公开(公告)号：TW201711106A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：TW105107655

申请日：2016-03-11

申请人： 東芝股份有限公司 ,  KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

发明人： 上原準市 ,  UEHARA, JUNICHI

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/046 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3065

摘要： 本發明之實施形態提供一種能夠實現高耐壓之半導體裝置之製造方法。 實施形態之半導體裝置之製造方法係於第1SiC層上藉由磊晶生長形成第1導電型之第2SiC層；於第2SiC層中選擇性地離子注入第2導電型之第1雜質，而形成第2導電型之第1區域；去除第1區域之一部分；於第2SiC層上藉由磊晶生長形成第1導電型之第3SiC層；於第3SiC層中選擇性地離子注入第2導電型之第2雜質，而於第1區域上形成第2導電型之第2區域。

简体摘要： 本发明之实施形态提供一种能够实现高耐压之半导体设备之制造方法。 实施形态之半导体设备之制造方法系于第1SiC层上借由磊晶生长形成第1导电型之第2SiC层；于第2SiC层中选择性地离子注入第2导电型之第1杂质，而形成第2导电型之第1区域；去除第1区域之一部分；于第2SiC层上借由磊晶生长形成第1导电型之第3SiC层；于第3SiC层中选择性地离子注入第2导电型之第2杂质，而于第1区域上形成第2导电型之第2区域。

公开(公告)号：TW201640680A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：TW104115419

申请日：2015-05-14

申请人： 帥群微電子股份有限公司 ,  SUPER GROUP SEMICONDUCTOR CO., LTD.

发明人： 許修文 ,  HSU, HSIUWEN ,  葉俊瑩 ,  YEH, CHUNYING ,  李元銘 ,  LEE, YUANMING

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66734

摘要： 一種超接面元件包含一半導體基底、一第一磊晶層、一溝槽、一第二磊晶層、一氧化層以及一閘極層。第一磊晶層設置於半導體基底之上。溝槽由圖案化第一磊晶層形成。第二磊晶層位於溝槽之第一側壁區域、第二側壁區域以及底部區域。氧化層位於第二磊晶層上。閘極層位與溝槽內並由氧化層包覆。

简体摘要： 一种超接面组件包含一半导体基底、一第一磊晶层、一沟槽、一第二磊晶层、一氧化层以及一闸极层。第一磊晶层设置于半导体基底之上。沟槽由图案化第一磊晶层形成。第二磊晶层位于沟槽之第一侧壁区域、第二侧壁区域以及底部区域。氧化层位于第二磊晶层上。闸极层位与沟槽内并由氧化层包覆。

公开(公告)号：TWI546935B

公开(公告)日：2016-08-21

申请号：TW100122318

申请日：2011-06-24

申请人： 菲爾卻德半導體公司 ,  FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

发明人： 金孫力昂 ,  KIM, SUNGLYONG ,  金鐘吉 ,  KIM, JONGJIB

IPC分类号： H01L27/085 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L29/7393 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/7816

公开(公告)号：TW201630187A

公开(公告)日：2016-08-16

申请号：TW104133139

申请日：2015-10-08

申请人： POWDEC股份有限公司 ,  POWDEC K. K.

发明人： 松本壯太 ,  MATSUMOTO, SOUTA ,  越後谷祥子 ,  ECHIGOYA, SHOKO ,  八木修一 ,  YAGI, SHUICHI ,  中村文彥 ,  NAKAMURA, FUMIHIKO ,  河合弘治 ,  KAWAI, HIROJI

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/36 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L29/0684 ,  H01L23/49844 ,  H01L27/0814 ,  H01L27/098 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1058 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

摘要： 提供即使不在極化超接面區域的最表面設置p型GaN層仍能夠存在足夠濃度的二維電洞氣之半導體元件。 半導體元件係具有由依序積層之厚度a[nm](a為10nm以上、1000nm以下)的未摻雜GaN層11、AlxGa1-xN層12及未摻雜GaN層13構成的極化超接面區域。AlxGa1-xN層12的Al組成x及厚度t[nm]係滿足下式：t≧α(a)xβ(a)其中，α係以Log(α)=p0+p1log(a)+p2{log(a)}2表示(其中p0=7.3295、p1=-3.5599、p2=0.6912)，且β係以β=p'0+p'1log(a)+p'2{log(a)}2表示(其中，p'0=-3.6509、p'1=1.9445、p'2=-0.3793)。

