo resist by including hydrocarbon-based solvent including plural types of naphtalenic compound having substituent and benzene sulfonic acid. CONSTITUTION: A resist stripping liquid comprises (a) 70-95 mass% of hydrocarbon-based solvent and (b) 5-30 mass% of benzene sulfonic acid. The hydrocarbon-based solvent includes 3 kinds or more of alkyl group substituted naphthalene, and the total content of those are 50 mass% or more. The benzene sulfonic acid is substituted to alkyl group and the total carbon number is 8 or more. The resist stripping liquid additionally comprises (c) carbon number 6 or more of 1-10 mass% of fatty acid ester. A negative type photo resist strip using the resist stripping liquid is perform in solution temperature at less than 60 degree Celsius. The negative type photo resist comprises polyisoprene compound.

    摘要翻译： 目的：提供抗蚀剂剥离液，通过包括含有多种具有取代基的萘类化合物和苯磺酸的烃系溶剂容易地剥离负型光刻胶。 构成：抗蚀剂剥离液包含（a）70-95质量％的烃系溶剂和（b）5-30质量％的苯磺酸。 烃类溶剂包括3种以上的烷基取代萘，其总含量为50质量％以上。 苯磺酸被取代为烷基，总碳数为8以上。 抗蚀剂剥离液另外含有（c）碳原子数6以上1-10质量％的脂肪酸​​酯。 使用抗蚀剂剥离液的负型光刻胶条在低于60摄氏度的溶液温度下进行。 负型光致抗蚀剂包含聚异戊二烯化合物。

    레지스트 기판용 처리액과 이를 사용한 레지스트 기판의 처리방법
    8.
    发明公开
    레지스트 기판용 처리액과 이를 사용한 레지스트 기판의 처리방법 有权
    用于耐蚀基板的处理液和使用其的加工耐蚀基板的方法

    公开(公告)号：KR1020080103565A

    公开(公告)日：2008-11-27

    申请号：KR1020087022539

    申请日：2007-02-13

    申请人： 메르크 퍼포먼스 마테리알즈 고도가이샤

    发明人： 노야고 ,  고바야시마사카즈 ,  시마자키류타

    IPC分类号： G03F7/32 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F7/425 ,  G03F7/327 ,  G03F7/70925

    摘要： It is intended to provide a processing liquid for resist substrates, which makes it possible to simultaneously and readily solve the problems of foreign matters sticking to pattern surface, pattern inversion and pattern roughness, and a pattern formation method using the same. This processing liquid for resist substrates contains a primary amine or an ammonia alkylene oxide adduct having a hydrocarbon group carrying from 11 to 30 carbon atoms together with water. The pattern formation method as described above comprises processing a developed pattern with the use of the processing liquid for resist substrates.

    摘要翻译： 旨在提供一种用于抗蚀剂基板的处理液体，这使得可以同时且容易地解决粘附在图案表面上的异物，图案反转和图案粗糙度的问题，以及使用该处理液的图案形成方法。 该抗蚀剂基板用处理液含有与水一起具有11〜30个碳原子的烃基的伯胺或氨环氧烷加成物。 如上所述的图案形成方法包括使用用于抗蚀剂基板的处理液来处理显影图案。