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21.

发明专利
電子元件 ELECTRONIC DEVICE 审中-公开
简体标题：电子组件 ELECTRONIC DEVICE

公开(公告)号：TW200642986A

公开(公告)日：2006-12-16

申请号：TW095110930

申请日：2006-03-29

申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION

发明人： 梅田裕二 YUJI UMEDA , 上田智子 SATOKO UEDA , 藤川佳則 YOSHINORI FUJIKAWA , 佐藤陽 AKIRA SATO

IPC分类号： C04B , H01B , H01G

CPC分类号： H01G4/1227 , B82Y30/00 , C04B35/4682 , C04B35/6262 , C04B35/6264 , C04B35/64 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/36 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/6582 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/785 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , H01G4/30

摘要： 一種積層陶瓷致動器1，包括：以鈦酸鋇或鈦酸鋇鈣為主成分之介電體層2。在介電體層為鈦酸鋇之情況下，於形成介電體層2之複數個介電體粒子20中，存在於鄰接之介電體粒子20間之結晶粒界22之厚度為1nm以下之粒子之比例佔全體之30％以上95％以下。在介電體層2為鈦酸鋇鈣之情況下，於形成介電體層2之複數個介電體粒子20中，存在於鄰接之介電體粒子20間之結晶粒界22之厚度為1nm以下之粒子之比例佔全體之20％以上70％以下。

简体摘要： 一种积层陶瓷致动器1，包括：以钛酸钡或钛酸钡钙为主成分之介电体层2。在介电体层为钛酸钡之情况下，于形成介电体层2之复数个介电体粒子20中，存在于邻接之介电体粒子20间之结晶粒界22之厚度为1nm以下之粒子之比例占全体之30％以上95％以下。在介电体层2为钛酸钡钙之情况下，于形成介电体层2之复数个介电体粒子20中，存在于邻接之介电体粒子20间之结晶粒界22之厚度为1nm以下之粒子之比例占全体之20％以上70％以下。

22.

发明专利
熱熔噴粉未、熱熔噴方法以及形成熱熔噴覆膜之方法 THERMAL SPRAYING POWDER, THERMAL SPRAYING METHOD, AND METHOD FOR FORMING THERMAL SPRAY COATING 审中-公开
简体标题：热熔喷粉未、热熔喷方法以及形成热熔喷覆膜之方法 THERMAL SPRAYING POWDER, THERMAL SPRAYING METHOD, AND METHOD FOR FORMING THERMAL SPRAY COATING

公开(公告)号：TW200631698A

公开(公告)日：2006-09-16

申请号：TW094141898

申请日：2005-11-29

申请人： 福吉米股份有限公司 FUJIMI INCORPORATED

发明人： 北村順也 JUNYA KITAMURA , 水野宏昭 HIROAKI MIZUNO , 五日市剛 TSUYOSHI ITSUKAICHI

IPC分类号： B22F , B05D

CPC分类号： C04B35/44 , C01F17/0043 , C01P2002/30 , C01P2002/34 , C01P2004/50 , C01P2004/51 , C01P2004/54 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/10 , C01P2006/20 , C01P2006/21 , C04B35/62695 , C04B2235/3225 , C04B2235/5296 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/764 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , C04B2235/81 , C23C4/11 , Y10T428/25 , Y10T428/29 , Y10T428/2982 , Y10T428/2991 , Y10T428/2993 , Y10T428/2995

摘要： 一種熱溶噴粉末，包括藉由細小且經燒結的未經加工(raw)顆粒所形成的細小且經研磨的釔鋁雙氧化物顆粒，此細小且經研磨顆粒的壓碎強度為15 MPa或更高，且細小且經研磨顆粒之10％顆粒尺寸為6μm或更大，此熱溶噴粉末適於經電漿噴霧來形成熱溶噴覆膜。

简体摘要： 一种热溶喷粉末，包括借由细小且经烧结的未经加工(raw)颗粒所形成的细小且经研磨的钇铝双氧化物颗粒，此细小且经研磨颗粒的压碎强度为15 MPa或更高，且细小且经研磨颗粒之10％颗粒尺寸为6μm或更大，此热溶喷粉末适于经等离子喷雾来形成热溶喷覆膜。

23.

