公开(公告)号：KR101440864B1

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：KR1020097024236

申请日：2008-04-16

申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

发明人： 유안,지에 ,  선,제니퍼와이. ,  두안,렌구안

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/3065

CPC分类号： C03C3/06 ,  C03B32/00 ,  C03B2201/24 ,  C03B2201/34 ,  C03B2201/36 ,  C03C2201/3411 ,  C03C2201/36 ,  C03C2203/54 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68757 ,  Y02P40/57 ,  Y10S156/915

摘要： 본 발명은 도핑 석영 부품을 제조하기 위한 방법이 제공된다. 일 실시예에서, 도핑 석영 부품은 기판을 지지하도록 구성된 이트륨 도핑 석영 링이다. 또 다른 실시예에서, 도핑 석영 부품은 이트륨 및 알루미늄 도핑 커버 링이다. 또 다른 실시예에서, 도핑 석영 부품은 이트륨, 알루미늄 및 질소 함유 커버 링이다.

公开(公告)号：KR100849868B1

公开(公告)日：2008-08-01

申请号：KR1020020017780

申请日：2002-04-01

申请人： 램 리써치 코포레이션

发明人： 안톨리크제렐케이

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/68721 ,  H01L21/68728 ,  Y10S156/915

摘要： 일상적인 유지 또는 보수 유지 동안 압력링의 교체가 상당히 용이해지도록 그 내부에 보어가 설치되어 있는, 플라즈마 처리 챔버 내에서 플라즈마를 한정하는 데 사용되는 웨이퍼 영역 압력링이 제공된다. 보어에 의해, 챔버 천장에 연결된 행잉 어댑터 하부에 보어들을 정렬시키고, 행잉 어댑터가 링에 들어가게 한 후 장치 전체를 조금 돌리거나 비틀고, 그후 행잉 장치 상에서 링 장치를 하강시켜 링을 정해진 위치에 고정시킴으로써, 압력링을 간단하게 장착시킬 수 있다.
플라즈마 처리 장치, 한정링, 반도체 장치

公开(公告)号：KR1020070089838A

公开(公告)日：2007-09-03

申请号：KR1020077015129

申请日：2005-12-29

申请人： 램 리써치 코포레이션

发明人： 쿠티안드라스 ,  김지수 ,  렌즈에릭 ,  딘드사라진다르 ,  리루민 ,  사드자디레자

IPC分类号： H01J37/32 ,  H05H1/24

CPC分类号： H01J37/32623 ,  Y10S156/915

摘要： A vacuum plasma processor includes a chamber having a grounded wall and an outlet port. Plasma is excited at a first RF frequency in a chamber region spaced from the wall and outlet port. A structure confines the plasma to the region while enabling gas to flow from the region to the outlet port. RF electric power at a second frequency connected to the confining structure causes the confining structure to be at a potential different from ground to increase the size of a sheath between the plasma and confining structure and increase the confining structure effectiveness. The region includes an electrode connected to ground by a circuit that is series resonant to the first frequency and includes capacitance of the sheath.

摘要翻译： 真空等离子体处理器包括具有接地壁和出口的室。 等离子体在与壁和出口间隔开的室区域中以第一RF频率激发。 结构将等离子体限制在该区域上，同时使气体能够从该区域流出到出口。 连接到限制结构的第二频率的RF电力使得限制结构处于不同于地面的电位，以增加等离子体和限制结构之间的护套尺寸，并增加限制结构的有效性。 该区域包括通过与第一频率串联谐振并包括护套的电容的电路连接到地的电极。

公开(公告)号：KR100512745B1

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：KR1020030050909

申请日：2003-07-24

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 조재용 ,  안병선 ,  김진만 ,  김경선

IPC分类号： H01L21/68

CPC分类号： H01L21/6833 ,  Y10S156/915

摘要： 본 발명은, 판상의 피처리체를 정전기력으로 척킹하는 정전기 척에 관한 것이다. 본 발명에 따른 정전기 척은, 판상의 피처리체를 정전기력으로 척킹하는 정전기 척에 있어서, 상기 피처리체를 지지하는 척본체와; 상기 척본체에 지지되어 상기 피처리체 주위를 둘러싸는 가이드 링과; 상기 가이드 링과 상기 척본체 사이에 개재되는 유전재료층과; 상기 가이드 링에 매개가스를 공급하는 매개가스공급장치와; 상기 척본체에 전원을 공급해 주는 전원공급부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 의하여, 피처리체와 가이드 링의 온도차를 줄일 수 있게 되어, 특히 반도체 처리공정에 있어 피체리체의 에지(edge)부분까지 균일처리가 가능해진다. 결과적으로, 피처리체의 균일처리에 의해 피처리체의 수율을 높일 수 있게 되고, 나아가 수율의 증가에 따라 불량품을 줄여 제조비용을 절감할 수 있게 해준다.

