중앙 콘택을 구비한 적층형 마이크로전자 조립체
    2.
    发明授权
    중앙 콘택을 구비한 적층형 마이크로전자 조립체 有权
    具有中心触点的堆叠微电子组件

    公开(公告)号:KR101811738B1

    公开(公告)日:2017-12-22

    申请号:KR1020110024339

    申请日:2011-03-18

    IPC分类号: H01L23/00 H01L23/498

    摘要: 마이크로전자조립체는반대방향으로향하는제1 면및 제2 면과상기제1 면및 제2 면사이에서연장된개구를갖는유전체요소; 뒷면, 상기유전체요소와마주향하는앞면, 제1 에지, 상기제1 에지로부터떨어져있는상기앞면에노출된다수의콘택, 및상기제1 면을따라상기콘택으로부터상기제1 에지에인접한제1 면에노출된재분배패드(redistribution pad)까지연장된재분배도체(redistribution conductor)를구비하는제1 마이크로전자요소; 및뒷면, 앞면, 및상기앞면에노출되고상기제1 마이크로전자요소의제1 에지를넘어돌출된다수의콘택을구비하는제2 마이크로전자요소를포함하며, 상기제1 마이크로전자요소의재분배패드와상기제2 마이크로전자요소의콘택은상기유전체요소내의개구와정렬된것을특징으로한다.

    摘要翻译: 微电子组件包括具有相对的第一和第二表面以及在第一和第二表面之间延伸的开口的介电元件; 相反面向电介质元件,第一边缘的背面前侧,暴露于从触头的第一边缘号码的前侧远程,并暴露在从沿着所述第一侧接触所述第一边缘附近的第一表面 第一微电子元件,具有延伸到重分布焊盘的重分布导体; 和后侧,前侧,并且在所述第二重新分配垫包括微电子元件,所述具有第一边缘的第一微电子元件越过突出的暴露于第一微电子元件,其中的前触点的数目 并且第二微电子元件的触点与介电元件中的开口对准。

    대전방지성이 부여된 반도체 패키지용 몰드공정필름
    5.
    发明授权
    대전방지성이 부여된 반도체 패키지용 몰드공정필름 有权
    用于半导体封装的防静电模具加工膜

    公开(公告)号:KR101620581B1

    公开(公告)日:2016-05-12

    申请号:KR1020090073076

    申请日:2009-08-10

    IPC分类号: H01L21/56 H01L23/28

    摘要: 본발명은대전방지성이부여된반도체패키지용몰드공정필름에관한것으로서, 보다상세하게는몰딩공정시리드와단자의노출부분을밀접하게마스킹하여, 몰딩수지로부터리드와단자를보호하고, 몰딩공정후에는리드와단자및 몰딩수지와닿는면에서원활히제거되고, 또한몰딩공정이 175℃에서수분동안진행되는동안에내열성이확보되며, 공정이진행되는동안과공정후 제거될때까지발생하는정전기로부터반도체패키지를보호할수 있는대전방지성이부여된반도체패키지용몰드공정필름에관한것이다. 이를위해본 발명에따른대전방지성이부여된반도체패키지용몰드공정필름은한쪽면을코로나처리한후 도전층을형성한기재필름과, 상기도전층상에도포된점착층으로서, 아크릴계폴리머와자외선경화형아크릴레이트올리고머, 광개시제및 경화제를포함하는조성물로도포되되, 2~30㎛의두께를가지는점착층을포함하는것을특징으로한다.

    홀 센서
    6.
    发明公开
    홀 센서 有权
    霍尔传感器

    公开(公告)号:KR1020150144699A

    公开(公告)日:2015-12-28

    申请号:KR1020150081913

    申请日:2015-06-10

    IPC分类号: H01L43/06 H01L43/04 H01L43/14

    摘要: 아일랜드리스구조의홀 센서에있어서 GaAs홀소자를소형박형화한경우에도, 누설전류의증대를방지할수 있도록한 홀센서를제공한다. GaAs 기판(11) 상에설치된감자부(12)와, 전극(13a 내지 13d)과, GaAs 기판(11)의전극(13a 내지 13d)이설치되어있는면과는반대측의면측에설치된보호층(40)을갖는 GaAs홀소자(10)와, GaAs홀소자(10)의주위에배치된리드단자(22 내지 25)와, 전극(13a 내지 13d)과리드단자(22 내지 25)를각각전기적으로접속하는금속세선(31 내지 34)과, 이들을몰드하는몰드부재(50)를구비한다. 보호층(40) 및리드단자(22 내지 25)의제1 면(즉, 금속세선(31 내지 34)과접속하고있는면과는반대측의면)은, 몰드부재(50)의동일한면으로부터노출되어있다. GaAs 기판(11)의저항률은 5.0×10Ω·㎝이상이다.

    摘要翻译: 提供了一种无孤岛结构的霍尔传感器,即使当GaAs霍尔器件小型化并变薄时,其也可以防止漏电流的增加。 本发明的霍尔传感器包括:具有安装在GaAs衬底(11)上的退磁单元(12),电极(13a至13d)和安装在表面上的保护层(40)的GaAs霍尔器件(10) 与安装有GaAs衬底(11)的电极(13a至13d)的表面相对; 布置在GaAs霍尔器件(10)周围的引线端子(22至25); 分别电连接电极(13a〜13d)和引线端子(22〜25)的金属细线(31〜34) 和用于模制该模具的模具构件(50)。 保护层(40)和引线端子(22〜25)的第一表面(即,连接到金属细线(31至34的表面的相对表面))从模具的相同表面露出 会员(50)。 GaAs衬底(11)的电阻率大于或等于5.0×10 7Ω·cm。

    반도체 패키지 및 제조 방법
    8.
    发明公开
    반도체 패키지 및 제조 방법 审中-实审
    半导体封装及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020150049454A

    公开(公告)日:2015-05-08

    申请号:KR1020130130061

    申请日:2013-10-30

    发明人: 이현우

    IPC分类号: H01L23/34 H01L21/60 H01L23/28

    摘要: 와이어를사용하여기판과반도체다이를전기적으로연결하는구조를갖는반도체패키지에있어서, 상기반도체다이가배치되는부분에개구를갖도록상기기판을형성한후, 상기기판의이면에테이프를부착시키고, 그리고상기기판에형성되는상기개구에의해노출되는상기테이프상에상기반도체다이를부착시킨후, 상기와이어를사용하여상기기판과상기반도체다이를전기적으로연결시키고, 이어서상기기판의이면과반대되는상기반도체다이가배치되는상기기판의일면을몰딩시킨후, 상기기판의이면으로부터상기테이프를탈착시키는공정을수행하고, 이를통하여상기반도체다이의이면이노출되는구조를갖도록형성되는반도체패키지를수득할수 있다.

    摘要翻译: 半导体封装具有通过使用电线电连接衬底和半导体管芯的结构。 在其中半导体管芯被布置成具有开口的部分上形成衬底。 胶带附着在基板的背面,并且半导体芯片附着到暴露于形成在基板上的开口的胶带上。 基板和半导体管芯通过使用导线电连接。 模制配置有半导体管芯的基板的一侧。 此时,基板的一侧是基板的背面的相对侧。 然后将胶带与基材的背面分开。 因此,可以获得具有半导体管芯的背面露出的结构的半导体封装。