发明专利
層積陶瓷電子元件之製造方法 METHOD OF PRODUCTION OF MULTILAYER CERAMIC ELECTRONIC DEVICE 失效
简体标题：层积陶瓷电子组件之制造方法 METHOD OF PRODUCTION OF MULTILAYER CERAMIC ELECTRONIC DEVICE

公开(公告)号：TWI241604B

公开(公告)日：2005-10-11

申请号：TW093131961

申请日：2004-10-21

申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION

发明人： 渡邊康夫 YASUO WATANABE , 遠藤健太 KENTA ENDOH , 高原彌 WATARU TAKAHARA

IPC分类号： H01G , C04B

CPC分类号： C04B35/49 , C04B35/465 , C04B35/47 , C04B35/486 , C04B35/6262 , C04B35/6264 , C04B35/638 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/5445 , C04B2235/652 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/662 , C04B2235/663 , C04B2235/79 , H01G4/12 , H01G4/30

摘要： 本發明提供一種構造缺陷少、並可改善高溫負荷壽命之如層積陶瓷電容器等之層積陶瓷電子元件之製造方法，包括：對以介電層用漿料、與含有卑金屬之內電極層用漿料複數交互配置而成之層積體進行燒結之燒結製程；對經上述燒結之層積體，以600~900℃之溫度T1進行回火處理之第1回火製程；及對經上述第1回火之層積體，以900~1200℃(不包括900℃)之溫度T2進行回火處理之第2回火製程。

简体摘要： 本发明提供一种构造缺陷少、并可改善高温负荷寿命之如层积陶瓷电容器等之层积陶瓷电子组件之制造方法，包括：对以介电层用浆料、与含有卑金属之内电极层用浆料复数交互配置而成之层积体进行烧结之烧结制程；对经上述烧结之层积体，以600~900℃之温度T1进行回火处理之第1回火制程；及对经上述第1回火之层积体，以900~1200℃(不包括900℃)之温度T2进行回火处理之第2回火制程。

24.

发明专利
電子裝置、介電質陶瓷組成物及其製造方法 ELECTRONIC DEVICE, DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION AND THE PRODUCTION METHOD 有权
简体标题：电子设备、介电质陶瓷组成物及其制造方法 ELECTRONIC DEVICE, DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION AND THE PRODUCTION METHOD

公开(公告)号：TWI241601B

公开(公告)日：2005-10-11

申请号：TW093135240

申请日：2004-11-17

申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION

发明人： 梅田裕二 YUJI UMEDA , 佐藤陽 AKIRA SATO

IPC分类号： H01G

CPC分类号： C04B35/63 , B32B2311/22 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3267 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6582 , C04B2235/6588 , C04B2235/662 , C04B2235/72 , C04B2235/79 , C04B2237/346 , C04B2237/405 , H01G4/1227

摘要： 具有將主要成分原料及副成分原料燒之步驟的介電質陶瓷組成物之製造方法，其係燒前之主要成分原料使用 ABO3所表之鈣鈦礦型結晶構造的鈦酸鋇原料粉末，其A位成分與B位成分之比A/B為莫耳比1.006≦A/B≦1.035，比表面積為8~50m2/g之原料粉末的介電質陶瓷組成物之製造方法。根據本發明可以提供，由微細粒子構成，且將電容器薄層化時，亦具有良好電特性、溫度特性之介電質陶瓷組成物。

简体摘要： 具有将主要成分原料及副成分原料烧之步骤的介电质陶瓷组成物之制造方法，其系烧前之主要成分原料使用 ABO3所表之钙钛矿型结晶构造的钛酸钡原料粉末，其A位成分与B位成分之比A/B为莫耳比1.006≦A/B≦1.035，比表面积为8~50m2/g之原料粉末的介电质陶瓷组成物之制造方法。根据本发明可以提供，由微细粒子构成，且将电容器薄层化时，亦具有良好电特性、温度特性之介电质陶瓷组成物。

25.

发明专利
薄膜電容元件用組合物、高介電率絕緣膜、薄膜電容元件、薄膜層積電容器、以及薄膜電容元件之製造方法(一) 审中-公开
简体标题：薄膜电容组件用组合物、高介电率绝缘膜、薄膜电容组件、薄膜层积电容器、以及薄膜电容组件之制造方法(一)

公开(公告)号：TW200416758A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：TW093101334

申请日：2004-01-19

申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION

发明人： 下幸雄 YUKIO SAKASHITA

IPC分类号： H01G , H01L , H01F

CPC分类号： H01G4/1218 , B82Y30/00 , C01G29/00 , C01P2002/20 , C01P2002/52 , C01P2004/64 , C01P2006/40 , C04B35/475 , C04B35/6264 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/441 , C04B2235/6585 , C04B2235/787 , C04B2235/79 , H01B3/12 , H01G4/30

摘要： c軸對於基板面呈垂直地進行定位之鉍層狀化合物藉由組成式：(Bi2O2)^2＋(Am–1BmO3m＋1)^2–或Bi2Am–1BmO3m＋3所表示，前述組成式中之記號m係偶數，記號A係由Na、K、Ph、Ba、Sr、Ca和Bi所選出之至少一種元素，記號B係由Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo和W所選出之至少一種元素，前述鉍層狀化合物之Bi係相對於前述組成式：(Bi2O2)^2＋(Am–1BmO3m＋1)^2–或Bi2Am–1BmO3m＋3而過剩地含有，該Bi之過剩含有量係以Bi換算而成為0＜Bi＜0.5×m莫爾之範圍。