公开(公告)号：KR1020010029141A

公开(公告)日：2001-04-06

申请号：KR1019990041795

申请日：1999-09-29

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 한오연 ,  김국광 ,  양윤식 ,  최병욱

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/67069 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4585 ,  H01J37/32642 ,  Y10S156/915

摘要： PURPOSE: An apparatus for manufacturing a semiconductor wafer having a focus ring is provided to greatly reduce the quantity of particle contaminants existing on the semiconductor wafer, by forming a collecting unit located between an upper surface and a lower surface of the focus ring to collect the particle contaminants. CONSTITUTION: A semiconductor wafer(210) is held on a surface of a circular chuck located in a process chamber during a manufacturing process. A focus ring(208) focuses process gases on the semiconductor wafer, surrounding the circular chuck. The focus ring has an inner surface of a stepped shape. The inner surface includes an upper cylindrical surface, a lower cylindrical surface and a collecting unit. The lower cylindrical surface has the first diameter, surrounding the semiconductor wafer. The upper cylindrical surface has the second diameter larger than the first diameter. The collecting unit collects contaminants on the upper surface, located between the upper surface and the lower surface.

摘要翻译： 目的：提供一种用于制造具有聚焦环的半导体晶片的装置，通过形成位于聚焦环的上表面和下表面之间的收集单元来大大减少存在于半导体晶片上的颗粒污染物的数量，以收集 颗粒污染物。 构成：在制造过程中，半导体晶片（210）被保持在位于处理室中的圆形卡盘的表面上。 对焦环（208）将处理气体聚焦在半导体晶片上，围绕圆形卡盘。 聚焦环具有阶梯形状的内表面。 内表面包括上圆柱形表面，下圆柱表面和收集单元。 下圆柱表面具有围绕半导体晶片的第一直径。 上圆柱形表面具有大于第一直径的第二直径。 收集单元收集位于上表面和下表面之间的上表面上的污染物。

公开(公告)号：KR1020000048586A

公开(公告)日：2000-07-25

申请号：KR1019997002517

申请日：1997-09-30

申请人： 램 리서치 코포레이션

发明人： 케네디윌리엄에스. ,  윅커토마스이. ,  마라쉰로버트에이. ,  쿡조엘엠. ,  쇼엡앨런엠.

IPC分类号： C23C16/44

CPC分类号： C23C16/45521 ,  C23C16/458 ,  H01J37/321 ,  H01J2237/022 ,  Y10S156/915

摘要： PURPOSE: An apparatus for reducing polymer deposition on substrate support is provided to avoid polymer deposition on exposed surfaces of a substrate holder by introduction of clearance gas into a gap in the substrate holder. CONSTITUTION: In a plasma processing system for processing substrates such as semiconductor wafers, deposition of polymer in an area(30) between a focus ring(16)and an electrostatic chuck(14) in a plasma processing chamber(10) is achieved by providing a clearance gas in a gap between the chuck and the focussing. A series of channels delivers the clearance gas to the annular gap between the outer surface of the substrate support and the inner surface of the focus ring surrounding the substrate support. The clearance gas supplied to the annular gap is preferably a gas such as helium which will not affect the wafer processing operation. In the case of plasma etching, the clearance gas is supplied at a flow rate which is sufficient to block the migration of process gas and volatile by products thereof into the annular gap without adversely affecting edge etch performance.

摘要翻译： 目的：提供一种用于降低基板载体上的聚合物沉积的装置，以通过将间隙气体引入基板保持器的间隙来避免聚合物沉积在基板保持器的暴露表面上。 构成：在用于处理诸如半导体晶片的衬底的等离子体处理系统中，通过提供等离子体处理室（10）中的聚焦环（16）和静电吸盘（14）之间的区域（30）中的聚合物沉积来实现 在卡盘和聚焦之间的间隙中的间隙气体。 一系列通道将间隙气体传送到衬底支撑件的外表面和围绕衬底支撑件的聚焦环的内表面之间的环形间隙。 提供给环形间隙的间隙气体优选为不影响晶片加工操作的诸如氦气等气体。 在等离子体蚀刻的情况下，间隙气体以足以阻止工艺气体的迁移并由其产物挥发到环形间隙中的流量提供，而不会不利地影响边缘蚀刻性能。

