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公开(公告)号：TW201541525A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW104102647
申请日：2015-01-27
Inventor： 江國誠 , CHING, KUO CHENG , 馮 家馨 , FUNG, KA-HING , 張智勝 , CHANG, CHIH SHENG , 吳 志強 , WU, ZHIQIANG
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0924 , H01L21/02236 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02532 , H01L21/30604 , H01L21/311 , H01L21/31144 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823828 , H01L21/823842 , H01L27/0922 , H01L29/0673 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66803 , H01L29/6681 , H01L29/66818 , H01L29/785 , H01L29/7851 , H01L29/7853
Abstract: 本發明提供了一種鰭型場效電晶體元件之製造方法，包括：形成數個第一鰭結構於一基板上；形成一圖案化之氧化硬罩幕於該基板上，露出一N型鰭型場效電晶體區之一第一閘極區內之該第一鰭結構；形成一半導體氧化物構件於該第一閘極區內之該第一鰭結構之一中央部內；形成一第二鰭結構於一P型鰭型場效電晶體區之內；形成數個虛設閘極；形成數個源極/汲極構件；藉由一第一高介電常數介電材料/金屬閘極以取代該N型鰭型場效電晶體區內之該些虛設閘極及藉由一第二高介電常數介電材料/金屬閘極取代該P型鰭型場效電晶體區內之該些虛設閘極。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供了一种鳍型场效应管组件之制造方法，包括：形成数个第一鳍结构于一基板上；形成一图案化之氧化硬罩幕于该基板上，露出一N型鳍型场效应管区之一第一闸极区内之该第一鳍结构；形成一半导体氧化物构件于该第一闸极区内之该第一鳍结构之一中央部内；形成一第二鳍结构于一P型鳍型场效应管区之内；形成数个虚设闸极；形成数个源极/汲极构件；借由一第一高介电常数介电材料/金属闸极以取代该N型鳍型场效应管区内之该些虚设闸极及借由一第二高介电常数介电材料/金属闸极取代该P型鳍型场效应管区内之该些虚设闸极。
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公开(公告)号：TW201830694A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106127652
申请日：2017-08-15
Inventor： 張家文 , CHANG, CHIA WEN , 林宏年 , LIN, HONG NIEN , 李建興 , LEE, CHIEN HSING , 張智勝 , CHANG, CHIH SHENG , 葉凌彥 , YEH, LING YEN , 蔡惠銘 , TSAI, WILMAN , 楊育佳 , YEO, YEE-CHIA
IPC: H01L29/12 , H01L29/66 , H01L21/336
Abstract: 半導體元件包含第一通道區域以及第一閘極結構。第一通道區域設置於基板上。第一閘極結構設置於第一通道區域上，且包含閘極介電層、下部導電閘極層、鐵電材料層以及上部導電閘極層。閘極介電層設置於通道區域上。下部導電閘極層設置於閘極介電層上。鐵電材料層設置於下部導電閘極層上。上部導電閘極層設置於鐵電材料層上。鐵電材料層直接接觸閘極介電層以及下部閘極導電層，且具有U形橫截面。
Abstract in simplified Chinese: 半导体组件包含第一信道区域以及第一闸极结构。第一信道区域设置于基板上。第一闸极结构设置于第一信道区域上，且包含闸极介电层、下部导电闸极层、铁电材料层以及上部导电闸极层。闸极介电层设置于信道区域上。下部导电闸极层设置于闸极介电层上。铁电材料层设置于下部导电闸极层上。上部导电闸极层设置于铁电材料层上。铁电材料层直接接触闸极介电层以及下部闸极导电层，且具有U形横截面。
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公开(公告)号：TWI626458B
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：TW106135179
申请日：2017-10-13
Inventor： 彭成毅 , PENG, CHENG YI , 何嘉政 , HO, CHIA CHENG , 林銘祥 , LIN, MING SHIANG , 張智勝 , CHANG, CHIH SHENG , 卡羅司 迪亞茲 , DIAZ, CARLOS H.
