公开(公告)号：TW201813056A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW105138167

申请日：2016-11-22

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳偉成 ,  WU, WEI-CHENG ,  連瑞宗 ,  LIEN, JUI-TSUNG

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11524 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3081 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11534 ,  H01L27/11548 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

Abstract: 在製造包含形成於記憶胞區域中的非揮發性記憶體及形成於周邊區域中的邏輯電路的半導體元件的方法中，在記憶胞區域及周邊區域中的基底上方形成罩幕層。在周邊區域上方形成抗蝕劑罩幕。使用抗蝕劑罩幕作為蝕刻罩幕來圖案化記憶胞區域中的罩幕層。蝕刻記憶胞區域中的基底。在蝕刻基底之後，形成記憶胞區域中的記憶胞結構及用於邏輯電路的閘極結構。形成介電層以覆蓋記憶胞結構及閘極結構。對介電層執行平坦化操作。在平坦化操作期間平坦化記憶胞結構的上部部分。

Abstract in simplified Chinese: 在制造包含形成于记忆胞区域中的非挥发性内存及形成于周边区域中的逻辑电路的半导体组件的方法中，在记忆胞区域及周边区域中的基底上方形成罩幕层。在周边区域上方形成抗蚀剂罩幕。使用抗蚀剂罩幕作为蚀刻罩幕来图案化记忆胞区域中的罩幕层。蚀刻记忆胞区域中的基底。在蚀刻基底之后，形成记忆胞区域中的记忆胞结构及用于逻辑电路的闸极结构。形成介电层以覆盖记忆胞结构及闸极结构。对介电层运行平坦化操作。在平坦化操作期间平坦化记忆胞结构的上部部分。

公开(公告)号：TW201714288A

公开(公告)日：2017-04-16

申请号：TW105101182

申请日：2016-01-15

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 連瑞宗 ,  LIEN, JUI TSUNG ,  朱芳蘭 ,  CHU, FANG LAN ,  林宏達 ,  LIN, HONG DA ,  吳偉成 ,  WU, WEI CHENG ,  張谷寧 ,  CHANG, KU NING ,  王羽榛 ,  WANG, YU CHEN

IPC: H01L27/118 ,  H01L21/77

CPC classification number: G11C29/025 ,  G01R31/2884 ,  G11C2029/5602 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L22/34 ,  H01L23/528 ,  H01L23/544 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/513 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/5446

Abstract: 本揭露關於具有測試線文字之基板與其形成方法，且測試線文字係用以辨識積體晶片上的測試線。上述基板可避免高介電常數之閘極介電層-金屬閘極製程的污染。在某些實施例中，基板為半導體基板。測試線文字結構係排列於半導體基板上，且具有一或多個溝槽垂直延伸於測試線文字結構之上表面與下表面之間。一或多個溝槽係排列於測試線文字結構中，以形成開口於測試線文字結構的上表面。上述測試線文字結構具有字母-數字特徵的形狀。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露关于具有测试线文本之基板与其形成方法，且测试线文本系用以辨识积体芯片上的测试线。上述基板可避免高介电常数之闸极介电层-金属闸极制程的污染。在某些实施例中，基板为半导体基板。测试线文本结构系排列于半导体基板上，且具有一或多个沟槽垂直延伸于测试线文本结构之上表面与下表面之间。一或多个沟槽系排列于测试线文本结构中，以形成开口于测试线文本结构的上表面。上述测试线文本结构具有字母-数字特征的形状。

公开(公告)号：TWI559458B

公开(公告)日：2016-11-21

申请号：TW103136668

申请日：2014-10-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳常明 ,  WU, CHANGMING ,  吳偉成 ,  WU, WEICHENG ,  曾元泰 ,  TSENG, YUANTAI ,  劉世昌 ,  LIU, SHIHCHANG ,  蔡嘉雄 ,  TSAI, CHIASHIUNG ,  李汝諒 ,  LEE, RULIANG ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY HAKLAY

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53271 ,  H01L23/5329 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7883 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI540708B

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW103144582

申请日：2014-12-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 莊學理 ,  CHUANG, HARRY HAKLAY ,  吳偉成 ,  WU, WEICHENG ,  高雅真 ,  KAO, YACHEN

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/1157 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

公开(公告)号：TWI534988B

公开(公告)日：2016-05-21

申请号：TW102114964

申请日：2013-04-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳偉成 ,  WU, WEI CHENG ,  陳柏年 ,  CHEN, PO NIEN ,  黃仁安 ,  NG, JIN-AUN ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  莊學理 ,  CHUANG, HAK-LAY

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/823462 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

公开(公告)号：TW201547008A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：TW103146473

申请日：2014-12-31

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 莊 學理 ,  CHUANG, HARRY-HAK-LAY ,  吳偉成 ,  WU, WEI CHENG ,  黃進義 ,  HUANG, CHIN YI ,  劉世昌 ,  LIU, SHIH CHANG ,  吳常明 ,  WU, CHANG MING

IPC: H01L27/11 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11534 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/66545