简体摘要： c轴对于基板面呈垂直地进行定位之铋层状化合物借由组成式：(Bi2O2)^2＋(Am–1BmO3m＋1)^2–或Bi2Am–1BmO3m＋3所表示，前述组成式中之记号m系偶数，记号A系由Na、K、Ph、Ba、Sr、Ca和Bi所选出之至少一种元素，记号B系由Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo和W所选出之至少一种元素，前述铋层状化合物之Bi系相对于前述组成式：(Bi2O2)^2＋(Am–1BmO3m＋1)^2–或Bi2Am–1BmO3m＋3而过剩地含有，该Bi之过剩含有量系以Bi换算而成为0＜Bi＜0.5×m莫尔之范围。

26.

发明专利
疊層型半導體陶瓷元件及用以製造疊層型半導體陶瓷元件之方法有权
简体标题：叠层型半导体陶瓷组件及用以制造叠层型半导体陶瓷组件之方法

公开(公告)号：TW448453B

公开(公告)日：2001-08-01

申请号：TW089114717

申请日：2000-07-24

申请人： 村田製作所股份有限公司

发明人： 新見秀明

IPC分类号： H01C , C04B

CPC分类号： H01C17/06533 , B32B2311/08 , B32B2311/22 , C04B35/468 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3279 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/386 , C04B2235/79 , C04B2237/346 , C04B2237/405 , C04B2237/408 , H01C7/025

摘要： 本發明揭示一種具有良好PTC特性、低室溫電阻值及增進15V或更高之改良耐受電壓之疊層型半導體陶瓷元件。由含有鈦酸鋇作為主要組成份、且含有0.2莫耳%或更少(不包括 O 莫耳%)的元素鎳的半導體陶瓷所構成之半導體陶瓷層，以及內電極層係交互層疊，並形成一外電極層，以與內電極層電子性連結。該製法包括以下步驟:製備一由含有鈦酸鋇作為主要組成份、且含有0.2莫耳%或更少(不包括 O 莫耳%)的元素鎳之的半導體陶瓷所構成之半導體陶瓷層以及內電極層之疊層產物，藉由疊層產物之還原性烘烤而製備一疊層型經燒壓實物，形成一外電極層,以與該疊層型經燒壓實物之內電極層電子性連結，以及進行該疊層型經燒壓實物之再氧化加工。

简体摘要： 本发明揭示一种具有良好PTC特性、低室温电阻值及增进15V或更高之改良耐受电压之叠层型半导体陶瓷组件。由含有钛酸钡作为主要组成份、且含有0.2莫耳%或更少(不包括 O 莫耳%)的元素镍的半导体陶瓷所构成之半导体陶瓷层，以及内电极层系交互层叠，并形成一外电极层，以与内电极层电子性链接。该制法包括以下步骤:制备一由含有钛酸钡作为主要组成份、且含有0.2莫耳%或更少(不包括 O 莫耳%)的元素镍之的半导体陶瓷所构成之半导体陶瓷层以及内电极层之叠层产物，借由叠层产物之还原性烘烤而制备一叠层型经烧压实物，形成一外电极层,以与该叠层型经烧压实物之内电极层电子性链接，以及进行该叠层型经烧压实物之再氧化加工。

27.

发明专利
改良型陶瓷介電組成物以及改良介電性質之方法失效
简体标题：改良型陶瓷介电组成物以及改良介电性质之方法

公开(公告)号：TW226986B

公开(公告)日：1994-07-21

申请号：TW080101454

申请日：1991-02-25

申请人： 杜邦公司

发明人： 沙莫特.安東尼.布魯諾

IPC分类号： C04B

CPC分类号： C04B35/62818 , C04B35/4682 , C04B35/62805 , C04B35/6281 , C04B35/62815 , C04B35/62826 , C04B35/62886 , C04B2235/3224 , C04B2235/3236 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , C04B2235/3418 , C04B2235/444 , C04B2235/449 , C04B2235/5409 , C04B2235/72 , C04B2235/79 , H01B3/12 , H01G4/1209

摘要： 一種含有一均勻分布於陶瓷粉末粒子表面之混合金屬氧化物摻和劑之複合物之改良型陶瓷介電組成物，及一藉改良該粒子之化學均質性以加強該組成物之介電性質之方法。

简体摘要： 一种含有一均匀分布于陶瓷粉末粒子表面之混合金属氧化物掺和剂之复合物之改良型陶瓷介电组成物，及一藉改良该粒子之化学均质性以加强该组成物之介电性质之方法。