公开(公告)号：KR101299653B1

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：KR1020077017060

申请日：2006-01-24

申请人： 램 리써치 코포레이션

发明人： 시리글리아노피터

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23F1/00

CPC分类号： C23F4/00 ,  H01J37/32623 ,  H01L21/67069 ,  Y10S156/915

摘要： 반도체 처리 챔버용 한정 어셈블리가 제공된다. 한정 어셈블리는 서로의 위에 배치되는 복수의 한정 링을 포함한다. 복수의 한정 링 각각은 스페이스에 의해 분리되고 복수의 한정 링 각각은 내부에 규정되는 복수의 홀을 갖는다. 대응하는 한정 링의 정렬된 홀을 통하여 연장하는 플런저가 제공된다. 플런저는 한정 링에 실질적으로 직교하는 평면으로 이동할 수 있다. 비례 조정 지지대는 플런저에 부착된다. 비례 조정 지지대는 플런저가 평면으로 이동할 때, 복수의 한정 링 각각을 분리하는 스페이스가 비례적으로 조정되도록 한정 링을 지지하도록 구성되고, 일 실시형태에서 비례 조정 지지대는 벨로우즈 슬리브이다. 반도체 처리 챔버 및 복수의 한정 링을 갖는 에칭 챔버에서의 플라즈마 한정 방법이 제공된다.
비례 조정 지지대, 한정 링, 플런저, 벨로우즈 슬리브

公开(公告)号：KR1020120107514A

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：KR1020127021262

申请日：2011-01-20

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 스즈키아유타 ,  강송윤 ,  모리야츠요시 ,  데라사와노부토시 ,  오카베요시아키

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： C23C16/4404 ,  B29C59/14 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68757 ,  Y10S156/915

摘要： 처리 용기 내에 기판을 반입해서 탑재대에 탑재하는 공정과, 적어도 표면부의 주성분이 기판의 피에칭막의 주성분과 동일한 재질인 링 부재를 기판을 둘러싸도록 배치한 상태에서, 기판에 대향하는 가스 공급부로부터 처리 가스를 샤워 형상으로 토출함과 아울러, 처리 가스를 플라즈마화해서 피에칭막을 에칭하는 공정과, 상기 처리 용기 내를 배기로를 거쳐서 진공 배기하는 공정을 포함하도록, 에칭을 실행한다. 이것에 의해, 기판의 둘레 가장자리 부근에서의 플라즈마의 활성종 분포의 불균일함을 억제한다.

公开(公告)号：KR1020070114392A

公开(公告)日：2007-12-03

申请号：KR1020077023836

申请日：2006-03-15

申请人： 램 리써치 코포레이션

发明人： 딘드사라진더 ,  코자케비치펠릭스 ,  로저스제임스에이치 ,  트러셀데이비드

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： H01J37/32623 ,  H01J37/32477 ,  Y10S156/914 ,  Y10S156/915

摘要： Plasma confinement ring assemblies are provided that include confinement rings adapted to reach sufficiently high temperatures on plasma-exposed surfaces of the rings to avoid polymer deposition on those surfaces. The plasma confinement rings include thermal chokes adapted to localize heating at selected portions of the rings that include the plasma exposed surfaces. The thermal chokes reduce heat conduction from those portions to other portions of the rings, which causes selected portions of the rings to reach desired temperatures during plasma processing.

摘要翻译： 提供等离子体限制环组件，其包括适于在等离子体暴露的表面上达到足够高的温度的限制环，以避免聚合物沉积在这些表面上。 等离子体约束环包括适于在包括等离子体暴露表面的环的选定部分处定位加热的热扼流圈。 热扼流圈减少从这些部分到环的其他部分的热传导，这导致环的选定部分在等离子体处理期间达到期望的温度。

公开(公告)号：KR1020060052443A

公开(公告)日：2006-05-19

申请号：KR1020050104893

申请日：2005-11-03

申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

发明人： 밀러,케이스에이. ,  라비트스카이,일야

IPC分类号： H01L21/68

CPC分类号： H01L21/68735 ,  C23C14/50 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/68721 ,  Y10S156/915

摘要： 기판 링 조립체는 주변 에지를 갖는 기판 지지부를 위해 제공된다. 상기 조립체는 상기 기판 지지부의 상기 주변 에지의 일부분 이상을 덮으며 에워싸는 내측 원주변을 갖는 환형 밴드를 갖는다. 상기 조립체는 상기 환형 밴드를 상기 기판 지지부의 상기 주변 에지에 고정시키는 클램프도 갖는다.