公开(公告)号：TWI694499B

公开(公告)日：2020-05-21

申请号：TW107115739

申请日：2018-05-09

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 呂俊頡 ,  LU, CHUN CHIEH ,  彭成毅 ,  PENG, CHENG YI ,  李建興 ,  LEE, CHIEN HSING ,  葉凌彥 ,  YEH, LING YEN ,  張智勝 ,  CHANG, CHIH SHENG ,  戴爾茲 卡羅斯H ,  DIAZ, CARLOS H.

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L29/43 ,  H01L29/778

公开(公告)号：TWI667790B

公开(公告)日：2019-08-01

申请号：TW106127652

申请日：2017-08-15

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張家文 ,  CHANG, CHIA WEN ,  林宏年 ,  LIN, HONG NIEN ,  李建興 ,  LEE, CHIEN HSING ,  張智勝 ,  CHANG, CHIH SHENG ,  葉凌彥 ,  YEH, LING YEN ,  蔡惠銘 ,  TSAI, WILMAN ,  楊育佳 ,  YEO, YEE-CHIA

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/66 ,  H01L21/336

公开(公告)号：TW201820480A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：TW106117448

申请日：2017-05-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 葉凌彥 ,  YEH, LING YEN ,  張智勝 ,  CHANG, CHIH SHENG ,  蔡惠銘 ,  TSAI, WILMAN ,  林佑明 ,  LIN, YU MING

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 一種包括場效電晶體(field effect transistor,FET)元件的半導體元件，包括基材與由二維材料形成的通道結構。於通道結構上形成界面層。於界面層上方形成閘極堆疊，閘極堆疊包含閘極電極層與閘極介電層。於界面層中之開口的上方形成源極/汲極接點。源極/汲極接點具有與界面層接觸之側面接點以及與通道結構接觸之側面接點與表面接點。

Abstract in simplified Chinese: 一种包括场效应管(field effect transistor,FET)组件的半导体组件，包括基材与由二维材料形成的信道结构。于信道结构上形成界面层。于界面层上方形成闸极堆栈，闸极堆栈包含闸极电极层与闸极介电层。于界面层中之开口的上方形成源极/汲极接点。源极/汲极接点具有与界面层接触之侧面接点以及与信道结构接触之侧面接点与表面接点。

公开(公告)号：TW201735309A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105136918

申请日：2016-11-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 楊育佳 ,  YEO, YEE-CHIA ,  卡羅司 迪亞茲 ,  DIAZ, CARLOS H. ,  王志豪 ,  WANG, CHIH HAO ,  葉凌彥 ,  YEH, LING YEN ,  孫元成 ,  SUN, YUAN CHEN

IPC: H01L23/535 ,  H01L29/04 ,  H01L29/167 ,  H01L29/201 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L21/30604 ,  H01L23/535 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/167 ,  H01L29/201 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785

Abstract: 一種半導體元件包括具有第一半導體材料之鰭。該鰭包括源極/汲極(S/D)區域及通道區域。S/D區域提供頂表面及兩個側壁表面。S/D區域之寬度小於通道區域之寬度。半導體元件進一步包括S/D區域上方的且具有經摻雜第二半導體材料的半導體薄膜。半導體薄膜提供分別大體上平行於S/D區域之頂表面及兩個側壁表面的頂表面及兩個側壁表面。半導體元件進一步包括金屬接點，金屬接點在半導體薄膜之頂表面及兩個側壁表面上方且可操作以與S/D區域電氣連通。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件包括具有第一半导体材料之鳍。该鳍包括源极/汲极(S/D)区域及信道区域。S/D区域提供顶表面及两个侧壁表面。S/D区域之宽度小于信道区域之宽度。半导体组件进一步包括S/D区域上方的且具有经掺杂第二半导体材料的半导体薄膜。半导体薄膜提供分别大体上平行于S/D区域之顶表面及两个侧壁表面的顶表面及两个侧壁表面。半导体组件进一步包括金属接点，金属接点在半导体薄膜之顶表面及两个侧壁表面上方且可操作以与S/D区域电气连通。

