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公开(公告)号：TWI644409B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW106132993
申请日：2017-09-26
发明人： 林柏均 , LIN, PO CHUN , 朱金龍 , CHU, CHIN LUNG
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/60
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公开(公告)号：TWI635548B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：TW104111595
申请日：2015-04-10
发明人： 林柏均 , LIN, PO CHUN
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488
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公开(公告)号：TW201816965A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW105137581
申请日：2016-11-17
发明人： 林柏均 , LIN, PO CHUN
IPC分类号： H01L23/492
摘要： 一種半導體結構的製造方法包含：提供一基板與位於該基板上方的一晶片；配置該基板於一第一模具件上方；配置一第二模具件於該基板上方，以囊封該晶片；配置一模製材料於該晶片附近；形成一模製物於該基板上方且於該晶片附近；移除該第一模具件；移除該第二模具件；其中該第一模具件包含一曲面，該曲面朝向該基板、該晶片或該第二模具件突出。
简体摘要： 一种半导体结构的制造方法包含：提供一基板与位于该基板上方的一芯片；配置该基板于一第一模具件上方；配置一第二模具件于该基板上方，以囊封该芯片；配置一模制材料于该芯片附近；形成一模制物于该基板上方且于该芯片附近；移除该第一模具件；移除该第二模具件；其中该第一模具件包含一曲面，该曲面朝向该基板、该芯片或该第二模具件突出。
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公开(公告)号：TW201804590A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105133110
申请日：2016-10-13
发明人： 林柏均 , LIN, PO CHUN
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/28
CPC分类号： H01L23/147 , H01L23/3677 , H01L23/49811 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/13013
摘要： 本揭露提供一種半導體裝置及其製造方法。在本揭露之實施例中，該半導體裝置包含一積體電路晶粒；設置於該積體電路晶粒上的至少一導電終端；設置於該積體電路晶粒上的一框架，其中該框架實質暴露該至少一導電終端；以及設置於該框架中的至少一導電凸塊，其中該至少一導電凸塊電連接該至少一導電終端。
简体摘要： 本揭露提供一种半导体设备及其制造方法。在本揭露之实施例中，该半导体设备包含一集成电路晶粒；设置于该集成电路晶粒上的至少一导电终端；设置于该集成电路晶粒上的一框架，其中该框架实质暴露该至少一导电终端；以及设置于该框架中的至少一导电凸块，其中该至少一导电凸块电连接该至少一导电终端。
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公开(公告)号：TW201630091A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104111595
申请日：2015-04-10
发明人： 林柏均 , LIN, PO CHUN
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H01L24/48 , B23K20/007 , B23K20/233 , B23K2201/42 , B23K2203/08 , B23K2203/12 , H01L24/45 , H01L24/49 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/05553 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4809 , H01L2224/48091 , H01L2224/48147 , H01L2224/48464 , H01L2224/48482 , H01L2224/4909 , H01L2224/73265 , H01L2224/78268 , H01L2224/78301 , H01L2224/8503 , H01L2224/85045 , H01L2224/85186 , H01L2224/85207 , H01L2224/92247 , H01L2225/06506 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/37001 , H01L2924/2076 , H01L2224/05599 , H01L2224/85399
摘要： 一種打線接合的方法包括下列步驟。首先，提供基板。基板包括至少一金屬墊。接著，設置第一晶片於基板上，且第一晶片包括至少一第一接墊。接著，形成金屬球塊於對應的金屬墊上。接著，由金屬球塊形成第一導線至對應的第一接墊。接著，進行放電結球製程以形成第一金屬熔球於第一導線上。接著，壓合連接第一導線的第一金屬熔球於對應的第一接墊上，以使第一導線位於第一金屬熔球與對應的第一接墊之間。一種應用此打線接合方法的封裝結構亦被提出。
简体摘要： 一种打线接合的方法包括下列步骤。首先，提供基板。基板包括至少一金属垫。接着，设置第一芯片于基板上，且第一芯片包括至少一第一接垫。接着，形成金属球块于对应的金属垫上。接着，由金属球块形成第一导线至对应的第一接垫。接着，进行放电结球制程以形成第一金属熔球于第一导在线。接着，压合连接第一导线的第一金属熔球于对应的第一接垫上，以使第一导线位于第一金属熔球与对应的第一接垫之间。一种应用此打线接合方法的封装结构亦被提出。
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公开(公告)号：TWI523160B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW103125789
申请日：2014-07-29
发明人： 林柏均 , LIN, PO CHUN
CPC分类号： H01L23/5384 , G11C5/063 , H01L23/5226 , H01L23/5386 , H01L25/0657 , H01L25/074 , H01L2224/16145 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06527 , H01L2225/06565
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公开(公告)号：TWI675459B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW106128160
申请日：2017-08-18
发明人： 林柏均 , LIN, PO CHUN
IPC分类号： H01L27/11551 , H01L27/11597
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公开(公告)号：TWI644401B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW105132677
申请日：2016-10-07
发明人： 林柏均 , LIN, PO CHUN
IPC分类号： H01L23/16 , H01L23/528 , H01L21/48 , H01L21/50
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公开(公告)号：TW201838158A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106128160
申请日：2017-08-18
发明人： 林柏均 , LIN, PO CHUN
IPC分类号： H01L27/11551 , H01L27/11597
摘要： 一種半導體結構包含第一堆疊中介層、第一晶片、 以及複數個第二凸塊。第一堆疊中介層包含第一中介層、複數個第一導電柱、複數個第一凸塊、以及第一重分布層。第一中介層具有第一表面和與其相對的第二表面。複數個第一導電柱從第一中介層的第一表面穿透至第二表面。複數個第一凸塊位於第一中介層之第一表面的一側並電性連接此些第一導電柱。第一表面具有一淨空區域，此淨空區域無第一凸塊。第一重分布層位於第一中介層的第二表面上。第一晶片位於第一重分布層的上方。第一晶片在垂直第一表面的方向上與第一中介層之第一表面的淨空區域對齊。複數個第二凸塊連接第一重分布層和第一晶片。
简体摘要： 一种半导体结构包含第一堆栈中介层、第一芯片、 以及复数个第二凸块。第一堆栈中介层包含第一中介层、复数个第一导电柱、复数个第一凸块、以及第一重分布层。第一中介层具有第一表面和与其相对的第二表面。复数个第一导电柱从第一中介层的第一表面穿透至第二表面。复数个第一凸块位于第一中介层之第一表面的一侧并电性连接此些第一导电柱。第一表面具有一净空区域，此净空区域无第一凸块。第一重分布层位于第一中介层的第二表面上。第一芯片位于第一重分布层的上方。第一芯片在垂直第一表面的方向上与第一中介层之第一表面的净空区域对齐。复数个第二凸块连接第一重分布层和第一芯片。
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公开(公告)号：TWI628773B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106123361
申请日：2017-07-12
发明人： 林柏均 , LIN, PO CHUN , 朱金龍 , CHU, CHIN LUNG
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/98
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