公开(公告)号：TW201739050A

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：TW105123752

申请日：2016-07-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7856 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 半導體元件包含基板、至少一主動區、至少一閘極結構，及絕緣結構。主動區位於至少部分基板內。閘極結構位於主動區上。閘極結構具有至少一端側壁及頂表面，端側壁與頂表面交會以形成頂部內角。頂部內角為銳角。絕緣結構位於基板上並相鄰於閘極結構之端側壁。

Abstract in simplified Chinese: 半导体组件包含基板、至少一主动区、至少一闸极结构，及绝缘结构。主动区位于至少部分基板内。闸极结构位于主动区上。闸极结构具有至少一端侧壁及顶表面，端侧壁与顶表面交会以形成顶部内角。顶部内角为锐角。绝缘结构位于基板上并相邻于闸极结构之端侧壁。

公开(公告)号：TW201735153A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105139539

申请日：2016-11-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN

IPC: H01L21/306 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 半導體裝置包括至少一半導體鰭、一閘極電極、至少一閘極間隔物，及一閘極介電質。半導體鰭包括至少一凹槽部分及至少一通道部分。閘極電極存在於半導體鰭之至少通道部分上。閘極間隔物存在於閘極電極之至少一側壁上。閘極介電質至少存在於半導體鰭之通道部分與閘極電極之間。閘極介電質至少延伸遠於半導體鰭之通道部分之至少一端部表面。

Abstract in simplified Chinese: 半导体设备包括至少一半导体鳍、一闸极电极、至少一闸极间隔物，及一闸极介电质。半导体鳍包括至少一凹槽部分及至少一信道部分。闸极电极存在于半导体鳍之至少信道部分上。闸极间隔物存在于闸极电极之至少一侧壁上。闸极介电质至少存在于半导体鳍之信道部分与闸极电极之间。闸极介电质至少延伸远于半导体鳍之信道部分之至少一端部表面。

公开(公告)号：TW201733016A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105139116

申请日：2016-11-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/088 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656

Abstract: 一種半導體裝置包括基板、核心裝置及輸入/輸出(I/O)裝置。核心裝置設置在基板上。核心裝置包括第一閘電極，第一閘電極具有底表面及至少一側壁。第一閘電極之底表面及第一閘電極之側壁相交以形成第一內角。輸入/輸出裝置設置在基板上。輸入/輸出裝置包括第二閘電極，第二閘電極具有底表面及至少一側壁。第二閘電極之底表面及第二閘電極之側壁相交以形成大於第一閘電極之第一內角的第二內角。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包括基板、内核设备及输入/输出(I/O)设备。内核设备设置在基板上。内核设备包括第一闸电极，第一闸电极具有底表面及至少一侧壁。第一闸电极之底表面及第一闸电极之侧壁相交以形成第一内角。输入/输出设备设置在基板上。输入/输出设备包括第二闸电极，第二闸电极具有底表面及至少一侧壁。第二闸电极之底表面及第二闸电极之侧壁相交以形成大于第一闸电极之第一内角的第二内角。

公开(公告)号：TW201729385A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：TW105142725

申请日：2016-12-22

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE-CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH-HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG-HUEI

IPC: H01L23/522

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53295 ,  H01L29/0649 ,  H01L2221/1031

Abstract: 一種內連線，包括第一導電層、介電層、第二導電層以及絕緣層。第一導電層配置在半導體基板上。介電層配置在第一導電層上。第二導電層穿透介電層，以與第一導電層電性連接。絕緣層位於介電層的一部分與第二導電層之間，且絕緣層的材料以及介電層的材料不同。多個氣隙位於介電層的另一部分與第二導電層之間。

Abstract in simplified Chinese: 一种内连接，包括第一导电层、介电层、第二导电层以及绝缘层。第一导电层配置在半导体基板上。介电层配置在第一导电层上。第二导电层穿透介电层，以与第一导电层电性连接。绝缘层位于介电层的一部分与第二导电层之间，且绝缘层的材料以及介电层的材料不同。多个气隙位于介电层的另一部分与第二导电层之间。