公开(公告)号：TW201707053A

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：TW105108044

申请日：2016-03-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 楊 育佳 ,  YEO, YEE-CHIA ,  葉凌彥 ,  YEH, LING YEN ,  孫元成 ,  SUN, YUAN CHEN

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66 ,  H01L29/772 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/461 ,  H01L21/8256 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/785

Abstract: 提供一種電晶體，其係以過渡金屬二硫族化物材料所形成。利用直接沉積製程形成過渡金屬二硫族化物材料，並將其圖案化成為一或多個鰭板。在一或多個鰭板上形成閘極介電質及閘極電極。或者，可藉由沉積非過渡金屬二硫族化物材料後再進行處理形成過渡金屬二硫族化物材料。此外，利用過渡金屬二硫族化物材料所形成的鰭板的側壁可為垂直於基板或可相對於基板傾斜。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种晶体管，其系以过渡金属二硫族化物材料所形成。利用直接沉积制程形成过渡金属二硫族化物材料，并将其图案化成为一或多个鳍板。在一或多个鳍板上形成闸极介电质及闸极电极。或者，可借由沉积非过渡金属二硫族化物材料后再进行处理形成过渡金属二硫族化物材料。此外，利用过渡金属二硫族化物材料所形成的鳍板的侧壁可为垂直于基板或可相对于基板倾斜。

公开(公告)号：TW201421597A

公开(公告)日：2014-06-01

申请号：TW102140983

申请日：2013-11-12

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 萬幸仁 ,  WANN, CLEMENT HSINGJEN ,  奧野泰利 ,  OKUNO, YASUTOSHI ,  葉凌彥 ,  YEH, LING YEN ,  施啓元 ,  SHIH, CHI YUAN ,  邵元輔 ,  SHAO, YUAN FU ,  蔡偉駿 ,  TSAI, WEI CHUN

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/14 ,  H01L21/30625 ,  H01L22/34 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/161 ,  H01L29/66795

Abstract: 一種半導體鰭部內載子濃度之測定方法，包括：使用一四點探針頭探測至少一半導體鰭部，使該四點探針之四個探針接觸該至少一半導體鰭部；量測該至少一半導體鰭部之一電阻；以及由該電阻計算出該半導體鰭部之一載子濃度。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体鳍部内载子浓度之测定方法，包括：使用一四点探针头探测至少一半导体鳍部，使该四点探针之四个探针接触该至少一半导体鳍部；量测该至少一半导体鳍部之一电阻；以及由该电阻计算出该半导体鳍部之一载子浓度。

公开(公告)号：TW201320340A

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：TW101111996

申请日：2012-04-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 萬幸仁 ,  WANN, CLEMENT HSINGJEN ,  葉凌彥 ,  YEH, LING YEN ,  施啟元 ,  SHIH, CHI YUAN ,  林以唐 ,  LIN, YI TANG ,  張智勝 ,  CHANG, CHIH SHENG

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66818 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211

Abstract: 本發明提供一種鰭式場效電晶體及其製造方法。上述鰭式場效電晶體包括一基板，包括一頂面；一第一鰭和一第二鰭，延伸於基板的頂面的上方，其中第一鰭和第二鰭各自具有一頂面和側邊；一絕緣層，介於第一鰭和第二鰭之間，且從基板的頂面延伸至部分的第一鰭和第二鰭上；一第一閘極介電質，覆蓋第一鰭的頂面和側邊且具有一第一厚度，以及一第二閘極介電質，覆蓋第二鰭的頂面和側邊且具有小於第一厚度的一第二厚度；一導電閘極條狀物，穿過第一閘極介電質和第二閘極介電質兩者。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种鳍式场效应管及其制造方法。上述鳍式场效应管包括一基板，包括一顶面；一第一鳍和一第二鳍，延伸于基板的顶面的上方，其中第一鳍和第二鳍各自具有一顶面和侧边；一绝缘层，介于第一鳍和第二鳍之间，且从基板的顶面延伸至部分的第一鳍和第二鳍上；一第一闸极介电质，覆盖第一鳍的顶面和侧边且具有一第一厚度，以及一第二闸极介电质，覆盖第二鳍的顶面和侧边且具有小于第一厚度的一第二厚度；一导电闸极条状物，穿过第一闸极介电质和第二闸极介电质两者。