简体摘要： 提供即使不在极化超接面区域的最表面设置p型GaN层仍能够存在足够浓度的二维电洞气之半导体组件。 半导体组件系具有由依序积层之厚度a[nm](a为10nm以上、1000nm以下)的未掺杂GaN层11、AlxGa1-xN层12及未掺杂GaN层13构成的极化超接面区域。AlxGa1-xN层12的Al组成x及厚度t[nm]系满足下式：t≧α(a)xβ(a)其中，α系以Log(α)=p0+p1log(a)+p2{log(a)}2表示(其中p0=7.3295、p1=-3.5599、p2=0.6912)，且β系以β=p'0+p'1log(a)+p'2{log(a)}2表示(其中，p'0=-3.6509、p'1=1.9445、p'2=-0.3793)。

公开(公告)号：TWI545781B

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：TW102118029

申请日：2013-05-22

申请人： 英飛凌科技股份有限公司 ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

发明人： 阿雷爾斯 迪爾克 ,  AHLERS, DIRK ,  尊德爾 馬爾庫斯 ,  ZUNDEL, MARKUS ,  波納爾特 戴特里希 ,  BONART, DIETRICH ,  波路奇 陸德格爾 ,  BORUCKI, LUDGER

IPC分类号： H01L29/861 ,  H02J7/02

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L23/051 ,  H01L23/24 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/0002 ,  H02J7/14 ,  H02J7/242 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI542020B

公开(公告)日：2016-07-11

申请号：TW102107823

申请日：2006-06-09

申请人： 快捷半導體公司 ,  FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

发明人： 耶馬茲 漢薩 ,  YILMAZ, HAMZA ,  卡拉福特 丹尼爾 ,  CALAFUT, DANIEL ,  塞帕 史蒂芬P ,  SAPP, STEVEN P. ,  克拉特 納森 ,  KRAFT, NATHAN ,  查拉 亞索克 ,  CHALLA, ASHOK

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7827 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI539598B

公开(公告)日：2016-06-21

申请号：TW101135515

申请日：2012-09-27

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 管靈鵬 ,  GUAN, LINGPENG ,  馬督兒 博德 ,  BOBDE, MADHUR ,  安荷 叭剌 ,  BHALLA, ANUP ,  李亦衡 ,  LEE, YEEHANG ,  陳 軍 ,  CHEN, JOHN ,  何佩天 ,  HO, MOSES

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66712

公开(公告)号：TWI538201B

公开(公告)日：2016-06-11

申请号：TW103122436

申请日：2014-06-30

申请人： 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

发明人： 博德 馬督兒 ,  BOBDE, MADHUR ,  依瑪茲 哈姆紥 ,  YILMAZ, HAMZA ,  高 立德 ,  CALAFUT, DANIEL ,  帕德馬納班 卡西克 ,  PADMANABHAN, KARTHIK

IPC分类号： H01L29/772

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28035 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7832 ,  H01L29/8083

公开(公告)号：TWI538162B

公开(公告)日：2016-06-11

申请号：TW101138652

申请日：2012-10-19

申请人： 富士電機股份有限公司 ,  FUJI ELECTRIC CO., LTD.

发明人： 田村隆博 ,  TAMURA, TAKAHIRO ,  大西泰彦 ,  ONISHI, YASUHIKO ,  北村睦美 ,  KITAMURA, MUTSUMI

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L29/0878 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7811

公开(公告)号：TWI523196B

公开(公告)日：2016-02-21

申请号：TW101106210

申请日：2012-02-24

申请人： 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

发明人： 李明宗 ,  LEE, MING TSUNG ,  楊承樺 ,  YANG, CHENG HUA ,  李文芳 ,  LEE, WEN FANG ,  王智充 ,  WANG, CHIH CHUNG ,  許智維 ,  HSU, CHIH WEI ,  莊柏青 ,  CHUANG, PO CHING

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L29/7816 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/42368