公开(公告)号：TW201729290A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：TW105134689

申请日：2016-10-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE-CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH-HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG-HUEI

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84 ,  H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7831

Abstract: 本發明實施例提供一種用於製造鰭式場效電晶體的方法，包括以下步驟。圖案化基底以形成溝渠，並且在溝渠之間形成半導體鰭片。在溝渠中形成絕緣體，並且形成介電層以覆蓋半導體鰭片和絕緣體。在介電層上形成虛擬閘極帶。間隙壁形成在虛擬閘極帶的側壁上。移除虛擬閘極帶和在下方的介電層，直至暴露出間隙壁、部分半導體鰭片和絕緣體的部分側壁。選擇性地形成第二介電層以覆蓋半導體鰭片的暴露部分，其中介電層的厚度小於第二介電層的厚度。在間隙壁之間形成閘極以覆蓋第二介電層、間隙壁的側壁和絕緣體的暴露部分。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供一种用于制造鳍式场效应管的方法，包括以下步骤。图案化基底以形成沟渠，并且在沟渠之间形成半导体鳍片。在沟渠中形成绝缘体，并且形成介电层以覆盖半导体鳍片和绝缘体。在介电层上形成虚拟闸极带。间隙壁形成在虚拟闸极带的侧壁上。移除虚拟闸极带和在下方的介电层，直至暴露出间隙壁、部分半导体鳍片和绝缘体的部分侧壁。选择性地形成第二介电层以覆盖半导体鳍片的暴露部分，其中介电层的厚度小于第二介电层的厚度。在间隙壁之间形成闸极以覆盖第二介电层、间隙壁的侧壁和绝缘体的暴露部分。

公开(公告)号：TW201729242A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：TW105136908

申请日：2016-11-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/764 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 半導體裝置包含半導體基材及在半導體基材上的半導體鰭片，其中半導體鰭片在二單元所共有之共同邊界上具有鰭片隔離結構。鰭片隔離結構具有空氣間隙，此空氣間隙從半導體鰭片之頂部延伸至半導體基材上的中止層。鰭片隔離結構包含遮蓋住空氣間隙之頂部的介電覆蓋層。

Abstract in simplified Chinese: 半导体设备包含半导体基材及在半导体基材上的半导体鳍片，其中半导体鳍片在二单元所共有之共同边界上具有鳍片隔离结构。鳍片隔离结构具有空气间隙，此空气间隙从半导体鳍片之顶部延伸至半导体基材上的中止层。鳍片隔离结构包含遮盖住空气间隙之顶部的介电复盖层。

公开(公告)号：TW201727717A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：TW105124737

申请日：2016-08-04

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823431 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32115 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

Abstract: 本揭示提供半導體裝置結構的結構和製造方法，半導體裝置結構包含在半導體基底上的鰭結構和覆蓋部分鰭結構的閘極堆疊，閘極堆疊包含閘極介電層、功函數層和在功函數層上的導電性填料。半導體裝置結構也包含覆蓋鰭結構的介電層，介電層直接接觸導電性填料。

Abstract in simplified Chinese: 本揭示提供半导体设备结构的结构和制造方法，半导体设备结构包含在半导体基底上的鳍结构和覆盖部分鳍结构的闸极堆栈，闸极堆栈包含闸极介电层、功函数层和在功函数层上的导电性填料。半导体设备结构也包含覆盖鳍结构的介电层，介电层直接接触导电性填料。