公开(公告)号：TW201830694A

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：TW106127652

申请日：2017-08-15

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張家文 ,  CHANG, CHIA WEN ,  林宏年 ,  LIN, HONG NIEN ,  李建興 ,  LEE, CHIEN HSING ,  張智勝 ,  CHANG, CHIH SHENG ,  葉凌彥 ,  YEH, LING YEN ,  蔡惠銘 ,  TSAI, WILMAN ,  楊育佳 ,  YEO, YEE-CHIA

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/66 ,  H01L21/336

Abstract: 半導體元件包含第一通道區域以及第一閘極結構。第一通道區域設置於基板上。第一閘極結構設置於第一通道區域上，且包含閘極介電層、下部導電閘極層、鐵電材料層以及上部導電閘極層。閘極介電層設置於通道區域上。下部導電閘極層設置於閘極介電層上。鐵電材料層設置於下部導電閘極層上。上部導電閘極層設置於鐵電材料層上。鐵電材料層直接接觸閘極介電層以及下部閘極導電層，且具有U形橫截面。

Abstract in simplified Chinese: 半导体组件包含第一信道区域以及第一闸极结构。第一信道区域设置于基板上。第一闸极结构设置于第一信道区域上，且包含闸极介电层、下部导电闸极层、铁电材料层以及上部导电闸极层。闸极介电层设置于信道区域上。下部导电闸极层设置于闸极介电层上。铁电材料层设置于下部导电闸极层上。上部导电闸极层设置于铁电材料层上。铁电材料层直接接触闸极介电层以及下部闸极导电层，且具有U形横截面。

公开(公告)号：TWI613700B

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW105108044

申请日：2016-03-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 楊 育佳 ,  YEO, YEE-CHIA ,  葉凌彥 ,  YEH, LING YEN ,  孫元成 ,  SUN, YUAN CHEN

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66 ,  H01L29/772 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/461 ,  H01L21/8256 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TW201735265A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105138672

申请日：2016-11-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 彭成毅 ,  PENG, CHENG YI ,  葉凌彥 ,  YEH, LING YEN ,  劉繼文 ,  LIU, CHI WEN ,  張智勝 ,  CHANG, CHIH SHENG ,  楊育佳 ,  YEO, YEE-CHIA

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1083 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848

Abstract: 本揭露提供一種半導體結構。此半導體結構包含：鰭片有效區，其形成於半導體基板上且橫跨在第一淺溝槽隔離(STI)特徵之第一側壁與第二STI特徵之第二側壁之間；第一導電類型之防穿通(APT)特徵；以及第一導電類型之通道材料層，此通道材料層設置於APT特徵上且具有小於第一摻雜濃度之第二摻雜濃度。APT特徵形成於鰭片有效區上、橫跨在第一側壁與第二側壁之間且具有第一摻雜濃度。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种半导体结构。此半导体结构包含：鳍片有效区，其形成于半导体基板上且横跨在第一浅沟槽隔离(STI)特征之第一侧壁与第二STI特征之第二侧壁之间；第一导电类型之防穿通(APT)特征；以及第一导电类型之信道材料层，此信道材料层设置于APT特征上且具有小于第一掺杂浓度之第二掺杂浓度。APT特征形成于鳍片有效区上、横跨在第一侧壁与第二侧壁之间且具有第一掺杂浓度。