Abstract: 本發明關於將ESF3記憶體埋置於HKMG積體電路的方法，且此方法採用置換閘極技術。ESF3記憶體係形成於凹陷基板上，以避免ILD層上進行的CMP損傷記憶控制閘極。在記憶單元與周邊電路交界之過渡區中，可形成不對稱的絕緣區。

Abstract in simplified Chinese: 本发明关于将ESF3内存埋置于HKMG集成电路的方法，且此方法采用置换闸极技术。ESF3内存系形成于凹陷基板上，以避免ILD层上进行的CMP损伤记忆控制闸极。在记忆单元与周边电路交界之过渡区中，可形成不对称的绝缘区。

公开(公告)号：TWI508299B

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：TW103105783

申请日：2014-02-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 莊 學理 ,  CHUANG, HARRY-HAK-LAY ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  吳偉成 ,  WU, WEI CHENG ,  許夢舫 ,  HSU, MENG FANG ,  張宮賓 ,  CHANG, KONG PIN ,  梁家銘 ,  LIANG, CHIA MING

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76 ,  H01L21/26533 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/7834

公开(公告)号：TW201537689A

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：TW103136668

申请日：2014-10-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳常明 ,  WU, CHANGMING ,  吳偉成 ,  WU, WEICHENG ,  曾元泰 ,  TSENG, YUANTAI ,  劉世昌 ,  LIU, SHIHCHANG ,  蔡嘉雄 ,  TSAI, CHIASHIUNG ,  李汝諒 ,  LEE, RULIANG ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY HAKLAY

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53271 ,  H01L23/5329 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7883 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提出在一先進邏輯電路中的一種非揮發性記憶體以及其製造方法。在非揮發性記憶體中，字元線及抹除閘極之頂面低於控制閘極之頂面。此外，在施行一自動對準矽化製程之前，以介電材料環繞字元線及抹除閘極。因此，無金屬矽化物形成於字元線及抹除閘極上，在後續的化學機械研磨製程中亦不會產生短路及漏電流的問題。

Abstract in simplified Chinese: 提出在一雪铁龙逻辑电路中的一种非挥发性内存以及其制造方法。在非挥发性内存中，字符线及抹除闸极之顶面低于控制闸极之顶面。此外，在施行一自动对准硅化制程之前，以介电材料环绕字符线及抹除闸极。因此，无金属硅化物形成于字符线及抹除闸极上，在后续的化学机械研磨制程中亦不会产生短路及漏电流的问题。

公开(公告)号：TW201436050A

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：TW102147883

申请日：2013-12-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳柏年 ,  CHEN, PO NIEN ,  黃昱方 ,  HUANG, YU FANG ,  謝奇勳 ,  HSIEH, CHI HSUN ,  吳偉成 ,  WU, WEI CHENG ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  莊 學理 ,  CHUANG, HARRY-HAK-LAY

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823857

Abstract: 一種積體電路之製作方法，包括：提供一基底，具有一第一元件區、一第二元件區和一第三元件區；形成一第一界面層於至少各第一元件區、第二元件區和第三元件區之一部分上方；圖案化第一界面層，其中第一界面層之圖案化於第三元件區中定義一閘極堆疊；形成一第二界面層於至少第二元件區之一部分上方；圖案化第二界面層，其中第二界面層之圖案化於第二元件區中定義一閘極堆疊；及形成一第三界面層於至少第一元件區之一部分上方，其中第三界面層之形成於第一元件區中定義一閘極堆疊。

Abstract in simplified Chinese: 一种集成电路之制作方法，包括：提供一基底，具有一第一组件区、一第二组件区和一第三组件区；形成一第一界面层于至少各第一组件区、第二组件区和第三组件区之一部分上方；图案化第一界面层，其中第一界面层之图案化于第三组件区中定义一闸极堆栈；形成一第二界面层于至少第二组件区之一部分上方；图案化第二界面层，其中第二界面层之图案化于第二组件区中定义一闸极堆栈；及形成一第三界面层于至少第一组件区之一部分上方，其中第三界面层之形成于第一组件区中定义一闸极堆栈。

公开(公告)号：TW201403794A

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：TW102114964

申请日：2013-04-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳偉成 ,  WU, WEI CHENG ,  陳柏年 ,  CHEN, PO NIEN ,  黃仁安 ,  NG, JIN-AUN ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU ,  莊學理 ,  CHUANG, HAK-LAY

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/823462 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本發明提供之半導體元件與其形成方法，具有五個閘極堆疊於基板的不同區域上。半導體元件包括半導體基板與隔離結構以分隔基板上的不同區域，這些區域包含p型場效電晶體核心區、輸入/輸出p型場效電晶體區、n型場效電晶體核心區、輸入/輸出n型場效電晶體區、與高電阻區。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供之半导体组件与其形成方法，具有五个闸极堆栈于基板的不同区域上。半导体组件包括半导体基板与隔离结构以分隔基板上的不同区域，这些区域包含p型场效应管内核区、输入/输出p型场效应管区、n型场效应管内核区、输入/输出n型场效应管区、与高电阻区。