IPC: G01R31/26
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公开(公告)号：TW201735265A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105138672
申请日：2016-11-24
Inventor： 彭成毅 , PENG, CHENG YI , 葉凌彥 , YEH, LING YEN , 劉繼文 , LIU, CHI WEN , 張智勝 , CHANG, CHIH SHENG , 楊育佳 , YEO, YEE-CHIA
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/1083 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/823468 , H01L21/823481 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/1211 , H01L29/0649 , H01L29/66545 , H01L29/7848
Abstract: 本揭露提供一種半導體結構。此半導體結構包含：鰭片有效區，其形成於半導體基板上且橫跨在第一淺溝槽隔離(STI)特徵之第一側壁與第二STI特徵之第二側壁之間；第一導電類型之防穿通(APT)特徵；以及第一導電類型之通道材料層，此通道材料層設置於APT特徵上且具有小於第一摻雜濃度之第二摻雜濃度。APT特徵形成於鰭片有效區上、橫跨在第一側壁與第二側壁之間且具有第一摻雜濃度。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种半导体结构。此半导体结构包含：鳍片有效区，其形成于半导体基板上且横跨在第一浅沟槽隔离(STI)特征之第一侧壁与第二STI特征之第二侧壁之间；第一导电类型之防穿通(APT)特征；以及第一导电类型之信道材料层，此信道材料层设置于APT特征上且具有小于第一掺杂浓度之第二掺杂浓度。APT特征形成于鳍片有效区上、横跨在第一侧壁与第二侧壁之间且具有第一掺杂浓度。
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公开(公告)号：TW201541645A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW104101342
申请日：2015-01-15
Inventor： 江國誠 , CHING, KUOCHENG , 馮家馨 , FUNG, KAHING , 張智勝 , CHANG, CHIHSHENG , 吳志強 , WU, ZHIQIANG
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/823821 , H01L21/0214 , H01L21/0217 , H01L21/02178 , H01L21/02233 , H01L21/02255 , H01L21/02532 , H01L21/823878 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/0922 , H01L27/0924 , H01L27/1211 , H01L29/0603 , H01L29/0607 , H01L29/0649 , H01L29/0657 , H01L29/165 , H01L29/42356 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/66795 , H01L29/772 , H01L29/7831 , H01L29/7849 , H01L29/785 , H01L29/7855
Abstract: 提供一種鰭式場效電晶體裝置，包含具有第一閘極區之基板、第一鰭狀結構，第一鰭狀結構位於基板上之第一閘極區。第一鰭狀結構包含上半導體材料件、由氧化物特徵圍繞之下半導體材料件、包覆下半導體材料件之氧化物特徵之襯墊，且襯墊向上延伸至包覆上半導體材料件之下部份。鰭式場效電晶體裝置更包含介電層，介電層側向地鄰近上半導體材料件之中央部份，其中上半導體材料件包含上部份，上部份不側向地鄰近介電層，亦不受襯墊包覆。
Abstract in simplified Chinese: 提供一种鳍式场效应管设备，包含具有第一闸极区之基板、第一鳍状结构，第一鳍状结构位于基板上之第一闸极区。第一鳍状结构包含上半导体材料件、由氧化物特征围绕之下半导体材料件、包覆下半导体材料件之氧化物特征之衬垫，且衬垫向上延伸至包复上半导体材料件之下部份。鳍式场效应管设备更包含介电层，介电层侧向地邻近上半导体材料件之中央部份，其中上半导体材料件包含上部份，上部份不侧向地邻近介电层，亦不受衬垫包覆。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI495106B
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW101111996
申请日：2012-04-05
Inventor： 萬幸仁 , WANN, CLEMENT HSINGJEN , 葉凌彥 , YEH, LING YEN , 施啟元 , SHIH, CHI YUAN , 林以唐 , LIN, YI TANG , 張智勝 , CHANG, CHIH SHENG
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66818 , H01L21/2236 , H01L21/823431 , H01L21/823462 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823857 , H01L21/823878 , H01L21/845 , H01L27/0924 , H01L27/1211
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公开(公告)号：TWI426607B
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：TW099128794
申请日：2010-08-27
Inventor： 葉致鍇 , YEH, CHIH CHIEH , 張智勝 , CHANG, CHIH SHENG , 萬幸仁 , WANN, CLEMENT HSINGJEN
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L27/085
CPC classification number: H01L29/7851 , H01L21/823431 , H01L29/165 , H01L29/267 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L2029/7857
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公开(公告)号：TWI694499B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW107115739
申请日：2018-05-09
Inventor： 呂俊頡 , LU, CHUN CHIEH , 彭成毅 , PENG, CHENG YI , 李建興 , LEE, CHIEN HSING , 葉凌彥 , YEH, LING YEN , 張智勝 , CHANG, CHIH SHENG , 戴爾茲 卡羅斯H , DIAZ, CARLOS H.
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L29/43 , H01L29/778
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公开(公告)号：TWI670761B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW106135776
申请日：2017-10-18
Inventor： 陳奕升 , CHEN, I SHENG , 陳自強 , CHEN, TZU CHIANG , 張智勝 , CHANG, CHIH SHENG , 吳政憲 , WU, CHENG HSIEN
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公开(公告)号：TWI667790B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW106127652
申请日：2017-08-15
Inventor： 張家文 , CHANG, CHIA WEN , 林宏年 , LIN, HONG NIEN , 李建興 , LEE, CHIEN HSING , 張智勝 , CHANG, CHIH SHENG , 葉凌彥 , YEH, LING YEN , 蔡惠銘 , TSAI, WILMAN , 楊育佳 , YEO, YEE-CHIA
IPC: H01L29/12 , H01L29/66 , H01L21/336
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