公开(公告)号：TW201725722A

公开(公告)日：2017-07-16

申请号：TW105133558

申请日：2016-10-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 一種半導體裝置，包含基板、絕緣結構，以及閘極堆疊。基板具有至少一個半導體鰭。絕緣結構，配置於基板上方，且與半導體鰭隔開以在絕緣結構與半導體鰭之間形成間隙，其中絕緣結構具有側壁，側壁面對半導體鰭。閘極堆疊覆蓋半導體鰭的至少一部分，且至少配置於絕緣結構與半導體鰭之間的間隙中，其中閘極堆疊包含高介電常數介電層與閘電極。高介電常數介電層覆蓋半導體鰭，同時使得絕緣結構的側壁裸露。閘電極配置於高介電常數介電層上方，且至少配置於絕緣結構與半導體鰭之間的間隙中。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备，包含基板、绝缘结构，以及闸极堆栈。基板具有至少一个半导体鳍。绝缘结构，配置于基板上方，且与半导体鳍隔开以在绝缘结构与半导体鳍之间形成间隙，其中绝缘结构具有侧壁，侧壁面对半导体鳍。闸极堆栈覆盖半导体鳍的至少一部分，且至少配置于绝缘结构与半导体鳍之间的间隙中，其中闸极堆栈包含高介电常数介电层与闸电极。高介电常数介电层覆盖半导体鳍，同时使得绝缘结构的侧壁裸露。闸电极配置于高介电常数介电层上方，且至少配置于绝缘结构与半导体鳍之间的间隙中。

公开(公告)号：TW201724281A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105137767

申请日：2016-11-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE-CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH-HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG-HUEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/785

Abstract: 一種鰭式場效電晶體的製作方法，包括：圖案化基板以形成多個溝渠以及位於溝渠之間的半導體鰭片。於溝渠內形成多個絕緣體，並且形成第一介電層以覆蓋半導體鰭片與絕緣體。於第一介電層上形成擬閘極條。於擬閘極條的側壁上形成多個間隙物擬閘極條。移除擬閘極條與位於其下方的第一介電層直到間隙物的側壁、半導體鰭片的部分以及絕緣體的部分被暴露出來。形成第二介電層以順應地覆蓋間隙物的側壁、半導體鰭片被暴露出來的部分以及絕緣體被暴露出來的部分，其中第一介電層的厚度小於第二介電層的厚度。於第二介電層上以及間隙物之間形成閘極。

Abstract in simplified Chinese: 一种鳍式场效应管的制作方法，包括：图案化基板以形成多个沟渠以及位于沟渠之间的半导体鳍片。于沟渠内形成多个绝缘体，并且形成第一介电层以覆盖半导体鳍片与绝缘体。于第一介电层上形成拟闸极条。于拟闸极条的侧壁上形成多个间隙物拟闸极条。移除拟闸极条与位于其下方的第一介电层直到间隙物的侧壁、半导体鳍片的部分以及绝缘体的部分被暴露出来。形成第二介电层以顺应地覆盖间隙物的侧壁、半导体鳍片被暴露出来的部分以及绝缘体被暴露出来的部分，其中第一介电层的厚度小于第二介电层的厚度。于第二介电层上以及间隙物之间形成闸极。

公开(公告)号：TW201724280A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105137193

申请日：2016-11-15

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE-CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH-HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG-HUEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/30 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7856

Abstract: 一種半導體元件，其包括基板、多個絕緣體、介電層以及多個閘極。基板包括多個溝渠及在多個溝渠之間的半導體鰭片。多個絕緣體配置於多個溝渠內。介電層覆蓋半導體鰭片以及多個絕緣體。多個閘極的長度方向與半導體鰭片的長度方向不同。多個閘極包括至少一第一閘極以及至少一第二閘極，其中半導體鰭片穿過至少一第一閘極，半導體鰭片未穿透至少一第二閘極。第二閘極包括配置於介電層上的加寬部分，以及配置於加寬部分上的頂部分，其中加寬部分的底部寬度大於頂部分的寬度。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件，其包括基板、多个绝缘体、介电层以及多个闸极。基板包括多个沟渠及在多个沟渠之间的半导体鳍片。多个绝缘体配置于多个沟渠内。介电层覆盖半导体鳍片以及多个绝缘体。多个闸极的长度方向与半导体鳍片的长度方向不同。多个闸极包括至少一第一闸极以及至少一第二闸极，其中半导体鳍片穿过至少一第一闸极，半导体鳍片未穿透至少一第二闸极。第二闸极包括配置于介电层上的加宽部分，以及配置于加宽部分上的顶部分，其中加宽部分的底部宽度大于顶部分的宽度。